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电子发烧友网>测量仪表>【泰克电源设计与测试】致工程师系列之四:宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证

【泰克电源设计与测试】致工程师系列之四:宽禁带半导体器件GaN、SiC设计优化验证

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资深电子半导体猎头顾问职位推荐,工程师们请进!

`上海、武汉、深圳、杭州、成都、北京、苏州等地的工程师有在看工作机会都可以添加本人微信。本人是专业从事电子半导体的猎头顾问~目前合作企业有:TI、美信、MPS等国内外大大小小的企业。合作的岗位有
2017-09-11 14:00:02

赴新加坡半导体工程师

有效期至2010-01-01公司名称中智公司职位半导体工程师工作地点新加坡学历要求本科 研究生 博士 专业应用材料、机械、自动化、(微)电子
2009-10-12 11:10:18

赴新加坡半导体工程师

有效期至2010-01-01公司名称中智公司职位半导体工程师工作地点新加坡学历要求本科 研究生 博士 专业应用材料、机械、自动化、(微)电子
2009-10-12 11:15:49

适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiCGaN半导体技术

  本文介绍了适用于5G毫米波频段等应用的新兴SiCGaN半导体技术。通过两个例子展示了采用这种GaN工艺设计的MMIC的性能:Ka频段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G应用的24至
2020-12-21 07:09:34

重庆某电源技术公司诚招高级电源工程师以及单板软硬件工程师

、民两用电源管理系统系列产品。公司与军、地院校保持密切联系,汇聚了行业多位专家、教授、博士,瞄准行业前沿技术,引领公司未来发展。 现公司诚招高级电源工程师以及单板软硬件工程师高级电源工程师工作职责:1.
2015-11-14 17:39:17

高功率电动机各种元件给设计工程师带来了新的挑战

的改变了材料的电气性能,这类半导体器件隙范围是2-4eV,而硅器件隙范围是1-1.5eV。GaN是经过验证商业上可用的一个例子。(WBG)器件的特性在MOSFET器件中当温度高达100
2019-07-16 20:43:13

高频高效双向buck/boost变换器的设计

`这个仿真符不符合技术要求啊有什么错误或者要改进的地方啊希望各位大神帮我看看谢谢啦根据要求对电流传感器,驱动芯片等器件进行选型,设计基于半导体器件SicGaN等开关器件)的双向buck
2020-04-29 14:14:35

半导体:聊聊碳化硅(全是干货!)#电路知识 #电工 #电工知识

碳化硅半导体
微碧半导体VBsemi发布于 2024-01-17 17:55:33

第三代半导体材料盛行,GaNSiC如何撬动新型功率器件

,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529

如何实现高效GaN电源设计

由于可以在较高频率、电压和温度下工作且功率损耗较低,宽禁带半导体SiCGaN)现在配合传统硅一同用于汽车和RF 通信等严苛应用中。随着效率的提高,对Si、SiCGaN器件进行安全、精确的测试
2020-11-18 10:38:0027

半导体材料:Si、SiCGaN

作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiCGaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以,出现了以Si基器件为主导,SiCGaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156

工程师系列之四:宽禁带半导体器件GaNSiC设计优化验证

工程师的噩梦。 结合泰克新一代示波器,泰克针对性地推出带宽 1Ghz、2500V 差模、120dB 共模抑制比的全面光隔离探头,提供系统优异的抗干扰能力,帮助工程师进行第三代半导体器件的系统级优化设计。工程师在设计电源产品时,优化上下管的驱动条件,从
2020-10-30 03:52:11369

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