IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。
2022-06-09 10:35:03
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IGBT是高频开关器件，芯片内部的电流密度大。当发生过流或短路故障时，器件中流过的大于额定值的电流时，极易使器件管芯结温升高，导致器件烧坏。今天我们就来聊聊IGBT的过流和短路保护。
2023-04-06 17:31:175483 
这里，我们只关注IGBT芯片自身的短路，不考虑合封器件中并联的二极管或者是RC-IGBT的寄生二极管。
2023-12-05 16:22:312610 
2QP0215V33-TX具有短路保护和软关断的功能，通过检测IGBT的退饱和现象，来判断IGBT是否短路
2020-07-22 14:30:352093 系统。因此，对3.3kV等级的IGBT模块驱动电路进行研究十分有意义。目前，市场上专业驱动器生产厂商有相关配套驱动器产品提供给客户选择，但是做为一款广泛应用的模块产品，很有必要做更深入的细节分析
2018-12-06 10:06:18
600 800 1000 1500 Rg阻值范围(Ω) 10~20 5.6~10 3.9~7.5 3~5.6 1.6~3 1.3~2.2 1~2 0.8~1.5 不同品牌的IGBT模块可能有各自的特定
2012-07-25 09:49:08
，PCB板的连线之间彼此不宜太近，过高的dv/dt会由寄生电容产生耦合噪声。要减少器件之间的寄生电容，避免产生耦合噪声。 由于IGBT等功率器件都存在一定的结电容，所以会造成器件导通关断的延迟
2011-08-17 09:26:02
关损耗的影响如下 可见，开通损耗受栅极电阻的影响要更大。 同理，反向恢复损耗受开通电阻的影响也可以在规格书中查到。 寄生电容： IGBT的寄生电容影响动态性能，它是芯片内部结构的固有特性，把
2021-02-23 16:33:11
IGBT模块是由哪些模块组成的？IGBT模块有哪些特点？IGBT模块有哪些应用呢？
2021-11-02 07:39:10
IGBT-E4拥有比中功率IGBT3-E3芯片略高的软度。按照设计目的，E系列软度明显高于T系列［1、7］。由于结合采用超声焊接和母线支架，模块大幅降低了寄生杂散电感，这对于充分利用IGBT4-T4的优势
2018-12-07 10:23:42
)1400V系列模块可用于AC380V至575V的功率变换设备中。 (5)P系列中，尤其是1400V模块比PT-IGBT有更大的安全工作区，反偏安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)都为矩形
2012-06-19 11:17:58
小，因此使用IGBT模块首要注意的是过 流保护。产生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损 坏、逆变桥的桥臂
2012-06-19 11:26:00
在IGBT短路时，假设在导通时短路，此时IGBT驱动电压达到稳定高值，就是IGBT已经完全导通，此时刻触发外部电路短路，用示波器查看驱动电压、CE电压和输出电流，变频器在极短的时间内响应后，驱动电压
2024-02-25 11:31:12
锁IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿
2012-07-09 14:14:57
˙dv/dt电流和寄生导通图2：因C˙dv/dt效应产生穿通电流时的真实开关波形为了防止出现这种现象，可以采用的一种方法是增大IGBT VGEth的阀值。然而，IGBT的Vce(sat)行为与VGEth
2015-12-30 09:27:49
Rbr都是因工艺而寄生形成的，这样，主PNP晶体管与寄生NPN晶体管形成了寄生的晶闸管，当器件的集电极电流足够大时，在电阻Rbr上产生正偏电压将导致寄生晶体管导通，造成寄生晶闸管导通，IGBT的栅极失去
2018-10-17 10:05:39
PNPN 4层结构，因体内存在一个寄生晶闸管，当集电极电流增大到一定程度时，则能使寄生晶闸管导通，门极失去控制作用，形成自锁现象，这就是所谓的静态擎住效应。IGBT发生擎住效应后，集电极电流增大，产生
2020-09-29 17:08:58
如图所示，现在的问题是IGBT的门极给的是15V驱动电压，Vce=27V,为什么导通之后负载对地的电压只有9.7V，在IGBT上的压降很大，怎么才能解决这个问题
2016-10-16 17:07:46
