MXB12R600DPHFC Si MOSFET：高性能电源管理的理想选择 在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的功率器件至关重要。今天，我们来深入了解一款高性能的 Si MOSFET
2025-12-16 10:15:06
147 11月20日，2025集成电路发展论坛（成渝）暨三十一届集成电路设计业展览会（ICCAD-Expo 2025）在成都正式启幕。巨霖科技副总经理邓俊勇在“EDA与IC设计服务”专题论坛发表题为《国产 SI 仿真工具破局之道》的演讲。
2025-12-16 10:14:59248 
在电子工程师的日常设计工作中，选择合适的功率模块至关重要。今天，我们将深入探讨 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC 混合模块，了解它的特点、参数以及典型应用。
2025-12-05 09:43:50362 
在电子工程领域，功率模块的性能直接影响着整个系统的效率和稳定性。今天，我们将深入探讨 onsemi 的 NXH600B100H4Q2F2S1G，一款具有出色性能的 Si/SiC 混合三通道飞跨电容升压模块。
2025-12-04 17:08:42638 
电子工程师们在设计电路时，常常需要在众多的器件中寻找性能卓越、可靠性高且符合应用需求的产品。今天，我们就来深入了解一下onsemi的NXH600B100H4Q2F2SG，这是一款Si/SiC混合三通道对称升压模块，在太阳能逆变器和不间断电源系统等领域有着广泛的应用前景。
2025-12-04 16:00:50889 
在电子工程领域，功率模块的性能直接影响着众多应用的效率和可靠性。今天，我们来深入探讨onsemi的NXH240B120H3Q1 Si/SiC混合模块，它在太阳能逆变器和ESS等应用中展现出了独特的优势。
2025-12-04 10:52:16362 
特点
-a-Si TFT有源矩阵电子纸显示器（EPD）
-支持三种颜色：白色、黑色、红色
-分辨率：480 x 800
-超低功耗
-超宽视角-接近180°
-超薄型和轻型
-SPI接口
-符合
2025-12-01 15:45:59
大家介绍一款性价比极高、功耗极低、自动寻卡、定时唤醒的13.56mhz非接触式读卡芯片：SI522，希望给那些因为功耗下不来而烦恼的技术朋友们有所帮助！
Si522 是一个高度集成的，工作在
2025-12-01 10:16:07
Part 90和169MHz无线Mbus12。
工作环境的兼容性：DP4363在12.5kHz信道间隔下具有60dB的相邻信道选择性，可确保在恶劣的射频环境中稳定接收
可以与Silicon 芯科SI4463完全兼容，不需要更换软硬件，直接替用上去
2025-11-28 14:21:11
、250Kbps三种数据速率。其操作简便，应用成本低，只需要一个MCU(8位)和少量外围无源器件即可以组成一个无线数据收发系统。
Si24R1引脚图Si24R1芯片特性：超低关断功耗: <0.7
2025-11-28 11:12:25
模块，同样的程序可以驱动这两个模块，而且。实现的功能也一样，也就是说，这两个芯片的寄存器地址、内容、操作命令等基本一样。
3、发射功率对比：Si24r1号称最高能达到7dB的发射功率，描述中称寄存器
2025-11-28 11:10:28
SI24R1 无线通信模块开发
在嵌入式系统中，无线通信模块的应用越来越广泛。SI24R1 是一款高性能的 2.4GHz 无线收发芯片，支持多种通信模式和功能，适用于遥控、传感器数据传输等多种应用场
2025-11-28 11:04:27
SI24R1 无线通信模块开发
在嵌入式系统中，无线通信模块的应用越来越广泛。SI24R1 是一款高性能的 2.4GHz 无线收发芯片，支持多种通信模式和功能，适用于遥控、传感器数据传输等多种应用场
2025-11-28 11:02:23
小体积QFN16的Si502、Si502B均为高度集成的NFC前端芯片，工作频率为13.56MHz，支持多种主动/被动非接触式通信协议（ISO 14443 A/B、Felica、NFCIP-1
2025-11-27 14:45:54205 
芯片是RFID标签的核心“心脏”，直接决定系统的稳定性和距离表现。SI24R2E和SI24R2F系列2.4GHz有源RFID SoC芯片，以超低功耗和长距离传输著称，完美适配电动车场景。两者均为
2025-11-20 17:21:10
