MDD辰达半导体功率TVS新升级：封装不变，功率倍增

一、升级背景

随着芯片工艺迈入纳米级，器件栅氧层厚度降低，其对电过应力（EOS）的耐受能力显著下降。瞬态电压抑制二极管（TVS）作为电路保护核心器件，其性能直接决定整个电子系统的运行可靠性。与此同时，快充标准持续升级，通用PD快充最高电压已提升至48V，原有20V规格TVS无法满足适配需求，适配更高电压的传统TVS在浪涌测试中易发生损坏。

二、核心痛点

TVS瞬时功率计算公式为PPP=IPP×VC（其中IPP为通流量，VC为钳位电压）。当不动作电压VRWM提升时，钳位电压VC同步升高，在相同功率条件下，通流量IPP会随之减小，导致浪涌测试无法通过。传统TVS的功率与封装严格绑定，若需提升功率，必须更换更大规格封装，进而需对PCB进行修改，不仅增加时间成本，部分小型PCB因空间限制，无法适配更大封装的TVS。

而MDD的TVS除了传统功率的TVS，还有在同样封装下，功率更高的TVS，可以提高EOS防护能力。

三、升级方案：封装不变，功率提升

SOD-123FL封装TVS升级后，参数对比：

SMA封装TVS升级后，参数对比：

SMB封装TVS升级后，参数对比：

四、核心工艺优势

MDD的功率TVS，不管是传统功率的，还是升级版本的，生产工艺均是采用了Clip组焊工艺，比传统的两片式焊接工艺更先进。该工艺减少了焊接时锡膏的空洞率，提高IPP及可靠性。

五、推荐型号

在不改变封装的前提下，MDD通过技术升级，推出新一代大功率TVS，防护能力大幅提高，有样品需求可联系MDD原厂。

审核编辑 黄宇