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报告内容包含: 动机 理论计算 氮化镓材料参数 固有载流子浓度 击穿电压 (VB) 通态电阻 (RON)
充电器,已经成为每个人的生活必需品。充电器的结构是否紧凑,能否提供更高的功率和更短的充电时间,对消费电子企业和消费者都非常重要,在这种背景下,让氮化镓已...
生成模型近年来发展迅猛,已经表现出极强的真实感合成能力,在三维重建、AI绘画、音视频创作、可控图像生成、真实图像编辑等领域的应用广泛。
DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围,提供非常高的测量精度和丰富的连接方式,是Ga...
本期,芯朋微技术团队为各位fans分享原副边全集成的65W快充方案,该方案由PN8783、PN8307P套片组成,PN8783具有卓越的环路稳定性、高功...
基于多孔氮化镓(GaN)半导体材料的方法,研究人员已经开发出蓝光VCSEL。目前,ITRI和Ganvix正着眼于绿色波长和VCSEL阵列的量产。
当受到战术机动性和极端操作环境的限制时,有效平衡性能、基本功率、重量、散热和成本的解决方案。这款可旋转有源电子扫描阵列(AESA)融合了氮化镓(GaN)...
GaN 、SiC很有可能在高压高频方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高压领域;GaN MOSFET 主打高频领域。
本文聊一下GaN芯片的制备工艺。 GaN-般都是用外延技术制备出来。GaN的外延工艺大家可以看看中村修二的书。
通常测试的时候第一步就是验证我们的静态工作点和稳定性,然而我采用NPTB0004N管子设计的时候,由于是GaN的管子,最开始没有注意他的上电顺序,导致管...
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计...
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计...
新能源车的功率控制单元(PCU)是汽车电驱系统的中枢神经,管理电池中的电能与电机之间的流向、传递速度。传统 PCU 使用硅基材料半导体制成,强电流与高压...
利用缺陷信息数据库探索界面工程,助力GaN基肖特基势垒二极管的研究
在电力电子器件的外延生长和器件制备过程中,特别是对于具有凹槽结构的GaN基肖特基势垒二极管(TMBS)而言,ICP刻蚀将不可避免地损伤材料的表面,产生大...
GaN 作为第三代半导体材料,具有更高的自发极化系数及更大的压电系数,能承受更高的功率密度,适用于高频、高温大功率电子器件。但随着功率器件向小型化和大功...
氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(High Electron Mobility Transistors)作为宽禁带(WBG)功率半导体器件的代表...
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