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SN74CBT16211C 具有 -2V 下冲保护的 24 位 FET 总线开关

数据:

描述

SN74CBT16211C是一款高速TTL兼容FET总线开关,具有低导通电阻(r on ),允许用于最小传播延迟。 SN74CBT16211C的A和B端口上的有源下冲保护电路通过检测下冲事件并确保开关保持在正常的OFF状态,为低至2 V的下冲提供保护。

SN74CBT16211C被组织为两个12位总线开关,具有独立的输出使能(10E,20E)输入。它可以用作两个12位总线开关或一个24位总线开关。当OE \为低电平时,相关的12位总线开关接通,A端口连接到B端口,允许端口之间的双向数据流。当OE \为高电平时,相关的12位总线开关关闭,A和B端口之间存在高阻态。

该器件完全适用于部分关断应用我。 I off 功能可确保损坏的电流在断电时不会回流通过器件。

为确保上电或断电期间的高阻态,OE \应通过上拉电阻连接到V CC ;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。

特性

  • 德州仪器广播公司的成员?系列
  • 对A和B端口上的隔离进行下冲保护,最高可达?? 2
  • 具有接近零传播延迟的双向数据流
  • 低导通电阻(r on )特性(r on = 3 典型的)
  • 低输入/输出电容可最大限度地减少负载和信号失真(C io(OFF )= 5.5 pF典型值)
  • 数据和控制输入提供下冲钳位二极管
  • 低功耗(I CC =3μAMax)
  • V CC 运行范围从4 V至5.5 V
  • 数据I /O支持0至5 V信号电平(0.8 V,1.2 V,1.5 V,1.8 V,2.5 V,3.3 V ,5-V)
  • 控制输入可由TTL或5 V /3.3 V CMOS输出驱动
  • I off 支持部分电源 - 向下模式操作
  • 闩锁性能超过每JESD 78 mA,Class II
  • 每个JESD测试的ESD性能22
    • 2000-V人体模型( A114-B,II类)
    • 1000V充电器件型号(C101)
  • 支持数字和模拟应用:PCI接口,存储器交错,总线隔离,低失真信号门控

Widebus是德州仪器公司的商标。

参数 与其它产品相比 模拟开关/多路复用器

 
Configuration
Number of Channels (#)
Power Supply Type
Vss (Min) (V)
Vss (Max) (V)
Vdd (Min) (V)
Vdd (Max) (V)
Ron (Typ) (Ohms)
Bandwidth (MHz)
Rating
Operating Temperature Range (C)
Package Size: mm2:W x L (PKG)
Package Group
Supply Range (Max)
Ron (Max) (Ohms)
Input/Output Continuous Current (Max) (mA)
Supply Current (Max) (uA)
Features
OFF-state leakage current (Max) (µA)
ON-state leakage current (Max) (µA)
Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF)
Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF)
ESD Charged Device Model (kV)
ESD HBM (kV)
VIL (Max) (V)
VIH (Min) (V)
SN74CBT16211C
1:1 SPST    
24    
Single    
N/A    
N/A    
4    
5.5    
3    
200    
Catalog    
-40 to 85    
56SSOP: 191 mm2: 10.35 x 18.42(SSOP)
56TSSOP: 113 mm2: 8.1 x 14(TSSOP)
56TVSOP: 72 mm2: 6.4 x 11.3(TVSOP)    
SSOP
TSSOP
TVSOP    
5.5    
12    
128    
3.2    
Powered off protection
-2V undershoot protection    
10    
10    
14.5    
5.5    
1    
2    
0.8    
2    

技术文档

数据手册(1)
元器件购买 SN74CBT16211C 相关库存