IGBT模块或者单管应用于变频器的制造，在做变频器的短路实验时，在IGBT开通时刻做出短路动作，IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。
但是在具体波形时，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT应用于变频器逆变电路中，存在这么一种情况，IGBT先短路再开通，请问这是一种什么样的过程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起来，然后启动变频器，此时这种过程就可以称之为先短路再
2024-02-29 23:08:07
管(T1)截止，下管(T1)导通，VCE为-9V，IGBT关断。以上就是IGBT的开通关断过程。 结语 IGBT对驱动电路有一些特殊要求，驱动电路性能的优劣是其可靠工作、正常运行的关键所在，高性能
2012-09-09 12:22:07
什么是AMBA？AMBA分为哪几种？AXI、AHB与APB的性能有什么不同？AHB总线是如何组成的？APB总线有哪些主要应用？
2021-06-18 06:55:01
器件击穿电压的增加而增加。在额定电压高于 200 V 时，MOSFET 的传导性能低于 BJT。 IGBT结合了这两个领域的优点，实现了高性能电源开关：它提供了MOSFET的轻松驱动和BJT的导
2023-02-24 15:29:54
官方资料有特别说明，否则这个二极管都是存在的。IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反向耐压而特别设置的，又称为FWD（续流二极管）。判断IGBT内部是否有体二极管也并不困难
2022-04-01 11:10:45
和二极管，再将两者封装在一起，做成IGBT模块。这样的做法使IGBT模块寄生电感较高、集成度较低。为降低成本、提高芯片的功率密度，IGBT与二极管同时在集成同一个硅片上的逆导型IGBT(Reverse
2019-09-26 13:57:29
速度和寄生电容的特征。开关速度：与IGBT的比较下图是开关导通时和开关关断时的dV/dt、即开关速度与IGBT模块的比较。SiC模块的开关导通时的dV/dt与IGBT模块几乎相同，依赖于外置的栅极电阻
2018-11-30 11:31:17
使用芯片尺寸更小，2缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去，这一
2019-07-24 04:00:00
。因为上、下管工作的状态不同，所以，它们的开关特性也不相同。 通常，上管为硬开关工作状态，具有导通损耗和开关损耗；下管为软开关工作状态，只有导通损耗，但是由于下管的寄生二极管在死区时间内会导通续流
2020-12-08 15:35:56
1. 真实的半导体开关器件都有寄生的并联电阻，实际上来源于导致泄露损耗的漏电流通路模型。器件的正向压降一定意义上也可看作导致导通损耗的串联寄生电阻所产生。2. MOSFET的寄生参数（电容）是限制其
2021-10-28 08:17:48
`什么是IGBT?什么是IGBT模块？什么是IGBT模块散热器？IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS
2012-06-19 11:36:58
的通态导通损耗，因而必须作出权衡取舍。IGBT技术的发展正在促成增加短路电流电平，但降低短路耐受时间这一趋势。此外，技术的进步导致使用芯片尺寸更小， 缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短
2019-10-06 07:00:00
几种IGBT短路保护电路图7是利用IGBT过流时Vce增大的原理进行保护的电路，用于专用驱动器EXB841。EXB841内部电路能很好地完成降栅及软关断，并具有内部延迟功能，以消除干扰产生的误动作
2009-01-21 13:06:31
缩小了模块尺寸，但降低了热 容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射 极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平 的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去，这一时间范围
2018-08-20 07:40:12
，技术的进步导致使用芯片尺寸更小，缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路
2021-08-12 07:00:00
