SMV512K32-SP 16MB 防辐射 SRAM

描述

SMV512K32是一款高性能异步CMOS SRAM，由32位524,288个字组成。可在两种模式：主控或受控间进行引脚选择。主设件为用户提供了定义的自主EDAC擦除选项。从器件选择采用按要求擦除特性，此特性可由一个主器件启动。根据用户需要，可提供3个读周期和4个写周期（描述如下）。

特性

• 20ns读取，13.8ns写入（最大存取时间）
• 与商用
  512K x 32 SRAM器件功能兼容
• 内置EDAC（错误侦测和校正）以减轻软错误
• 用于自主校正的内置引擎
• CMOS兼容输入和输出电平，3态双向数据总线
  • 3.3±0.3VI /O，1.8±0.15V内核
• 辐射性能放射耐受性是一个基于最初器件标准的典型值。辐射数据和批量验收测试可用 - 细节请与厂家联系。
  • 设计使用基底工程和抗辐射（HBD）与硅空间技术公司（SST）许可协议下的< sup> TM 技术和存储器设计。
  • TID抗扰度＆gt; 3e5rad（Si）
  • SER＆lt; 5e-17翻转/位 - 天使用（CRPLE96来计算用于与地同步轨道，太阳安静期的SER。 LET = 110 MeV
    （T = 398K）
• 采用76引线陶瓷方形扁平封装
• 可提供工程评估（/EM）样品这些部件只用于工程评估。它们的加工工艺为非兼容流程（例如，无预烧过程等），并且只在25°C的温度额定值下进行测试。这些部件不适合于品质检定，生产，辐射测试或飞行使用。不担保完全军用额定温度
  -55°C至125°C范围内或使用寿命内的部件性能。