深圳市三佛科技有限公司介绍：SI13305/SI13303非隔离5V 3.3V经济、紧凑的供电解决方案
SI13305/SI13303应用领域：智能家居，小家电，可控硅驱动、继电器驱动
2025-11-19 18:07:14
Si85853D-IS型号介绍： 今天我要向大家介绍的是 skyworks 的收发器——Si85853D-IS。 它拥有强大的隔离能力和抗干扰能力
2025-11-14 17:12:27
Si2434型号介绍： 今天我要向大家介绍的是 skyworks 的解调器——Si2434。 它通过将传统调制解调器所需的众多分立元件（如DSP
2025-11-14 16:51:08
Si2415型号介绍： 今天我要向大家介绍的是 skyworks 的解调器——Si2415。 它通过将 DAA、DSP、控制器和多种接口功能整合
2025-11-14 16:24:55
Si2404型号介绍： 今天我要向大家介绍的是 skyworks 的耦合器——Si2404。 它通过高度集成的硅DAA技术，将传统上需要多个分立元件的功能整合
2025-11-14 15:56:10
Vishay/BC Components 156 PUM-SI铝电解电容器是一款超小型卡接电容器，在85°C条件下使用寿命长达5000小时。该电容器具有±20%的C~R~ 容差、高纹波电流能力、低
2025-11-12 16:03:46388 
小体积QFN16的Si502、Si502B均为高度集成的NFC前端芯片，工作频率为13.56MHz，支持多种主动/被动非接触式通信协议（ISO 14443 A/B、Felica、NFCIP-1
2025-11-11 15:28:56234 
MHz时的75 dB阻塞天线分集和T/R开关控制
高度可配置的包处理程序 TX和RX 64字节FIFO自动频率控制(AFC)自动增益控制(AGC)低物料清单
DP4363PCB图：
SI4463PCB图
2025-10-30 10:07:53
SI3933是一款三通道低功耗ASK接收机芯片，专为15kHz-150kHz低频载波频率检测而设计。这款芯片的主要功能是检测低频数字信号并产生唤醒信号，广泛应用于各种无线唤醒场景。 SI
2025-10-13 09:27:07104 
在高压功率电子领域，硅基氮化镓（GaN-on-Si）肖特基势垒二极管（SBD）因其优异的性能与成本优势展现出巨大潜力。然而，Si与GaN材料之间严重的晶格失配导致外延层中存在高密度缺陷
2025-09-26 16:48:581017 
RF4463PRO无线收发模块基于Silicon Labs Si4463 Rev.C芯片，支持142–1050 MHz宽频率范围，具备+20 dBm发射功率、-126 dBm接收灵敏度及多种调制方式
2025-09-23 13:51:592905 
在铁路行业这个充满挑战与变化的环境中，效率和准时性至关重要。然而，随着铁路网络的老化、机械故障的频发以及不可预见的维护需求，确保列车运行的安全与高效已成为铁路工程师们面临的一项艰巨任务。Flir Si2-Pro声学成像仪的出现，正悄然改变着铁路维护的方式，为铁路工程师们诊断与修复故障提供了高效率的解决方案。
2025-09-18 11:08:08787 SI522A是一款国产高度集成的工作在13.56MHz的非接触式读写器芯片，支持ISO/IEC 14443 A/MIFARE协议，并具备ACD自动载波侦测功能。 这款芯片没有复杂的外围电路，其内
2025-09-16 17:42:32687 Wisim SI是一款高效、精准的频域信号完整性物理验证EDA仿真工具。能够高效准确地为设计人员提取信号或电源平面的网络参数(S/Y/Z)，并进行噪声分布及谐振模式分析，在设计初期发现和定位设计中的各种风险及问题，给出准确直观的优化方向。
2025-09-11 11:42:27757 
### **SI4880DY-T1-E3-VB MOSFET 产品简介****型号**：SI4880DY-T1-E3-VB **封装类型**：SOP8 **配置**：单N型
2025-09-06 16:19:25
### SI4832BDY-T1-E3-VB MOSFET 产品简介SI4832BDY-T1-E3-VB 是一款 **N通道** MOSFET，采用 **SOP8** 封装，采用 **Trench
2025-09-06 16:03:19
