LM5109B 高电压 1A 峰值半桥接闸极驱动器

• 可驱动高侧和低侧N沟道金属氧化物半导体场效应应晶体管（MOSFET）
• 1A峰值输出电流（1.0A灌电流和1.0A拉电流）
• 与独立的晶体管 - 晶体管逻辑电路（TTL）和互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容的输入
• 自举电源电压高达108VDC
• 短暂传播时间（典型值为30ns）
• 可以15ns的上升和下降时间驱动1000pF负载
• 优异的传播延迟匹配（典型值为2ns）
• 支持电源轨欠压锁定
• 低功耗
• 8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）和耐热增强型8引脚晶圆级小外形无引线（WSON）封装

应用

• 电流反馈推挽式转换器
• 半桥和全桥电源转换器
• 固态电机驱动器
• 双开关正激电源转换器

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