浅谈应用于智能汽车中的存储芯片

从人工驾驶到辅助驾驶再到全自动驾驶，社会正在将人为操纵的一切转向电子控制。尤其是近两年，L3甚至以上的汽车越来越多，自动驾驶和现实的距离就差“一小步”。

简单解释一下什么是L0、L1、L2、L3、L4、L5级别：针对自动驾驶的等级划分，目前主要有两个标准，一是美国交通部下属的NHSTA（国家高速路安全管理局）制定的，另外则是SAE International（国际汽车工程师协会）所制定的。通常来说，大家还是使用SAE进行区分。

纵观整个市场，现在的汽车究竟搭载了多少复杂的功能？自动泊车、碰撞警告、主动刹车、ACC自适应巡航、VSA车联网检查、ISA电子警察系统、TMC实时交通系统、360环视、并线辅助、LDWS车道偏移警告系统、HMW车距检测及警告、FCWS前车防撞预警系统、PED行人检测、车道保持系统……

对于智能汽车最为重要的是什么？是毫无延迟的快速反应，是毫厘之间的秒开体验，是无缝对接的交互。数据量膨胀之下，除了算力，数据本身所在的存储载体是影响这些的首要因素。

问题来了，你知道怎么选择内存吗？下面存储芯片供应商英尚国际有限公司为大家介绍一下一些用于汽车应用中的存储芯片。

MRAM

MRAM涉及汽车应用。对于碰撞记录器，MRAM可以在事故发生时收集和存储更多数据，并帮助确定车辆事故或故障的原因。

使用传感器的汽车应用可以受益于MRAM。由于传感器连续地写入数据，因此闪存难以保持这种数据流。新的安全气囊系统还具有传感器，用于检测和记录乘客的体重，与车辆上其他安全装置的相互作用以及碰撞的影响。

其他汽车系统，例如里程表，轮胎气压记录仪和ABS，需要频繁地对内存进行写操作，而这些写操作很容易超过闪存的写擦除功能，并且会耗尽其内存。MRAM具有无限的写循环能力，可确保为安全气囊和ABS等关键任务设备提供更可靠的系统。

FRAM

VCU系统需要以每秒一次的速度记录汽车行驶的当前状态以及出现故障时的变速器挡位、加速情况、刹车和输出扭矩等信息，采用FRAM技术可以通过较简单的软件进行存储和读取，同时保证了高速可靠。例如富士通汽车标准产品MB85RS2MLY，其读写次数可达10兆次，范围为-40°C至+125°C，非常适合于需要实时数据记录的应用（例如，连续10年每天记录0.1秒的数据，则写入次数将超过30亿次），具有极高的数据写入稳定性和可靠性。

对于BMS（电池管理系统）这一新能源汽车的另一大核心技术来说，这些特性同样重要。电池管理系统需要实时记录和存储数据，其系统将以每秒或每0.1秒的频率实时和连续地记录电池的重要数据（故障信息、健康状况SOH和电量计量SOC等），同时监测电池的短期（最后几个充电周期为60次/秒）和长期（电池的整个寿命）性能。举例来说一般情况下电池组的电量保持在30%~75%表示运行正常，如果有不平衡的情况需要从其他电池组补充，此时系统需要检测记录电池组的电量、温度、电压、电流等数据，并且一次监测记录的时间不宜过长。

责任编辑：tzh