### SI4688DY-VB MOSFET 产品简介SI4688DY-VB 是一款采用 SOP8 封装的单 N 通道 MOSFET，专为高效电源管理和开关应用设计。该 MOSFET 的最大漏源电压
2025-09-06 14:52:17
### SI4688DY-T1-GE3-VB MOSFET 产品简介SI4688DY-T1-GE3-VB 是一款 **N通道** MOSFET，采用 **SOP8** 封装，具备 **Trench
2025-09-06 14:50:15
### SI4646DY-T1-GE3-VB MOSFET 产品简介SI4646DY-T1-GE3-VB 是一款由 **Vishay** 生产的 **N通道** MOSFET，采用 **SOP8
2025-09-06 14:33:17
### SI4420DY-VB MOSFET 产品简介SI4420DY-VB 是一款采用 SOP8 封装的单极性 N 通道 MOSFET，具有 30V 的漏极源极电压（VDS）和高达 ±20V 的栅
2025-09-06 14:26:40
### SI4410DYTRPBF-VB 产品简介**SI4410DYTRPBF-VB** 是一款高效能的单N通道MOSFET，封装为SOP8，具有优异的电流承载能力与低导通电阻，专为电源开关与高
2025-09-06 13:46:12
### 1. 产品简介：SI4334DY-T1-E3SI4334DY-T1-E3 是一款基于 Trench 技术的单 N 型 MOSFET，采用 SOP8 封装，专为高效能、低功耗电流开关和电源管理
2025-09-06 11:09:06
合科泰SI2301是一款采用SOT-23封装的P-CHANNEL MOSFET，专为DC-DC转换器与负载开关设计。2.8-3.0mm×1.2-1.4mm的超小尺寸适合高密度PCB布局，通过超低导通电阻、快速开关特性与高可靠性设计，为电子设备提供高效能功率控制解决方案。
2025-09-03 10:06:551048 Si523是一个 13.56MHz 的非接触式读写器芯片，支持 ISO/IEC 14443 A/B/MIFARE协议。内部集成低功耗自动寻卡与定时唤醒功能，可编程寻卡时间间隔，寻卡过程无需 MCU
2025-08-27 09:37:50
600-650V功率器件是Si SJ MOS(又称Si 超结MOS)，SiC MOS和GaN HEMT竞争最为激烈的产品区间，其典型应用为高频高效高功率密度电力电子。通过对比分析Infineon
2025-08-16 16:29:143565 
知识星球，欢迎学习交流导语：在2025年上海车展上，混合碳化硅（SiC）与硅（Si）基器件的混碳方案多次出现在我们的视野。这一技术通过巧妙的拓扑优化与芯片级混合布局
2025-08-16 07:00:002374 
以下内容发表在「SysPro电力电子技术」知识星球-关于SiC+Si多变量融合逆变器·从概念到系统方案落地的全景解析-原创文章，仅用于SysPro内部使用，非授权不得转载-本篇节选，完整内容在知识
2025-08-15 08:32:323852 本文介绍了如何SI5351基本特性原理，如何用STM32单片机驱动SI5351模块输出三路的正弦波信号
2025-08-10 15:02:154110 
以下完整内容发表在「SysPro电力电子技术」知识星球-《功率GaN芯片PCB嵌埋封装技术全维解析》三部曲系列-文字原创，素材来源：TMC现场记录、Horse、Hofer、Vitesco-本篇为节选
2025-08-07 06:53:441553 ,250Kbps 三种数据速率。高的数据速率可以在更短的时间完成同样的数据收发，因此可以具有更低的功耗。芯片输出功率可调节，根据实际应用场合配置相应适合的输出功率，节省系统的功耗。Si24R1 针对
2025-07-31 10:29:17
三种数据速率。高的数据速率可以在更短的时间完成同样的数据收发，因此可以具有更低的功耗。SI24R2E作为电子学生卡、人员定位标签、电动车安全管理的成熟应用芯片，对于这类低功耗应用场合也有特别优化，在
2025-07-31 10:07:12
操作、数据传输或智能控制。以下是基于SI24R1、CB2401和AT2401C芯片的电动滑板无线控制方案推荐及分析，结合其技术特点和应用优势。
SI24R1是一款2.4GHz ISM频段无线收发芯片
2025-07-29 17:04:45
在半导体行业中，硅基光电子技术是实现光互联、突破集成电路电互联瓶颈的关键，而在硅si衬底上外延生长高质量GaAs薄膜是硅基光源单片集成的核心。台阶仪作为重要的表征工具，在GaAs/Si异质外延研究中
