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TS5N118是一款高带宽FET总线开关，利用电荷泵提升传输晶体管的栅极电压，提供低而平坦的导通状态阻力（r on ）。低而平坦的导通电阻允许最小的传播延迟，并支持数据输入/输出（I /O）端口上的轨到轨切换。该器件还具有低数据I /O电容，可最大限度地减少数据总线上的电容负载和信号失真。 TS5N118专为支持高带宽应用而设计，提供优化的接口解决方案，非常适合宽带通信，网络和数据密集型计算系统。
TS5N118是1/8复用器/解复用器使用单个输出启用（> OE ）输入。选择（S0，S1，S2）输入控制多路复用器/多路分解器的数据路径。当 OE 为低电平时，多路复用器/多路分解器启用，A端口连接到B端口，允许端口之间的双向数据流。当 OE 为高电平时，多路复用器/多路分解器被禁用，A和B端口之间存在高阻态。
此设备完全为使用I off 的部分断电应用指定。 I off 电路可防止在断电时损坏通过器件的电流。在断电期间，器件具有隔离功能。
为确保上电或断电期间的高阻态， OE 应绑定到V CC 通过上拉电阻;电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。
<小>
| Configuration |
| Number of Channels (#) |
| VCC (Min) (V) |
| VCC (Max) (V) |
| Ron (Typ) (Ohms) |
| Input/Ouput Voltage (Min) (V) |
| Input/Ouput Voltage (Max) (V) |
| ICC (Max) (uA) |
| Bandwidth (MHz) |
| Operating Temperature Range (C) |
| Package Size: mm2:W x L (PKG) |
| Package Group |
| ESD Charged Device Model (kV) |
| Input/Output Continuous Current (Max) (mA) |
| Input/Output OFF-state Capacitance (Typ) (pF) |
| Input/Output ON-state Capacitance (Typ) (pF) |
| OFF-state leakage current (Max) (µA) |
| Ron (Max) (Ohms) |
| VIH (Min) (V) |
| VIL (Max) (V) |
| TS5N118 |
|---|
| 8:1 |
| 1 |
| 4.75 |
| 5.25 |
| 3 |
| 0 |
| 10 |
| 10000 |
| 25 |
| -40 to 85 |
| 16SSOP: 29 mm2: 6 x 4.9(SSOP) |
| SSOP |
| 1 |
| 100 |
| 20 |
| 160 |
| 10 |
| 12.5 |
| 2 |
| 0.8 |
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