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该器件采用LinCMOS制造？该技术由两个独立的电压比较器组成，每个电压比较器均设计为采用单电源供电。如果两个电源之间的差异为2 V至18 V，则也可以使用双电源供电。每个器件都具有极高的输入阻抗（通常大于10 12 Ω），允许直接与高电平连接阻抗源。输出为n沟道开漏配置，可以连接以实现正逻辑线与关系。
TLC372具有内部静电放电（ESD）保护电路，并已分类为1000- V ESD额定值使用人体模型测试。但是，在处理此器件时应小心，因为暴露于ESD可能会导致器件参数性能下降。
TLC372C的特点是工作温度范围为0°C至70°C。 TLC372I的工作温度范围为-40°C至85°C。 TLC372M的特点是可在55°C至125°C的整个军用温度范围内工作。 TLC372Q的工作温度范围为-40°C至125°C。
LinCMOS是德州仪器公司的商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
| Number of Channels (#) |
| Output Type |
| Vs (Min) (V) |
| Vs (Max) (V) |
| Propagation Delay Time (uS) |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) (Max) (mV) |
| Iq per channel (Max) (mA) |
| Input Bias Current (+/-) (Max) (nA) |
| Rail-to-Rail |
| Features |
| Rating |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Group |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| VICR (Max) (V) |
| VICR (Min) (V) |
| TLC372M |
|---|
| 2 |
| Open Collector Open Drain |
| 4 |
| 16 |
| 0.2 |
| 5 |
| 0.15 |
| 0.03 |
| Out |
| N/A |
| Military |
| -55 to 125 |
| CDIP CFP LCCC SOIC |
| See datasheet (CDIP) See datasheet (CFP) 20LCCC: 79 mm2: 8.89 x 8.89(LCCC) 8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC) |
| 15 |
| 0 |
| 无样片 |
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