描述
INA819是一款高精度仪表放大器,具有低功耗特性,可在非常宽的单电源或双电源范围内工作。单个外部电阻可以提供1到1000的任何增益。该器件提供高精度的超级β输入晶体管,可提供极低的输入失调电压,失调电压漂移,输入偏置电流,输入电压和电流噪声。附加电路可保护输入免受高达±60 V的过压影响。
INA819经过优化,可提供高共模抑制比。在G = 1时,在整个输入共模范围内,共模抑制比超过90 dB。该器件采用4.5 V单电源设计,可实现低电压工作,双电源电压可达±18 V.INA819采用8引脚SOIC封装,额定温度范围为-40°C至+ 125°C温度范围。
特性
- 低偏移电压:10μV(典型值),35μV(最大值)
- 增益漂移:5 ppm /° C(G = 1),35 ppm /°C(G> 1)(最大)
- 噪声:8 nV /√ Hz
- 带宽:2 MHz(G = 1),270 kHz(G = 100)
- 使用1 nF电容负载稳定
- 输入保护电压高达±60 V
- 共模抑制:110 dB,G = 10(最小值)
- 电源抑制:100 dB,G = 1(最小值)
- 电源电流:385μA(最大值)
- 供电范围:
- 单电源:4.5 V至36 V
- 双电源:±2.25 V至±18V
- 指定温度范围:-40°C至+ 125°C
- 封装:8引脚SOIC
所有商标是他们各自所有者的财产。
参数 与其它产品相比 仪表放大器
Number of channels (#) Vs (Min) (V) Vs (Max) (V) CMRR (Min) (dB) Input offset (+/-) (Max) (uV) Input offset drift (+/-) (Max) (uV/C) Input bias current (+/-) (Max) (nA) Noise at 1 kHz (Typ) (nV/rt (Hz)) Iq (Typ) (mA) Bandwidth at min gain (Typ) (MHz) Gain (Min) (V/V) Gain (Max) (V/V) Gain error (+/-) (Max) (%) Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) Noise at 0.1 Hz-10 Hz (Typ) (uVpp) Gain non-linearity (+/-) (Max) (%) INA819 INA118 INA828 1 1 1 4.5 2.7 4.5 36 36 36 140 107 140 35 50 50 0.4 0.5 0.5 0.5 5 0.6 8 10 7 0.35 0.35 0.6 2 0.8 2 1 1 1 1000 10000 1000 0.15 1 0.15 -40 to 125 -40 to 85 -40 to 125 SOIC | 8 PDIP | 8
SOIC | 8 SOIC | 8 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9 (SOIC | 8) See datasheet (PDIP)
8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9 (SOIC | 8) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9 (SOIC | 8) 0.19 0.28 0.14 0.001 0.002 0.001
方框图
- INA819 - 功能方框图