QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT

Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT
Qorvo QPD0011 30W/60W 48V碳化硅 (SiC) 基氮化镓 (GaN) HEMT（高电子迁移率晶体管）是一款非对称双路功率放大器晶体管，适合用于Doherty应用。QPD0011的频率范围为3.3GHz至3.6GHz，最大Doherty增益为13.3db。每条路径中均包含一个单级放大器晶体管。QPD0011采用Doherty配置，平均功率为15W。
Qorvo QPD0011碳化硅基氮化镓HEMT采用紧凑的7.0mm x 6.5mm DFN封装。

QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT特性
工作频率范围：3.3GHz至3.6GHz
工作漏极电压 (VD)：+48V
最高Doherty峰值功率：90W（3.5GHz时）
最高Doherty漏极效率：48%（3.5GHz时）
最大Doherty增益：13.3dB（3.5GHz时）
饱和时输出功率 (PSAT)：49.5dBm
静态漏极电流 (IDQ)：65mA
7.0mm x 6.5mm DFN封装
无卤、无铅，符合RoHS指令
 

QPD0011 30W/60W 48V碳化硅基氮化镓HEMT应用
WCDMA和LTE
微蜂窝基站
微蜂窝基站
小型蜂窝
有源天线
5G大规模MIMO
非对称Doherty应用