导通损耗，因而必须作出权衡取舍。IGBT技术的发展正在促成增加短路电流电平，但降低短路耐受时间这一趋势。此外，技术的进步导致使用芯片尺寸更小， 缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短
2018-07-30 14:06:29
更小，缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间。过去，这一时间范围
2018-11-01 11:26:03
电平，但降低短路耐受时间这一趋势。此外，技术的进步导致使用芯片尺寸更小，2缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流
2018-10-10 18:21:54
导致使用芯片尺寸更小，缩小了模块尺寸，但降低了热容量，以至耐受时间进一步缩短。另外，还与IGBT集电极-发射极电压有很大关系，因而工业驱动趋向更高直流总线电压电平的并行趋势进一步缩减了短路耐受时间
2019-04-29 00:48:47
， 功率大于5kW的应用场合具有很大优势。在全桥逆变电路中， IGBT是核心器件， 它可在高压下导通， 并在大电流下关断， 故在硬开关桥式电路中， 功率器件IGBT能否正确可靠地使用起着至关重要的作用
2011-09-08 10:12:26
本文从精简结构，同时兼顾精度的角度出发，提出一种基于时间测量芯片TDC-GP2来精确测量IGBT导通延迟时间系统，用于测量IGBT的导通延迟时间，实现简单且成本低的一种较为理想的测量方案。
2021-05-14 06:07:09
主要的IGBT寄生电容有哪些？怎样去设计单正向栅驱动IGBT？单正向栅驱动IGBT有什么长处？
2021-04-20 06:43:15
MOSFET的方式内嵌固有体二极管的最新一代阳极短路IGBT.与最佳竞争产品和前代产品相比，该器件具有Eoff较小的特性。总之，新器件使得FS IGBT更适用于不需要高性能反向并联二极管的软开关应用。
2018-09-30 16:10:52
检查与电机连线是否有短路现象或接地检查交流电机驱动器与电机的落地有无松动加长加速时间检查是否电机是否有超额负载ov 交流电机驱动器侦测内部直流高压侧有过电压现象检查输入电压是否与在交流电机驱动器额...
2021-09-03 06:07:13
时，为获得最小导通压降，应选取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，当Uge增加时，导通时集射电压Uce将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中Uge增加，集电极电流Ic也将随之增加，使得IGBT
2016-10-15 22:47:06
电压，在IGBT导通时，如果集电极电压超过7 V，则认为是发生了过流现象，HCPL316J慢速关断IGBT，同时由第6脚送出过流信号。 3 结语 通过对IGBT门极驱动特点的分析及典型应用电路的介绍，使大家对IGBT的应用有一定的了解。可作为设计IGBT驱动电路的参考。
2016-11-28 23:45:03
。如果采用IGBT，如图3，则可以避免这个问题，使用IGBT有控制简单的优点，但成本较高。其工作原理为：当输入为正半周时，电流流经Q1、D2，负半周时电流流经D1、Q2。 图2：SCR的延时关断现象
2012-03-29 14:07:27
所示）。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷
2019-03-05 06:00:00
各位老师你们好！ 前段时间找某经销商买了一批英飞凌的IGBT模块（3300V/400A，管子型号是FZ400R33KL2C）；拿回来做双脉冲测试发现管子的导通压降特别大，在100A的时候导通压降大约
2018-07-24 16:38:03
母线电路需设计极小寄生电感。因此，可选用具备软开关特性的专用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如图2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（软度）在开关性能方面差别明显，采用
2018-12-07 10:16:11
根据集电极退饱和检测短路原理及IGBT 的短路安全工作区(SCSOA) 限制,设计出具有较完善性能的IGBT 短路保护电路。分析与实验结果表明,短路保护快速、安全、可靠、简便、应用价值较
2009-10-28 10:56:53
118 有效抑制IGBT模块应用中的过电压寄生杂散电感会使快速IGBT关断时产生过电压尖峰，通常抑制过电压法会增加IGBT开关损耗或外围器件的耗散功率。
2010-03-14 19:06:5248 IGBT短路保护电路原理图
