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威兆半导体

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威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET/IGBT单管、模块以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。产品涵盖传统硅基及第三代化合物半导体SiC和GaN，并广泛应用于消费类电源、汽车电子、电机驱动、工业电源、通信等

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威兆半导体技术

选型手册：VS2N7002K N 沟道增强型小信号 MOSFET 晶体管

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2025-12-12 标签：晶体管 MOS 威兆半导体 44 0

选型手册：VSU070N65HS3 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

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选型手册：VS320N10AU N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

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2025-12-12 标签：晶体管 MOS 威兆半导体 27 0

选型手册：VS3602GPMT N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

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2025-12-11 标签：晶体管 MOS 威兆半导体 68 0

选型手册：VS4603DM6 N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

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2025-12-11 标签：晶体管 MOS 威兆半导体 52 0

选型手册：VST002N06MS-K N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VST002N06MS-K是一款面向60V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配低压大电流DC/...

2025-12-11 标签：晶体管 MOS 威兆半导体 55 0

选型手册：VS3610AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

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威兆半导体推出的VS3640DS是一款面向30V低压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用SOP8封装，适配双路低压电源管...

2025-12-11 标签：晶体管 MOS 威兆半导体 98 0

选型手册：VS3622AP N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3622AP是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压大电流DC/DC转换器、同步整流...

2025-12-10 标签：MOSFET 晶体管 MOS 88 0

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威兆半导体推出的VS3640DE是一款面向30V低压场景的双通道N沟道增强型功率MOSFET，支持5V逻辑电平控制，采用PDFN3333封装，适配双路低...

2025-12-10 标签：晶体管 MOS 威兆半导体 77 0

选型手册：VS3640AA N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS3640AA是一款面向30V低压小电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用DFN2x2封装，适配小型化低压电源管理、负载开关等领...

2025-12-10 标签：晶体管 MOS 威兆半导体 98 0

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选型手册：VS3540AC P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

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选型手册：VS1602GTH N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的VS1602GTH是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220AB封装，适配中压大电流DC/DC转...

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威兆半导体推出的VS4802GPHT-IG是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，适配低压超大电流DC/...

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威兆半导体推出的VS3510AE是一款面向-30V低压场景的P沟道增强型功率MOSFET，适配低压负电源切换、电源路径管理等领域。一、产品基本信息器件类...

2025-12-08 标签：晶体管 MOS 威兆半导体 94 0

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