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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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选型手册：MOT50N02D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT50N02D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借20V耐压、超低导通损耗及50A大电流承载能力...

2025-10-31 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 161 0

选型手册：MOT5122T 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT5122T是一款面向大电流低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借120V耐压、超低导通损耗及260A超大电流承载能力...

2025-10-31 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 136 0

选型手册：MOT70R280D 系列 N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT70R280D是一款基于超级结技术的N沟道功率MOSFET，凭借700V级耐压、超低导通损耗及高鲁棒性，广泛适用于功率因数...

2025-10-31 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 121 0

选型手册：MOT65R600F 系列 N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT65R600F是一款基于超级结技术的N沟道功率MOSFET，凭借650V耐压、低导通损耗及高鲁棒性，广泛适用于功率因数校正...

2025-10-31 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 134 0

选型手册：MOT15N50HF 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT15N50HF是一款面向500V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借快速开关特性、稳定雪崩能力及500V耐压，...

2025-10-31 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 137 0

中科微电ZK30N140T：Trench工艺加持的低压大电流MOS管新标杆

在功率半导体领域，中科微电凭借多年技术积淀，持续推出契合市场需求的核心器件。针对低压大电流场景中“功率与体积难兼顾、效率与成本难平衡”的行业痛点，中科微...

2025-10-31 标签：电子元器件场效应管 MOS 207 0

ZK60G120T：SGT+小型化封装，60V/120A功率控制的破局者

ZK60G120T以60V额定电压、120A额定电流的硬核性能为基底，融合屏蔽栅（SGT）核心技术与PDFN5x6-8L超薄封装，构建起“高性能+小体积...

2025-10-31 标签：电子元器件场效应管 MOS 164 0

ZK30G011G：Trench工艺加持的30V/160A低压大电流功率新星

ZK30G011G作为一款专为低压大电流场景设计的N沟道MOSFET，以30V额定电压、160A额定电流的硬核性能为基础，融合成熟可靠的沟槽型（Tren...

2025-10-31 标签：电子元器件场效应管 MOS 120 0

ZK60G120T：SGT+PDFN封装，60V/120A功率器件的小型化革命

在消费电子快充、车载电源、工业伺服驱动等中低压大电流场景中，功率器件正面临“大电流承载”与“小型化设计”的双重诉求。ZK60G120T这款N沟道MOSF...

2025-10-31 标签：电子元器件场效应管 MOS 181 0

ZK150G002TP：SGT技术赋能的150V高压大电流MOSFET标杆

在工业控制、新能源发电、电力电子等高压大电流应用场景中，MOSFET的性能直接决定了整个系统的效率、可靠性与功率密度。ZK150G002TP作为一款搭载...

2025-10-31 标签：电子元器件场效应管 MOS 136 0

选型手册：MOT8N65MD 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT8N65MD是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、高开关速度及稳定雪崩能力，广泛...

2025-10-30 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 214 0

选型手册：MOT5N65D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT5N65D是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高开关速度、稳定雪崩能力及650V耐压特性，广...

2025-10-30 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 252 0

选型手册：MOT7N65AC 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT7N65AC是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低栅极电荷、高开关速度及稳定雪崩能力，广泛...

2025-10-30 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 238 0

选型手册：MOT130N03D 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT130N03D是一款面向低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借30V耐压、超低导通损耗及130A大电流承载能力...

2025-10-30 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 185 0

中科微电ZK4030DG：N+P MOS管领域的Trench工艺性能典范

在MOS管技术持续演进的当下，高效、稳定、小型化成为行业核心追求。中科微电凭借对功率半导体技术的深耕，推出了一款性能卓越的N+P型MOS管——ZK403...

2025-10-30 标签：电子元器件场效应管 MOS 198 0

160A大电流赋能低压场景：中科微电ZK30G011Q MOS管技术解析

在低压大电流功率控制领域，器件的电流承载能力、能效水平与小型化适配性成为衡量性能的核心指标。中科微电推出的ZK30G011Q N沟道MOS管，凭借30V...

2025-10-30 标签：电子元器件场效应管 MOS 221 0

选型手册：MOT5N65C 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT5N65C是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高开关速度、稳定雪崩能力及650V耐压特性，广...

2025-10-29 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 522 0

选型手册：MOT20200D 系列肖特基势垒整流二极管

仁懋电子（MOT）推出的MOT20200D是一款面向高压大电流整流场景的肖特基势垒二极管，凭借20A连续电流承载能力、200V反向耐压及低正向压降特性，...

2025-10-29 标签：二极管 MOS 仁懋电子 227 0

选型手册：MOT6525G 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT6525G是一款面向低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借超低导通损耗、30A大电流承载能力及紧凑贴片封装，广...

2025-10-29 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 116 0

选型手册：MOT65R380D 系列 N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT65R380D是一款面向高压功率转换场景的N沟道超级结功率MOSFET，凭借650V耐压、低导通损耗及高鲁棒性，广泛适用于...

2025-10-29 标签：晶体管 MOS 仁懋电子 158 0

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