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标签 > 寄生电感
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Vishay/Beyschlag MM-HF MELF薄膜电阻器是低电感非螺旋微调产品。这些电阻器非常适合用于高频电路设计，在这些设计中，由于常规电阻器...
应用指导 | CGAN002: How to read GaN datasheet
云镓半导体应用指导CGAN002:HowtoreadGaNdatasheet1.命名规则以CG65030TAD产品为例，"C"为公司...
在MOSFET开关中，栅极驱动器(Gate Driver)承担着为其充电与放电的关键任务，而这背后的能量转换过程，直接影响驱动系统的效率与热设计。传统功...
如今，从液晶电视到手机等现代电子产品中使用的许多芯片组都是采用远低于130nm的先进技术开发的。这些技术对3.3V以上直流电压的耐受性极低，因此静电放电...
在开关电源、电机驱动和射频系统中，＞1MHz的电流测量精度直接决定系统性能。传统方案依赖电流互感器（CT）或霍尔传感器，却常受限于相位漂移、磁饱和和带宽...
回路中各环节电感值对于减小回路的总杂散电感而言十分重要。由于直流支撑电容器和IGBT的内部电感是定值，其降低只能通过器件制造商提高制造和工艺水平来实现。...
UCC27311A 具有 8V UVLO 和使能功能的 120V 4A 半桥驱动器数据手册
UCC27311A 是一款坚固耐用的栅极驱动器，设计用于驱动采用半桥或同步降压配置的两个 N 沟道 MOSFET，绝对最大自举电压为 120V。其 3....
UCC24636 具有超低待机电流的同步整流器控制器数据手册
UCC24636 SR 是一款紧凑的 6 引脚次级侧同步整流器 MOSFET 控制器和驱动器，用于在非连续 （DCM） 和 过渡模式 （TM）。与测量 ...
用户指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半桥子卡评估模块
LMG342XEVM - 04X 包含两个以半桥配置的 LMG342XR0X0 氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。所有的偏置和电平转换组件都已集成，...
消费者需求不断攀升，电动汽车(EV)必须延长续航里程，方可与传统的内燃机(ICE)汽车相媲美。解决这个问题主要有两种方法：在不显著增加电池尺寸或重量的情...
瓷介电容器是一种使用陶瓷材料作为介质的电容器，广泛应用于电子电路中，用于储存和释放电能、滤波、去耦、谐振等。由于陶瓷材料的介电常数较高，瓷介电容器通常具...
IGBT模块采用吸收电路时，典型的关断电压波形如下图所示。从图中可以看出，初始浪涌电压△U1之后，随着吸收电容充电，瞬态电压再次上升。第二次上升峰值△U...
安建半导体推出针对大电流高功率应用的SGT MOSFET器件
近年來，工业及消费市场对于系统的要求不断提高，为达到更优秀的效率、可靠性及热性能，MOSFET作为功率核心部件担当着非常重要的角色。
降压转换器IC的开关节点容易产生很多高次谐波噪声，缓冲电路作为除去这些高次谐波噪声的手段之一，本节简述如何使用RC缓冲电路去除开关节点谐波噪声。
用FAN73711浮驱芯片，在起机时没有发现异常的高电平现象，基本能够正常工作，但是在更加恶劣的工作状态下会发生炸机，比如在源跳变时会发生PFC炸机。
宽带隙 （WBG） 半导体需要具有更低的寄生电感和电容的封装。为了实现这一目标，提出了新的包装解决方案，以增加集成度。
在电路PCB设计中，地平面设计是一个重要的组成部分，PCB地平面的设计不仅关乎到电子产品的工作性能，而且对于EMC方面的影响也是息息相关。
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