2025-07-22 09:51:18537 
硼掺杂氧化硅(SiOₓ:B)层；背面：N₂O等离子体处理的n型多晶硅(poly-Si(n))；单步共退火同步形成双面结构，消除BSG清洗步骤。美能PL/EL一体机
2025-07-14 09:03:211136 
2008款宝马X53.0Si车K-CAN总线故障江苏汽车技师学院韩亚芹故障现象故障诊断故障排除一辆2008款宝马X53.0Si车，搭载N52B30BF发动机，累计行驶里程约为19万km。该车进厂养护
2025-07-11 17:35:56632 
您是否在为设备故障检测而烦恼？是否希望找到一种智能化、高效化的手段来降低运营成本、优化流程？FLIR Si系列声学成像仪正是您需要的解决方案！
2025-07-09 18:09:21840 本帖最后由 jf_54572070 于 2025-7-9 10:59 编辑
型号
LT1542SI LT1542SI-X LT1702SI
LT1543SI
2025-07-09 09:37:24
在铁路行业中，安全始终是首要任务。而铁路制动系统的稳定运行，则是保障列车安全行驶的关键。然而，制动系统中的空气泄漏问题却像是一个隐形的敌人，悄无声息地威胁着列车的安全与效率。今天，小菲就来说说FLIR Si1-LD声学成像仪，成为铁路维护人员检测并优先处理制动系统空气泄漏得力助手的五大优势！
2025-07-07 16:54:48859 TOPCon技术通过超薄SiOₓ和磷掺杂多晶硅（n⁺-poly-Si）层实现载流子选择性传输，理论效率可达28.7%。然而，poly-Si层厚度存在矛盾：过厚层（>100nm）增加寄生吸收损失，过薄层（
2025-06-27 09:02:152880 在防爆行业，安全与效率是企业运营的重中之重，FLIR Si2x系列声学成像仪，凭借其卓越的性能和广泛的应用场景，成为了众多用户的佳选，那么它为何如此受欢迎呢？
2025-06-13 11:29:15793 Si-IGBT+SiC-MOSFET并联混合驱动逆变器设计的关键要素
2025-06-06 08:25:172984 深圳市三佛科技有限公司介绍SI1321X非隔离降压恒压芯片
SI1321X系列有：SI13213L，SI13213H，SI13215L，SI13215HSI1321XSI1321X 非隔离降压恒压
2025-06-05 10:11:10
芬兰国家歌剧院和芭蕾舞团(FNOB)每年都要上演近500场演出，吸引约25万名观众，在芬兰文化领域占据着举足轻重的地位。然而，在这光鲜舞台的背后，是维护团队日复一日、默默无闻的辛勤付出。他们面对的，是一系列复杂且棘手的维护难题，FLIR Si2声学成像仪的出现，为这些难题提供了高效的解决方案。
2025-06-03 16:09:46687 粉尘爆炸是工业环境中不容忽视的重大安全隐患，尤其在ATEX 22区，其潜在威胁不容忽视。为了有效应对这一挑战，FLIR Si2x声学成像仪应运而生。它能够精确检测压缩空气泄漏与机械故障的声音信号，帮助我们及时发现并处理潜在风险点，从而有效预防粉尘爆炸事故的发生，确保工业生产的安全与稳定。
2025-05-23 14:40:22719 瑞沃微作为半导体封装行业上先进封装高新技术企业，对CSP（芯片级封装）技术在不同领域的应用有不同见解。CSP封装凭借其极致小型化、高集成度和性能优越性，在LED、SI基IC等领域展现出独特优势，但也存在一定劣势。
2025-05-16 11:26:251124 
产品，今天小菲隆重介绍一款革新性的工业声学成像仪——FLIR Si1-LD，它以卓越的性能和亲民的价格，成为工业泄漏检测领域的新选择。
2025-05-16 11:02:44863 在高速数字设计和高速通信系统中，多层PCB板被广泛采用以实现高密度、高性能的电路布局。然而，随着信号速度和密度的增加，信号完整性（SI）和电源完整性（PI）问题变得越来越突出。有效的SI/PI分析
2025-05-15 17:39:23984 ，设置电话号码，拒绝陌生来电，保护学生安全。
进而很多人可能在想，那卡片机电量这块如何保证，看起来很耗电，一般都是充满即可用1-2周时间，所以在原有跟我司合作SI24R2E做白卡/校徽的客户群体，在新的卡片机应用，我们是更加推荐用SI24R2F，这款芯片是R2E的迭代
2025-04-30 10:48:42
）；(3) 距离比其他系列芯片更长，可达 5m 左右。4.之前用的是 BLE 方案，距离不够稳定，SI3933 能符合 PKE 的产品吗？稳定性怎么样？符合。稳定性很好，经过市场检验的产品。
