氮化铝单晶的湿法化学蚀刻

引言

清洗过程在半导体制造过程中，在技术上和经济上都起着重要的作用。超薄晶片表面必须实现无颗粒、无金属杂质、无有机、无水分、无天然氧化物、无表面微粗糙度、无充电、无氢。硅片表面的主要容器可分为颗粒、金属杂质和有机物三类。

许多旨在消除污染物的湿式清洁过程已经开发出基于RCA清洁。因此，RCA清洁技术带来了经济和环境问题，预计这将在不久的将来被强制考虑。为了解决这些问题，研究了先进的清洗方法，如氢化超纯水、臭氧化水和电解水。（江苏英思特半导体科技有限公司）

实验

本研究中使用的电子战产生装置如图1所示。该装置由三个腔室组成，分别是阳极、阴极和中间的腔室。电子战产生的方块流程图如图2所示。在UPW供应到每个室期间，电解质通过中间罐供应到中间室。用UPW电解或稀释的电解质如氢氧化铵、盐酸、NH&C1进行电解，电解电流为9A，电压为10.5V。（江苏英思特半导体科技有限公司）

为了比较AW和CW在稀HF（~2%）处理过的硅晶片表面上的特性，我们用SEO 300A测量了接触角。测定了电子战和电子战温度中的溶解氧（EXD）的含量，作为影响电子战稳定性的变量。最后，用Perkin Elmer 1730x的FT-IR测定EW中的二氧化碳浓度。（江苏英思特半导体科技有限公司）

图1。电解装置的原理图

图2。电解水产生的区块流程图。

结果和讨论

在本实验中，RCA和HPM分别在65°C下清洗，其中含有约9£和6I化学品，而EW在室温下清洗，只使用400m£HC1电解液或600戒NH4CI电解液。电子战中的化学物质浓度是RCA或HPM清洗过程中的1/22T/10倍。通过在清洗过程中使用电子战去除金属，预计不仅可以节省化学品，而且还可以大大减少冲洗UPW的量。图3显示了通过各种电子战去除过程得到的归一化粒子分布。

尽管电子战去除过程，粒子分布保持相同的模式。我们观察到，电子战不能充分去除0.16伽的粒子。粒径低于0.16/zm对于下一代器件的制造至关重要。因此，在今后的工作中，必须更仔细地应用电子战去除颗粒。（江苏英思特半导体科技有限公司）

图3。颗粒去除过程后的分布

结论

超纯水被电解清洗介质，用于下一代制造。得到的阴极水（CW）+1050 mV/4.7的ORP/pH和分别为阳极NHQ 750 mV/9.8，分别为NH4CI电解质水（AW）电解液。用稀释的HC1产生的电解水（EW）或能非常有效地去除硅片表面的金属杂质。

尽管有不同的去除过程，颗粒分布仍保持了相同的模式。电解后AW和CW恶化，这似乎是由于二氧化碳在电解水中过饱和，但保持其特性超过40分钟，足以进行清洗。（江苏英思特半导体科技有限公司）
审核编辑 黄宇