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FinFET全称叫鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流,缩短晶体管的闸长。
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中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺
中芯国际联席CEO梁孟松透露,中芯国际将在2018年下半年量产28nm HKC+工艺,2019年上半年开始试产14nm FinFET工艺,并藉此进入AI...
在去年的三星代工厂论坛上,Arm 与三星代工厂成功建立 14nm FinFET 合作伙伴关系,当时,基于三星代工厂 14nm 节点技术平台的 Artis...
自去年起,台积电和三星等晶圆代工厂纷纷推出了5nm的工艺,如今更是在钻研5nm以下的先进制程。但制程的提升不单单只靠EUV光刻机就能轻易实现的,短沟道效...
三星电子(Samsung Electronics)计划于2021年量产FinFET电晶体架构的后继产品——采用3nm制程节点的环绕式闸极(gate-al...
专访格罗方德Subramani Kengeri:28nm量产致胜关键在于HKMG
本文主要讲述了28nm量产致胜关键在于HKMG。HKMG:high-k绝缘层+金属栅极。HKMG的优势:不管使用Gate-first和Gate-last...
英特尔上个月月底公布了公司有史以来最详细的制程技术路线图之一,展示了从现在到2025年乃至更远的未来,驱动新产品开发的突破性技术。本资料介绍了实现此路线...
格芯搁置7纳米FinFET项目!是技术的羁绊,还是成本的考量?
此外,为了更好地施展格芯在ASIC设计和IP方面的强大背景和重大投资,公司正在建立独立于晶圆代工业务外的ASIC业务全资子公司。相关的ASIC业务需要持...
近日,芯片代工厂商——中芯国际发布了2019年财报。这是中芯国际14纳米产品贡献营收后的首份年报。
根据美国德克萨斯州联邦法院的裁决,三星电子侵犯了一家韩国大学关于双栅极FinFET半导体工艺的技术专利,必须赔偿4亿美元。
据IEEE报道,来自IMEC的Hans Mertens研究小组,使用8纳米宽的密集型纳米线堆栈在传统硅表面上成功制作了环栅式晶体管,未来经过技术改进有可...
基于主流的体硅高κ/金属栅FinFET工艺,提出了一种利用拐角效应
近期,中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心研究员殷华湘带领的科研团队基于主流的体硅高κ/金属栅FinFET工艺,提出了一种利用拐角效应,在钻石...
2018年三星、台积电将量产7nm工艺,未来的5nm甚至3nm工艺也露出了曙光,预计在2020年之后开始量产。多年来业界一直在追求半导体工艺不断降低线宽...
中芯国际8月8日晚发布2019年二季度财报,二季度公司实现营收7.909亿美元,环比增长18.2%,同比减少11.2%;实现净利润1853.9万美元,环...
中芯国际14纳米FinFET技术获得重大进展 8月9日,中芯国际公布了在14纳米FinFET技术开发上获得的重大进展。第一代FinFET技术研发已进入客...
中国最大的晶圆代工厂中芯国际目前最新的14纳米FinFET制程已接近研发完成阶段,其试产的良率已经可以达到95%。距离2019年正式量产的目标似乎已经不...
在我们大多数人“非黑即白”、“非此即彼”的观念里,半导体厂商应该不是选择FinFET就是FD-SOI工艺技术。
近日,中芯国际发布了2018年中期业绩报告,报告显示,2018年上半年营收达17.22亿美元,同比增长11.5%。毛利为4.38亿美元,同比增长5.6%...
全球第二大半导体晶圆代工厂格芯宣布,将在7纳米FinFET先进制程发展无限期休兵。联电之后半导体大厂先进制程竞逐又少一家,外界担忧将对全球代工晶圆产业造...
据国际物理系统研讨会(ISPD)上专家表示:实现14纳米芯片生产可能会比原先想象的更困难;14纳米节点给设计师带来了许多挑战。这些困难和挑战何在?详见本文...
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