2008-10-23 21:43:483576 
铅蓄电池短路现象及原因
铅蓄电池的短路系指铅蓄电池内部正负极群相连。铅蓄电池短路现象主要表现在以下几个方面：
(1)开路电压低，闭路电压(放电)
2009-10-28 11:24:46666 什么是短路，对电池性能有何影响？ 电池外两端连接在任何导体上都会造成外部短路，电池类型不同，短路有可能带来不同严重程度的后
2009-11-13 15:21:063763 IGBT(NPT型结构)的寄生组件和等效电路
2010-02-17 17:21:381855 
具有寄生晶体管的IGBT等效电路
2010-02-17 23:09:37844 
两单元IGBT模块的寄生电感电路
2010-02-17 23:13:351405 
本文根据IGBT的短路特性和大功率IGBT模块的结构特点设计了一种新型大功率IGBT模块的短路检测电路，采用两级di/dt检测IGBT两类短路状态的实用方法。
2016-08-17 15:19:155190 
在vdc=1200v下进行了短路试验，试验波形如图6所示。可见，在关断开通短路电流和通态短路电流时，vcemax被可靠地箝位在1350v，小于vces（1700v），使IGBT工作于安全工作区间内，有效地保护了IGBT，所采用的有源电压箝位技术达到了预期的效果
2017-05-16 16:15:046121 
压接式绝缘栅极双极性晶体管（ IGBT）模块因优越的电气性能和封装设计，受到柔性直流输电等大功率应用场合的青睐，其模块可靠性也成为大功率应用场合研究的重点，而IGBT模块结温是影响器件可靠性
2018-02-01 10:20:499 在IGBT的应用中，当外部负载发生故障，或者栅极驱动信号出现异常，或者某个IGBT或二极管突然失效，均可能引起IGBT短路，表现为桥臂内短路、相同短路及接地短路，由于IGBT在短路状态下需要同时承受
2019-10-07 15:04:0024314 
短路现象1 比如有以下表达式 abc 只有a为真（非0）才需要判断b的值；只有a和b都为真，才需要判断c的值。 举例 求最终a、b、c、d的值。 main() { inta
2020-09-29 14:39:582256 来源：罗姆半导体社区 前言 我们说，IGBT的双脉冲实验和短路实验一般都会在一个阶段进行，但是有的时候短路测试会被忽略，原因有些时候会直接对装置直接实施短路测试，但是此时实际上并不是彻底和充分
2022-11-15 16:51:074458 IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2020-11-17 08:00:0024 在关断IGBT过程中，IGBT电流急剧变化，由于有寄生电感的存在，会在IGBT上产生电压尖峰 Vce（peak） = Vce + L * di/dt，如图1所示。
2021-03-15 15:39:392592 
关于IGBT的内部寄生参数，产品设计时对IGBT的选型所关注的参数涉及到的寄生参数考虑的不是很多，对于其标称的电压、电流和损耗等关注的比较多。当然针对不同的应用场合，所关注的方面都不不尽相同，比如
2021-06-12 10:29:009667 
IGBT短路测试方法详解及波形解析
2021-12-27 10:57:4075 我们都知道IGBT发生短路故障时会发生退饱和现象，如图1所示。退饱和后IGBT会承受全母线电压，同时集电极电流也上升至额定电流的5-6倍，因此IGBT发生短路时的瞬时功率是非常大的。
2022-09-26 16:32:583906 英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。
2023-02-06 14:30:24633 
IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。
2023-02-07 16:12:22696 
今天梳理一下IGBT现象级的失效形式。 失效模式根据失效的部位不同，可将IGBT失效分为芯片失效和封装失效两类。引发IGBT芯片失效的原因有很多，如电源或负载波动、驱动或控制电路故障、散热装置故障
2023-02-22 15:05:4319 目录 1、IGBT的工作原理和退饱和 1.1 IGBT 和 MOSFET结构比较 1.2 IGBT 和 MOSFET 在对饱和区的定义差别 1.3 IGBT 退饱和过程和保护 2、电感短路和直通短路
2023-02-22 15:14:446 IGBT保护的问题 现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片能保护到的IGBT的项。1.Vce过压2.Vge过压3.短路保护4.过高的di/dt 主要是看一下短路保护和过流保护短路的定义1.桥臂内短路
