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标签 > 开关模式电源
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技术资料#LMG3422R030 具有集成驱动器、保护和温度报告的 600V 30mΩ GaN FET
LMG342xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
技术资料#LMG3425R030 具有集成驱动器、保护、温度报告和理想二极管模式的 600V 30mΩ GaN FET
LMG3425R030 GaN FET 集成了驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提高到新的水平。 LMG34...
技术资料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半桥,具有集成驱动器、保护和电流感应功能
LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于开关模式电源应用中的 75W 有源钳位反激式 (ACF) 转换器<。该LMG2...
技术资料#LMG3526R030 具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的650V 30mΩ GaN FET
LMG352xR030 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。 LMG3...
技术文档:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3626 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
技术文档:LMG3616 具有集成驱动器和保护功能的 650V 270mΩ GaN FET
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3616 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
技术资料#LMG3612 具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3612 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成...
技术文档#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET,集成驱动器、保护和电流感应
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3624通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 ...
LMG3614 具有集成驱动器和保护功能的 650V 170mΩ GaN FET概述
LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 ...
LMG2640 650V 105mΩ GaN 半桥,集成驱动器、保护和电流感应概述
LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半桥,适用于开关模式电源应用。该LMG2640通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成半桥...
LMG3650R035 650V 35mΩ TOLL 封装 GaN FET,集成驱动器和保护概述
LMG365xR035 GaN FET 具有集成驱动器和保护功能,针对开关模式电源转换器,使设计人员能够将功率密度和效率提升到新的水平。
采用 MPS SiC 二极管最大程度地降低高频开关模式电源的损耗
作者:Art Pini 投稿人:DigiKey 北美编辑 高频开关模式电路,如采用连续传导模式 (CCM) 的功率因数校正 (PFC) 电路,需要开关损...
使用 MPS SiC 二极管可最大限度地降低高频开关模式电源中的损耗
与 Si 相比,Vishay 的 MPS SiC 肖特基二极管具有更高的正向电流额定值、更低的正向压降和更低的反向恢复损耗,所有这些都采用更小的封装和更...
在现代电子设备中,电源供应器的选择与设计对设备的性能与稳定性有着至关重要的影响。其中,开关模式电源(Switch Mode Power Supply,简...
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