中芯国际14nm量产大规模出货国产化取得阶段性胜利-电子发烧友网

近日,芯片代工厂商——中芯国际发布了2019年财报。这是中芯国际14纳米产品贡献营收后的首份年报。

财报显示,2019年中芯国际营业收入为31．16亿美元(约合219．75亿人民币),相比2018年的33．6亿美元(约合236．98亿人民币),下滑了7．3%。但从净利润来看,2019年中芯国际的净利润为2．35亿美元(约合16．57亿人民币),创下历史新高。

14纳米量产,获阶段性成功

2019年,中芯国际第一代FinFET 14纳米产品开始大规模生产,为2019年贡献了1%的收入。14纳米产品能够大规模出货,标志着我国半导体制造的国产化替代已取得阶段性成功。

当下,除了高端芯片需要用到7纳米技术以外,14纳米工艺已经完全可以满足国内各个芯片设计公司的代工需求。所以,中芯国际14纳米产品实现大规模出货事件,是中国大陆半导体的重大转折点,我国半导体制造受制于人的局面将有望尽快结束。

目前,中芯国际第一代FinFET 14纳米产能已达到3000片/月,生产良率较好。财报显示,第一代FinFET的产能爬坡快于预期,计划产能将于2020年底上量至15000片/月。

同时,中芯国际正在加紧第二代FinFET N+1的开发,计划2020年第四季度实现FinFET N+1小规模投产。

FinFET N+1工艺与14纳米工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%,是中芯国际对标竞争对手7纳米工艺的“利器”。

虽然FinFET N+1工艺的性能可能稍逊色于7纳米工艺,但在成本、能耗方面FinFET N+1拥有较大优势,FinFET N+1与7纳米各有千秋。FinFET N+1工艺比较适合用于低成本芯片产品。

FinFET第一代、第二代产品能够满足我国未来5G、物联网大部分的芯片设计需求,对于中芯国际以及半导体国产化具有重大意义。14纳米技术节点的突破也将帮助中芯国际实现价值的重估。

受益于半导体国产化

中芯国际的客户主要包括集成装置制造商、无厂房半导体公司及系统公司。

从地区来看,中芯国际的营收主要来自于中国、北美洲、欧亚三个地区。中国内地及香港地区的营收为18．51亿美元(约合130．55亿人民币),占全年总营收的59．5%;北美洲的营收为8．21亿美元(约合57．91亿人民币),占全年总营收的26．4%;欧亚大陆的营收为4．44亿美元(约合31．32亿人民币),占全年总营收的14．1%。

不难发现,中芯国际的主要市场在中国,而我国半导体市场以及半导体国产化趋势的利好将会刺激市场持续增长。

就半导体集成电路市场而言,我国拥有全球最大的电子制造及大众消费市场,并且连续多年稳坐第一。

根据IHS Markit的数据,2019年付运至中国的半导体价值约为2,085亿美元(约合1．47万亿人民币),占全球半导体价值约49．1%。并且中国集成电路设计市场整体保持强劲增长,2019年中国集成电路设计市场达约400亿美元(约合2821亿人民币),较2018年增长逾21．0%,预计未来三年,中国集成电路设计市场复合年增长率达21．4%,于2023年达到860亿美元(约合6065亿人民币)。

除了庞大的市场需求,国产替代的趋势也利于中芯国际的发展。

大陆半导体产业要崛起,设计、代工、封测等一系列产业链环节势必都要自主化,所以大陆的芯片设计公司放弃以往欧美代工,寻求大陆代工是必然趋势。无论是国内芯片设计巨头,还是芯片设计中小型公司,都有可能将代工业务转向国内,这种代工订单转移逐渐成为业内共识,且趋势正在加强。中芯国际作为国内代工龙头,产线种类多,且产能大,将明显受益。

2019第四季度,中芯国际来自中国大陆和香港市场的收入占比提升至65．1%。相信在未来,国产替代程度将更高,中芯国际也会迎来更大的机遇。

新领域变革,带来新机

当前中芯国际的发展正处于前所未有的历史机遇期。过去几年,中芯国际通过艰难的改革,打造了新的研发、运营和管理团队;并成功布局、开发了丰富的技术平台。

如今,中芯国际已成为中国首家提供移动计算应用28纳米晶圆制程技术并实现量产的纯代工厂、全球首家为SIM卡及互联网相关连接应用提供55纳米嵌入式闪存晶圆解决方案的纯代工厂,以及全球首家提供38纳米NAND闪存记忆晶圆工艺制程技术的纯代工厂。

未来几年的宏观环境复杂,半导体产业的发展仍将充满挑战。然而,5G、人工智能等领域的兴起将大幅提振市场需求,为半导体产业的发展带来新的历史机遇。这些新兴应用的提速发展将进一步提振半导体产业的市场需求。

中芯国际对此也做了充分的准备,继续推动具有附加价值的晶圆生产制程技术,如电源管理集成电路(PMIC)、电池管理集成电路(BMIC)、嵌入式电力可擦除可编程唯读存储器(eEEPROM)、eFlash、嵌入式微处理器(MCU)、超低功耗技术(ULP)、射频集成电路(RF)、生物识别技术传感器、摄像头芯片(CIS)及微机电系统传感器(MEMS)。