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TLV2354由四个独立的低功耗比较器组成，专为单电源应用而设计，工作电源电压低至2 V.采用3 V电源供电时，典型电源电流仅为240 uA。
TLV2354采用德州仪器LinCMOS TM 技术设计，因此具有极高的输入阻抗（通常大于10 12 
），允许直接与高阻抗源接口。输出为N沟道开漏配置，需要外部上拉电阻来提供正输出电压摆幅，并且可以连接它们以实现正逻辑线与关系。 TLV2354I的完全特性可在-40°C至85°C的温度范围内工作。 TLV2354M的完全特性可在-55°C至125°C的温度范围内工作。
TLV2354具有内部静电放电（ESD）保护电路，并使用人体模型测试分类为1000 V ESD额定值。但是，在处理此器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
Typ LINCMOS是德州仪器的商标。
| Number of Channels (#) |
| Output Type |
| Vs (Min) (V) |
| Vs (Max) (V) |
| Propagation Delay Time (uS) |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Max) (mA) |
| Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) |
| Rail-to-Rail |
| Features |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| VICR (Max) (V) |
| VICR (Min) (V) |
| TLV2354M |
|---|
| 4 |
| Open Collector |
| 2 |
| 8 |
| 0.65 |
| 5 |
| 0.15 |
| 20 |
| Out |
| N/A |
| Military |
| -55 to 125 |
| CDIP CFP LCCC |
| See datasheet (CDIP) See datasheet (CFP) 20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) |
| 7 |
| 0 |
| 无样片 |
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