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MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。

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ZK100G08P应用全景：TO-220封装与SGT工艺驱动多场景功率控制升级

在功率电子领域，“适配性”与“可靠性”是器件立足市场的核心。中科微电推出的ZK100G08PN沟道MOSFET，以100V耐压、88A连续漏极电流为性能...

2025-10-21 标签：电子元器件场效应管 MOS 230 0

MOT (仁懋) MBR10150F 技术全解析

在开关电源、高频逆变器等中功率电力电子系统中，肖特基整流二极管的正向压降与浪涌耐受能力直接影响系统能效与可靠性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作...

2025-10-21 标签：MOS 仁懋电子 316 0

ZK100G08T：SGT工艺加持的紧凑型MOSFET，赋能中小型功率设备高效运行

在中小型功率电子设备朝着“小型化、低功耗、高可靠性”升级的进程中，MOSFET作为电能控制的核心器件，其性能与尺寸的平衡成为设计关键。中科微电推出的ZK...

2025-10-21 标签：电子元器件场效应管 MOS 248 0

ZG6287A：集成二极管的三相电能调控芯片，赋能多场景稳定运行

在功率半导体领域，高集成度、宽适配性的芯片是推动电子系统小型化、高效化的核心动力。中科微电推出的ZG6287A芯片，以260V三相输入规格为基础，融合7...

2025-10-21 标签：电子元器件场效应管 MOS 196 0

MOT (仁懋) MOT7136T 技术全解析

在400V以上高压工业电源、100kW级新能源逆变器等场景中，MOSFET的反向耐压能力与低损耗特性直接决定系统安全性与能效。MOT(仁懋)推出的MOT...

2025-10-20 标签：MOS MOT 仁懋电子 590 0

MOT (仁懋) MOT1126T 技术全解析

在30kW级工业电源、60kW直流快充桩等大功率电力电子场景中，MOSFET的电流承载能力与功率密度直接决定系统集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT11...

2025-10-20 标签：MOS MOT 仁懋电子 554 0

新洁能NCE65TF099：高频开关性能如何赋能不同产品应用？

在当今快速发展的电子技术领域，高频开关性能已成为衡量功率器件性能的关键指标之一。新洁能凭借其卓越的高频开关性能，正在为各种产品应用带来前所未有的赋能与变...

2025-10-20 标签：MOS 功率器件高频开关 551 0

MOT (仁懋) MOT8125T 技术全解析

在工业电源、新能源充电桩等大功率电力电子系统中，MOSFET的开关速度与功率承载能力直接决定整机性能上限。MOT(仁懋)作为国家级专精特新“小巨人”企业...

2025-10-20 标签：MOS 仁懋电子 505 0

MOT1145HD 技术解析：仁懋 N 沟道增强型 MOSFET 特性与应用

一、基本参数与结构MOT1145HD是**仁懋电子（MOT）**推出的N沟道增强型场效应管（MOSFET），采用TO-252贴片封装，适用于中大功率开关...

2025-10-20 标签：MOSFET MOS 仁懋电子 469 0

MOT (仁懋) MBR20200F 肖特基整流二极管技术全解析

在开关电源、高频逆变器等电力电子设备中，肖特基整流二极管的性能直接影响系统能效与稳定性。MOT(仁懋)推出的MBR10150F作为10A级别肖特基整流器...

2025-10-20 标签：MOS 肖特基二极管仁懋电子 588 0

从适配到超越：ZK100G200B替代IRFB4110PBF的全场景解决方案

IRFB4110PBF作为安森美等国际品牌的经典N沟道功率MOSFET，长期以来凭借100V耐压、180A电流的性能，成为工业电机驱动、新能源车载低压系...

2025-10-20 标签：电子元器件场效应管 MOS 254 0

中低压MOS管：功率电子领域的“高效开关”核心

在电力电子系统中，从手机充电器到工业电机驱动，从智能家居设备到新能源汽车低压辅助系统，都离不开一款关键器件——中低压MOS管。作为电压等级在100V及以...

2025-10-20 标签：电子元器件场效应管 MOS 631 0

ZG6288A-G：解密高性能集成驱动芯片的技术内核与应用价值

在功率电子与嵌入式控制领域，芯片型号的细微后缀往往承载着关键性能升级。ZG6288A-G作为一款标注特殊后缀的集成化芯片，从命名体系推测，其大概率是ZG...

2025-10-17 标签：电子元器件场效应管 MOS 247 0

中科微电ZG2131：300V驱动芯片国产化替代的实战样本

中科微电ZG2131的崛起，标志着国产驱动芯片从“可替代”向“优替代”的跨越。它不仅打破了进口芯片的市场垄断，更重塑了行业对国产芯片的认知——国产器件不...

2025-10-17 标签：电子元器件驱动 MOS 237 0

中科微电ZG6287A：高效能电子系统的“隐形调控中枢”

尽管ZG6287A的完整参数尚未公开，但其承载的中科微电技术基因已勾勒出“高效、可靠、多场景适配”的产品画像。在电子系统对电能调控要求日益严苛的今天，这...

2025-10-16 标签：电子元器件 MOSFET 场效应管 300 0

普诚PT5139：中低压电机驱动领域的“兼容型利器”

随着中国工业自动化、消费电子市场的持续增长，对中低压电机驱动IC的需求将进一步扩大。普诚PT5139凭借技术适配性、场景灵活性与成本优势，正成为连接芯片...

2025-10-15 标签：电子元器件驱动 MOS 187 0

中科微电ZK100G200P：100V大电流MOS管的性能突破与场景革命

在功率半导体国产化浪潮中，ZK100G200P凭借“性能对标进口、成本更具优势”的特点，成为打破国际品牌垄断的关键力量。其100V/205A参数组合、S...

2025-10-15 标签：电子元器件场效应管 MOS 392 0

100V/245A大功率突破！中科微电ZK100G245TL SGT MOS管重塑工业电源效率

这款产品的推出，标志着中科微电在中低压功率半导体领域实现技术赶超。其“低损耗+高可靠+高性价比”的组合，打破国外品牌在大功率MOS管市场的垄断，推动工业...

2025-10-15 标签：电子元器件场效应管 MOS 381 0

大功率场景的能效标杆：中科微电MOS管ZK100G325TL技术解析

中科微电ZK100G325TL以SGT工艺突破损耗瓶颈，用TOLL封装破解体积与散热矛盾，通过100V/411A的参数组合精准切入工业驱动、新能源快充、...

2025-10-14 标签：电子元器件场效应管 MOS 594 0

SGT工艺赋能的功率核心：中科微电MOS管ZK150G09P深度解析

中科微电ZK150G09P以SGT工艺为核心，通过低损耗、高可靠、易集成的特性组合，为中大功率电子设备提供了高性能的国产解决方案。从工业电机的高效驱动到...

2025-10-14 标签：电子元器件 MOS 半桥驱动 634 0

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