2025-04-30 10:04:12
提出了一种用于电机温度监测系统的无线数据收发节点模块设计方案,利用LPC1114的省电耗模式配合Si4432集成芯片实现无线收发模块的低功耗。另外,针对模块硬件实现RF前端高频电路设计和前期仿真做出
2025-04-30 00:42:02
在医疗设备领域，产品质量至关重要，容不得半点妥协或瑕疵。毕竟，生产过程中的任何污染物都可能成为决定生死的关键因素。今天小菲就来给大家说一个英国医疗器械生产商，使用FLIR Si2声学成像仪节约生产成本的真实案例！
2025-04-10 14:08:13895 李老师经过深思熟虑和精心整理，历时五日，为大家构建了一个全面而系统的学习框架，涵盖了信号完整性（SI）、电源完整性（PI）、高速接口、反射、串扰、电源分配网络（PDN）、电源噪声、高速接口、SERDES、DDR5/
2025-03-31 14:45:27721 
电路小白请大佬看一下这个Si8273隔离型栅极驱动器的电路，有一些问题，VDD2无论输入多少伏，VDDA-GND电压差一直在1.8-2.2V上不去，而芯片手册要求VDDA，VDDB——GNDA，GNDB要在4.2V-30V之间，求解求解！请多指教，谢谢！
2025-03-20 17:07:50
如果想要说明白GaN、超级SI、SiC这三种MOS器件的用途区别，首先要做的是搞清楚这三种功率器件的特性，然后再根据材料特性分析具体应用。
2025-03-14 18:05:172381 在工业检测领域，每一步革新都意味着生产效率与安全性的双重提升。今天，小菲向您隆重介绍FLIR Si2x系列声学成像仪，这款专为危险工业环境设计的防爆“新星”，以其出色的防爆性能、卓越的声学成像技术以及先进的智能数据分析功能，引领着工业检测的新潮流。
2025-03-06 15:00:111035 电子发烧友网站提供《LT1740SI P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:51:12
0 电子发烧友网站提供《LT1754SI N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:42:260 电子发烧友网站提供《LT1754SI-X N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:31:020 电子发烧友网站提供《LT1913SI N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 17:01:280 电子发烧友网站提供《LT1913SI-Y N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 16:59:180 电子发烧友网站提供《LT1913SI-Z N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-05 16:56:540 电子发烧友网站提供《LT1729SI P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 18:05:040 电子发烧友网站提供《LT1701SI-X P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:43:250 电子发烧友网站提供《LT1713SI N沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:33:160 电子发烧友网站提供《LT1725SI P沟道增强型场效应晶体管规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:32:030 电子发烧友网站提供《LT1702SI P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 16:01:251 电子发烧友网站提供《LT1701SI P沟道增强型功率MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-03-04 15:47:580 拿到一个ST的宣传材料，该资料介绍了Si/SiC混合功率器件可能是过渡到全SiC的中间方案，也找了文章了解了一下原理。资料有限，标题的问题没找到答案。有哪位大神愿意分享一下呢?
