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MDD是国内少数采用了“Fabless+封装测试”模式的半导体品牌，15年的行业深耕，一直专注于半导体领域。在科技研发与创新的基础上，积累了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件
MDD辰达半导体荣获“2023年度华强电子网优秀国产品牌企业”称号
近日，MDD辰达半导体以其卓越的品质、出色的服务和持续的创新精神，荣获了华强网 2023 年度优秀品牌企业的殊荣。
随着社会生活水平的不断提高，越来越多的人开始重新定义品质生活。在智能科技迅速发展的今天，选择高科技智能机器人来协助家务已
2023年10月30日至11月1日,MDD辰达半导体作为半导体功率器件一线品牌，携全新产品亮相深圳慕尼黑华南电子展(el
根据Omdia的数据，2020年全球功率MOSFET的市场规模为81亿美元，在新能源汽车，工业控制、5G通讯等市场需求的
全球最全面的消费电子产品采购展，汇集中国及亚洲地区的最高质量 OEM/ODM 生产制造供应商，为成熟的零售商 / 电子零
静电是如何产生的 任何两个不同材质的物体接触后再分离，即可产生静电，而产生静电的普遍方法，就是摩擦生电。材料的绝缘性越好
MDD辰达半导体荣获蓝点奖“最具投资价值奖”和“杰出贡献奖”
日前，由深圳市电子商会，中小企业公共服务平台主办的“第六届蓝点奖颁奖盛典暨深圳市电子商会成立二十周年庆典”在深圳坪山燕子
电池管理系统是一种能够对电池进行监控和管理的电子装备，是电池与用户之间的纽带。通过对电压、电流、温度以及SOC等数据采集
普通二极管的PN结多采用面接触型，即P型半导体和N型半导体间的接触面积大，具有耐压高、平均电流大、恢复时间长（几百纳秒到
TVS和ESD都是利用二极管反向击穿特性的原理制成的电压保护型器件。TVS(Transient Voltage Supp
深圳辰达行电子有限公司成立于2008年，公司总部位于广东深圳，是一家专业研发生产半导体分立器件的国家高新技术企业。
公司通过不断努力，高品质的“MDD”品牌得到广大客户的信赖与支持，公司投资建设封装厂，工厂占地24亩，建筑面积15000平方，现有员工300余人，年产销二极管、整流桥总量约70亿只。
工厂引进全套国外先进设备和科学管理体系，拥有SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SMA、SMAF、SMB、SMBF、SMC、TO-277、TO-252、TO-220、UMB、MBS、MBF、ABS、KBP、GBU、GBJ、KBPC、R-1、DO-41、DO-15、DO-201AD、R-6、SOT-23、SOT-89、SOD-523、DFN等多种封装形式的二极管/整流桥生产线；品种规格齐全，有普通整流、快速恢复、高效率、超快速、肖特基、整流桥、以及双向触发、高压、瞬态抑制、开关、稳压等各种系列的二极管/整流桥。
公司通过了ISO9001:2008质量管理体系、ISO14001环境管理体系认证，产品通过美国UL认证，并符合欧盟RoHS、REACH环保要求，可为客户提供量身定制与研发设计的专业服务，并可以提供满足客户需求的无卤素产品。产品广泛应用于消费类电子、安防、工控类、汽车电子、新能源等领域并远销欧美及东南亚地区，在客户中享有良好的口碑。
展望未来，辰达行将常怀感恩的心，竭诚为新老客户提供优质产品和完美服务。力争为中国半导体事业做出奉献！
静电是如何产生的 任何两个不同材质的物体接触后再分离，即可产生静电，而产生静电的普遍方法，就是摩擦生电。材料的绝缘性越好，越容易产生静电。因为空气也是由...
电池管理系统是一种能够对电池进行监控和管理的电子装备，是电池与用户之间的纽带。通过对电压、电流、温度以及SOC等数据采集，计算进而控制电池的充放电过程，...
TVS和ESD都是利用二极管反向击穿特性的原理制成的电压保护型器件。TVS(Transient Voltage Suppressors)，即瞬态抑制二极...
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体...
MDD辰达半导体荣获“2023年度华强电子网优秀国产品牌企业”称号
近日，MDD辰达半导体以其卓越的品质、出色的服务和持续的创新精神，荣获了华强网 2023 年度优秀品牌企业的殊荣。
随着社会生活水平的不断提高，越来越多的人开始重新定义品质生活。在智能科技迅速发展的今天，选择高科技智能机器人来协助家务已经变得司空见惯。
2023年10月30日至11月1日,MDD辰达半导体作为半导体功率器件一线品牌，携全新产品亮相深圳慕尼黑华南电子展(electronica South ...
根据Omdia的数据，2020年全球功率MOSFET的市场规模为81亿美元，在新能源汽车，工业控制、5G通讯等市场需求的加持下，全球增速将保持高速增长，...
全球最全面的消费电子产品采购展，汇集中国及亚洲地区的最高质量 OEM/ODM 生产制造供应商，为成熟的零售商 / 电子零售商和经销商提供消费电子、电脑周...
MDD辰达半导体荣获蓝点奖“最具投资价值奖”和“杰出贡献奖”
日前，由深圳市电子商会，中小企业公共服务平台主办的“第六届蓝点奖颁奖盛典暨深圳市电子商会成立二十周年庆典”在深圳坪山燕子湖国际会展中心成功举行。 第六届...
普通二极管的PN结多采用面接触型，即P型半导体和N型半导体间的接触面积大，具有耐压高、平均电流大、恢复时间长（几百纳秒到几毫秒）等显著特点。
新的全局组件修改通知功能允许同步DesignPack控件中显示的内容，而控件之间没有任何链接。有用，例如，如果您由设计器移动一些Vcl控件，则属性检查器...
截止状态近似开关关断，饱和状态近似于开关打开，因此三极管工作在这两种状态时，多应用于数字电路中的电子开关；放大状态多应用于模拟电路中的电流放大。
MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。例如N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，当VGS电压达到M...
| 型号 | 描述 | 数据手册 | 参考价格 |
|---|---|---|---|
| MDD15N10D | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):15A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V; |
获取价格
|
|
| DFR1J F1J | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):600V;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.3V@1A;反向恢复时间(trr):250ns; |
获取价格
|
|
| DSR0.3K S03K | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):800V;平均整流电流(Io):300mA;正向压降(Vf):1.1V@300mA; |
获取价格
|
|
| SOD1H8 U8 | 二极管配置:-;直流反向耐压(Vr):1kV;平均整流电流(Io):1A;正向压降(Vf):1.7V@1A;反向恢复时间(trr):75ns; |
获取价格
|
|
| BZT52C7V5-WC | 二极管配置:独立式;稳压值(标称值):7.5V;稳压值(范围):7V~7.9V;精度:-;功率:500mW; |
获取价格
|
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