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PVD镀膜蒸发镀与溅射镀工艺与区别解读

蒸发镀膜，是将膜料加热蒸发为气相后沉积到衬底表面，此种成膜方式决定了蒸发出的粒子能量只能在 0.1-0.3ev，原子动能太低，填充密度太低。

2017-12-05 标签：pvd 镀膜 3.9万 0

技术前沿：原子层沉积ALD介绍

薄膜沉积是指在基底上沉积特定材料形成薄膜，使之具有光学、电学等方面的特殊性能。

2023-07-13 标签：光伏电池 mems PVD 1.7万 1

半导体知识：PVD金属沉积制程讲解

2019-07-24 标签：半导体 PVD 1.5万 0

OPPO在新机的渐变色上推陈出新，渐变色怎么做出来的？

那么渐变色是怎么做出来的呢？PVD是英文Physical Vapor Deposition（物理气相沉积）的缩写，是指在真空条件下，采用低电压、大电流的...

2018-08-17 标签：OPPO PVD 1.4万 0

STM32单片机PVD功能操作流程解析

STM32内部自带PVD功能，用于对MCU供电电压VDD进行监控。通过电源控制寄存器中的PLS［2:0］位可以用来设定监控电压的阀值，通过对外部电压进行...

2018-12-26 标签：pvd stm32单片机 1.3万 0

手机外壳材料的变化，推动纳米注塑技术的发展

第二部手机大家都很熟悉，前面在久久精工的演讲里也说过，应该是在此之前屏占比最高的一款手机——essential PHONE，这款手机也是用DSM的For...

2018-04-03 标签：纳米 PVD 3D玻璃 1.1万 0

TSV的工艺流程和关键技术综述

TSV 是目前半导体制造业中最为先进的技术之一，已经应用于很多产品生产。实现其制程的关键设备选择与工艺选择息息相关，在某种程度上直接决定了 TSV 的...

2023-02-17 标签：半导体 PVD CMP 1.0万 0

一文详解金属薄膜沉积工艺及金属化

金属栅极的沉积方法主要由HKMG的整合工艺决定。为了获得稳定均匀的有效功函数，两种工艺都对薄膜厚度的均匀性要求较高。另外，先栅极的工艺对金属薄膜没有台阶...

2023-12-11 标签：集成电路射频 PVD 7.5k 0

湿法刻蚀工艺的流程包括哪些？

湿法刻蚀利用化学溶液溶解晶圆表面的材料，达到制作器件和电路的要求。湿法刻蚀化学反应的生成物是气体、液体或可溶于刻蚀剂的固体。

2023-02-10 标签：半导体硅晶圆 PVD 7.4k 0

PVD和CVD无机薄膜沉积方式大全

溅射镀膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氩(Ar)气的真空条件下，使氩气进行辉光放电，这时氩(Ar)原子电离成氩离子(Ar+)，氩离子...

2023-02-24 标签：半导体 PVD 激光束 7.1k 0

详解14种常用产品表面处理工艺

CMF是Color-Material-Finishing 的缩写，也就是颜色、材料、表面处理的概括。即Color、Material 、Finish三者的...

2024-12-30 标签：PVD 喷涂 IMD 5.9k 0

基于PVD 薄膜沉积工艺

PVD篇 PVD是通过溅射或蒸发靶材材料来产生金属蒸汽，然后将金属蒸汽冷凝在晶圆表面上的过程。应用材料公司在 PVD 技术开发方面拥有 25 年以上的丰...

2023-05-26 标签：晶圆逻辑器件 PVD 5.8k 0

原子层ALD沉积介绍

原子层沉积（Atomic layer deposition，ALD）是一种可以沉积单分子层薄膜的特殊的化学气相沉积技术。

2023-06-15 标签：半导体 PVD CVD 5.4k 0

薄膜淀积工艺的保角性=台阶覆盖性吗？如何做到好的保角性呢？

薄膜的保角性，又称保形性，指的是薄膜淀积台阶覆盖能力和空隙填充能力，以及保留原始形状的能力。

2024-01-02 标签：PVD TSV 5.4k 0

纯化学刻蚀、纯物理刻蚀及反应式离子刻蚀介绍

刻蚀有三种:纯化学刻蚀、纯物理刻蚀，以及介于两者之间的反应式离子刻蚀（ReactiveIonEtch,RIE）。

2023-02-20 标签：PVD 反应离子刻蚀 5.3k 0

浅析芯片沉积工艺

在了解芯片沉积工艺之前，先要阐述下薄膜（thin film）的概念。薄膜材料是厚度介于单原子到几毫米间的薄金属或有机物层。

2023-06-08 标签：逻辑电路 PVD 储存器 5.1k 0

什么是无定形碳膜？为什么选碳作为3D NAND的硬掩模？

无定形碳膜（Amorphous Carbon Film），即非晶碳膜，指的是一种由碳原子构成但没有长程有序结构的薄膜材料。

2024-03-22 标签：NAND PVD CVD 5.1k 0

对Si3N4-AMB覆铜基板较为关心的三大方面

随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求。

2023-03-16 标签：PVD SiC 功率模块 4.1k 0

ALD在高深宽比器件制造上不可替代的应用

在集成电路领域中，深宽比被定义为刻蚀深度与刻蚀图形CD（Criticlal Dimension）的比值。CD是IC制造中的一个重要指标，通常与刻蚀的特征...

2023-07-14 标签：集成电路晶体管 PVD 3.9k 0

与传统溅射或热蒸发技术相比，离子束辅助沉积有哪些优势？

离子束辅助沉积 (IBAD) 是一种薄膜沉积技术，可与溅射或热蒸发工艺一起使用，以获得具有出色工艺控制和精度的最高质量薄膜。

2023-06-08 标签：PVD IAD IBS 3.6k 1

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