2025-03-01 14:37:152091 
、NZ3802
SI522A低功耗模式下，读卡距离可达3cm~5cm。这两颗芯片针对市场低功耗模式下极其不稳定的痛点，凭借着超低功耗、稳定的低功耗模式，及软硬件直接兼容MFRC522FM17550
2025-02-27 13:53:53
南京中科微这款SI522目前完全PinTOPin兼容的NXP：RC522、CV520复旦微：FM17520、FM17522/FM17550瑞盟：MS520、MS522国民技术:NZ3801
2025-02-27 10:22:44
特点Silicon Laboratories的Si4430/31/32器件是高度集成的单芯片无线ISM收发器。高性能EZRadioPRO®系列包括一整套发射机、接收机和收发机，允许射频系统设计者为其
2025-02-18 11:02:00
SI5324E-C-GMR是一款高性能的时钟发生器，专为满足现代通信和数据处理需求而设计。该产品由SKYWORKS制造，具备出色的频率稳定性和低相位噪声特性，适合多种高精度应用。目前可提供数量为
2025-02-14 07:24:58
SI5326B-C-GMR是一款高性能的时钟发生器，专为满足现代通信和数据处理需求而设计。该产品由SKYWORKS制造，具备卓越的频率稳定性和低相位噪声特性，适合多种高精度应用。目前可提供数量为
2025-02-14 07:24:13
SI5344B-D06540-GMR是一款高性能的时钟发生器，专为满足现代通信和数据处理需求而设计。该产品由SKYWORKS制造，具有出色的频率稳定性和低相位噪声特性，适合多种高精度应用。目前可提供
2025-02-14 07:22:19
SI5330B-B00205-GM Skyworks Inc
2025-02-10 20:59:09
如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 SI4460-B1B-FMR 产品概述 SI4460-B1B-FMR是Silicon Labs推出的一款高性能无线收发器，适用于ISM频段（
2025-02-10 20:46:58
如需了解价格货期等具体信息，欢迎在首页找到联系方式链接我。不要留言，留言会被吞，收不到留言。 SI7020-A20-IM1R 产品概述 SI
2025-02-10 20:42:32
SI8932D-IS4R 产品概述SI8932D-IS4R是一款高性能的隔离型数字信号调理器，专为工业自动化、智能电网和其他要求高可靠性的应用设计。该产品提供出色的信号隔离能力和高精度的信号处理
2025-02-08 23:14:19
SI8921BB-ISR 产品概述SI8921BB-ISR是一款高性能的隔离型信号调理器，专为工业自动化、智能电网和其他高可靠性应用设计。该产品提供了优异的信号隔离和高精度的信号处理能力，确保在各种
2025-02-08 23:12:22
超低功耗高性能 125KHz 唤醒功能 2.4GHz 无线单发射芯片 --Si24R2H
Si24R2H 是一颗工作在 2.4GHz ISM 频段发射和 125KHz 接收，专为超低功耗无线应用场
2025-01-24 10:48:52
2.4G完成即可，2.4G传输速度快，距离远，基本是瞬间完成传输，而且还能大大降低功耗。
正是因为这样的优点，我司及时推出了低成本国产解决方案--SI3933，它是一款125KHz三通道低功耗唤醒
2025-01-23 14:26:23
大电流 Si IGBT 和小电流 SiC MOSFET 两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。为了尽可能在不同工况下分别利用
2025-01-21 11:03:572635 
Si24R05B是一款高度集成的低功耗 SOC 芯片，具有低功耗、Low Pin Count、宽电压工作范围，集成了 13/14/15/16 位精度的 ADC、LVD、UART、SPI、I2C
2025-01-16 15:53:33
今天我们来聊聊Si522A这颗非接触式读卡芯片是如何在读卡芯片里实现超低功耗的功能？ 首先我们可以看到它拥有独特的ACD探卡功能，也叫超低功耗自动载波侦测功能，它可以使整机功耗低，由Si522A自动
2025-01-10 16:09:071222 
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