2023-02-23 09:57:0015 电机匝间短路是指电机线圈中的两个相邻匝之间发生了短路。这种现象会导致电机出现故障，严重的情况下可能会导致电机无法正常工作。
2023-03-19 15:16:049064 什么是窄脉冲现象IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT
2022-05-26 09:52:271472 
电机绕组发生匝间短路，会有以下现象：
2023-07-24 11:00:331019 IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:543294 
摘要: 为提升高压 IGBT 的抗短路能力，进一步改善短路与通态压降的矛盾关系，研究了
IGBT 背面工艺对抗短路能力的影响。通过 TCAD 仿真，在 IGBT 处于负载短路工作期间，针对
2023-08-08 10:14:470 盘点电机绕组匝间短路可能出现的现象
2023-08-11 10:28:23588 IGBT 功率模块的开关特性是由它的内部结构，内部的寄生电容和内部和外接的电阻决定的。
2023-09-22 09:06:14432 
IGBT是如今被广泛应用的一款新型复合电子器件，而IGBT测试也变的尤为重要，其中动态测试参数是IGBT模块测试一项重要内容，IGBT动态测试参数是评估IGBT模块开关性能的重要依据。其动态测试参数主要有：主要参数有开关参数、栅极电阻、栅极电荷、寄生电容等。
2023-10-09 15:14:35644 
IGBT模块损坏时，什么情况导致短路？什么情况导致开路？ IGBT模块是一种功率模块，用于高功率电子设备控制。当IGBT模块在使用过程中遭受损坏时，可能会出现短路或开路的问题。这两种情况会对电路
2023-10-19 17:08:182733 什么是igbt短路测试？igbt短路测试平台 IGBT短路测试是针对晶体管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）进行的一种测试方法。IGBT是一种高压高功率
2023-11-09 09:18:291044 由于短路会导致负载电阻降低或短路，使得电流突然增大。IGBT作为开关管，其额定电流通常有限，该突然增大的电流可能会超过IGBT管的额定电流，导致IGBT管过电流而被破坏。
2024-02-06 10:26:54578 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）击穿短路的原因是一个复杂且多元的问题，涉及多个因素相互作用。以下是对IGBT击穿短路原因的详细分析，旨在达到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53907 短路耐受时间是指IGBT在短路条件下能够持续导通而不发生故障的时间。这个参数对于系统保护策略的设计至关重要，因为它决定了系统在检测到短路并采取措施（如关闭IGBT或限制电流）之前可以容忍的最长
2024-02-06 16:43:251317 
短路是什么原因造成的 igbt上下桥短路原因 短路是一种电路故障，其特点是电流绕过正常的电路路径，通过一条或多条低阻抗的路径流过。IGBT是一种常见的功率半导体器件，可用于控制和放大电流
2024-02-18 10:08:38332 IGBT应用中有哪些短路类型？ IGBT是一种主要用于功率电子应用的半导体器件。在实际应用中，IGBT可能会遭遇多种短路类型。下面，我将详细介绍IGBT应用中常见的短路类型。 1. IGBT内部开路
2024-02-18 10:21:57222 IGBT过流和短路故障的区别 IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写，是一种半导体功率开关器件。在工业和电力领域广泛应用，常常用于高压、高电流的开关电源和逆变器中。然而，由于各种原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32275 什么是IGBT的退饱和？为什么IGBT会发生退饱和现象？ IGBT是一种高性能功率半导体器件，结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压和高电流应用中具有低开启电阻、低导通压降和高开关速度等优点
2024-02-19 14:33:28481
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