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米勒电容

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米勒电容技术

开关电源芯片U6113设计助力EMI系统性能优化

开关电源芯片把开关电源所需要的控制逻辑都集成在芯片中，作用当然是来简化电路设计、提高可靠性的。

2024-04-07 标签：MOSFET 控制器稳压器 507 0

MOSFET漏极导通特性与开关过程简析

本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过...

2023-12-04 标签：三极管 MOSFET 可变电阻 656 0

在半导体开关中使用共源共栅拓扑消除米勒效应

2023-12-07 标签：SiC 共源共栅米勒电容 290 0

关于MOS管、IGBT米勒平台的分析

米勒平台的形成与其材料、制造工艺息息相关，当GE之间电压大于阈值点的时候，管子的CE电压开始下降，但是下降的速度十分缓慢

2023-11-03 标签：MOS管 IGBT 驱动电流 4384 0

改善射频ACLR的几种方法

射频设计的同学可能都会接触到一个很关键的词，就是ACLR，什么是ACLR?

2023-10-10 标签：滤波器 SAW 射频设计 2033 0

详解运放的频率补偿方法

使开环增益下降到0dB时所对应的总相移小于180度。（2）或总相移达到180度时所对应的开环增益小于0dB。

2023-09-25 标签：运放频率补偿米勒电容 1119 0

如何使用米勒电容对运算放大器补偿？

米勒电容（Miller capacitance）通常用于运算放大器频率补偿的方法中。

2023-09-18 标签：电容器电压放大器运算放大器 1195 0

SiC MOSFET使用沟槽栅真的有必要吗？

MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 标签：MOSFET 场效应晶体管体二极管 279 0

IGBT模块短路的性能有哪些？寄生导通现象有哪些？

IGBT模块短路特性强烈地依赖于具体应用条件，如温度、杂散电感、IGBT驱动电路及短路回路阻抗。

2023-08-04 标签：分压器 IGBT 短路 1126 0

搞懂MOS管的米勒效应

通过了解MOS管的的开关过程，以及MOS米勒电容的影响，来改进MOS管设计。

2023-07-21 标签：MOS管 MOS 米勒电容 5130 0

全面认识MOS管，一篇文章就够了

今天势必要来一篇文章，彻底掌握mos管！

2023-06-13 标签：场效应管 MOS管 FET 5276 2

介绍MOSFET动态性能相关的参数

栅极电荷是指为导通MOSFET而注入到栅极电极的电荷量，有时也称为总栅极电荷。总栅极电荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示栅极-源的电荷量，Qgd ...

2023-05-29 标签：MOSFET 示波器 MOS管 4493 0

IGBT中米勒效应的影响和处理方法

之前我们在介绍MOS和IGBT的文章中也有提到米勒电容和米勒效应的概念，在IGBT的导通过程分析的文章中我们也简单提到过米勒平台

2023-05-25 标签：三极管 MOSFET MOS管 4979 0

米勒电容如何限制高频放大？

由于存在物理学定律，电阻、电容和电感将继续成为挑战。我们对此无能为力，所以自热离子真空管问世以来，电子设计人员就学会了通过开发巧妙的电路拓扑来解决这些问题。

2023-05-22 标签：MOSFET 驱动器 FET 740 0

MOS管的米勒电容及CCS电流源模型

在器件的手册中，会给出MOS管的寄生参数，其中输入电容Ciss就是从输入回路，即端口G和S看进去的电容，MOS管导通时的GS电容，是Cgd和Cds的并联。

2023-01-19 标签：MOS管晶体管 CCS 9772 0

功放手册里面到底说了哪些东西呢？

VBW：用双音信号测试得到的交调开始急剧恶化时的双音间隔。在双音测试系统里面，定义当在工作频率点，输入双音信号，随着双音间隔的变大，当出现左右两边的IM...

2022-12-05 标签：NXP 功放管米勒电容 675 0

对MOS管在开关状态下的Miller效应的原因与现象进行分析

MOS管的米勒效应会在高频开关电路中，延长开关频率、增加功耗、降低系统稳定性，可谓是臭名昭著，各大厂商都在不遗余力的减少米勒电容。

2022-09-29 标签：MOS管米勒电容驱动电压 1555 0

MOS管的开通过程

如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。

2022-08-25 标签：MOS管米勒电容 5531 0

米勒效应是什么？MOS管能避免米勒效应吗？

从t1时刻开始，MOS进入了饱和区。在饱和有转移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨导，只要Id不变Vgs就不变。Id在上升到最大值以后，而此时又处于...

2022-08-22 标签：MOS管电容充电输出电容 1935 0

如何使用负压作为IGBT关断

总结一下，对于米勒电流引起的寄生导通，在0V关断的情况下，可以使用米勒钳位来抑制。当出现非米勒电流引起的寄生导通时，如果不想减慢开关速度增加损耗的话，加...

2022-05-12 标签：电阻 IGBT 米勒电容 8467 0

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