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深度解读激光雷达系统设计的eToF激光驱动器系列

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 高效功率转换（EPC）宣布了用于激光雷达系统设计的eToF激光驱动器系列。新的氮化镓（GaN）系...

2021-03-10 标签：GaN 光学传感器无人机 10k 0

如何采用氮化镓或GaN实现车辆电气化

作者：Maurizio Di Paolo Emilio 汽车行业正经历着从内燃机（ICE）到全电动未来的巨变。VisIC Technologies的功率...

2021-03-19 标签：电动汽车逆变器 GaN 5.8k 0

GaN-HEMT器件的动态R DSon值测量实验分析

GaN（氮化镓）器件由于具有诸如高开关速度，更高的功率密度和效率之类的能力而在设计电源转换器时变得越来越流行[2]，[3]，但是GaN器件的一个缺点是电...

2021-03-22 标签：功率转换器测量电路 GaN 1.3万 0

通过EPC的GaN EPC2032的电路设计实验

GaN晶体管是新电源应用的理想选择。它们具有较小的尺寸，非常高的运行速度并且非常高效。它们可用于轻松构建任何电力项目。在本教程中，我们将使用EPC的Ga...

2021-03-23 标签：EPC GaN GaN晶体管 4.4k 0

SiC与石墨烯覆盖层一起用于GaN膜的生长

氮化镓（GaN）为从RF-IC到众多功率控制IC（例如通信，能源和军事应用中使用的大功率HEMT）等各种模拟微芯片提供了显着的性能优势。GaN还是高能效...

2021-04-04 标签：led SiC 氮化镓 2k 0

GaN和SiC基功率半导体的宽带隙技术

寻找硅替代物的研究始于上个世纪的最后二十年，当时研究人员和大学已经对几种宽带隙材料进行了试验，这些材料显示出替代射频，发光，传感器和功率半导体的现有硅材...

2021-04-01 标签：二极管功率器件 GaN 2.8k 0

GaN转变充电器设计方案详解

氮化镓（GaN）开关技术使充电器和适配器的小型化取得了进步。与使用等效硅器件的电路相比，它允许开发可在高开关频率下工作的转换器。GaN减小了变压器的尺寸...

2021-04-07 标签：转换器电源开关 AC-DC 4.5k 0

基于GaN的功率晶体管和集成电路硅分立功率器件

基于GaN的功率晶体管和集成电路的早期成功最初源于GaN与硅相比的速度优势。GaN-on-Si晶体管的开关速度比MOSFET快10倍，比IGBT快100倍。

2021-04-23 标签：MOSFET 晶体管功率器件 4.2k 0

氮化镓和Sslicon在各种性能指标上的比较

硅制造技术已经足够成熟，可以大规模生产直径达18英寸的晶片，而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底选择范围从硅或蓝宝石基底（便宜但较大的晶...

2021-05-26 标签：微处理器晶体管氮化镓 2.1k 0

基于GaN芯片的电源转换方案设计

作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化镓（GaN）功率器件已投入生产10多年，除了性能和成本方...

2021-05-26 标签：功率器件氮化镓 GaN 3.7k 0

GaN使充电器设计发生革命

氮化镓（GaN）开关技术使充电器和适配器的小型化取得了重大进展。 GaN晶体管的开关效率很高。这允许开发转换器，该转换器可以以比使用等效硅器件的电路更...

2020-10-23 标签：充电器 GaN 1.2万 0

碳化硅有哪些优势？能应用在那些方面

电力电子朝向碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽能隙（WBG）材料发展，虽然硅仍然占据市场主流，但SiC与GaN器件很快就会催生新一代更高效的技术解决方案。

2020-10-17 标签：二极管 MOSFET GaN 9.4k 0

GaN晶体管在AC/DC电路设计中的重要性和作用

大规模数据中心、企业服务器或电信交换站使得功耗快速增长，因此高效AC/DC电源对于电信和数据通信基础设施的发展至关重要。但是，电力电子行业中的硅MOSF...

2020-09-30 标签：AD 晶体管 GaN 4.3k 0

激光雷达的工作原理及如何利用氮化镓消除隐患

在实际的激光雷达系统中，传统的硅器件(例如MOSFET)无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制，MOSFET的沟道必须很大，这会导致寄生电容...

2021-02-21 标签：散热器氮化镓 GaN 7.7k 0

GaN将彻底改变数据中心电源数据中心市场是下一个角逐点

高可靠性，高性能氮化镓功率转换产品供应商Transphorm与贝尔集团（Bel Group）联合宣布Bel的钛效率电源中使用了六个Transphorm的...

2021-01-22 标签：功率转换器氮化镓 GaN 2.4k 0

功率GaN出现爆炸式增长基于GaN的RF器件独特优势众多

Qorvo这种新型高功率放大器MMIC是专为“商业和军事雷达，以及电子战应用”而设计。

2021-01-19 标签：SiC GaN 射频技术 2.4k 0

具有保护功能的GaN器件实现下一代工业电源设计的挑战

氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲...

2020-12-20 标签：开关电源场效应晶体管氮化镓 3.5k 0

【泰克电源设计与测试】致工程师系列之四：宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证

选择TIVH差分探头的基本原则是以驱动信号的上升时间为依据，仪器系统对被测点的影响小于3%。上管信号测量考虑因素：带宽、电压范围（共模和差模）、CMRR和连接。

2020-08-11 标签：SiC GaN 泰克科技 1.7k 0

德州仪器白皮书：GaN将能源效率推升至新高度

GaN也面临着挑战。过去，这些挑战与制造和提供高质量、可靠GaN的能力相关。然而，随着整个行业制造工艺的改进和采用率的增加，挑战逐渐集中到实施和系统设计上

2020-08-04 标签：德州仪器 GaN 栅极驱动器 1.6k 0

半导体材料Si、SiC和GaN 优势及瓶颈分析

作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。

2020-09-11 标签：SiC GaN 半导体器件 1.4万 0

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