STM32G031k8t6串口发送进入硬件中断
2024-03-13 07:59:54
硬件使用STM32G030C8T6的PA6的AF5功能，即TIM16_CH1驱动一个无源蜂鸣器，输出一个2.7K-2.9K的方波，占空比为50%，始终没有成功，查阅datasheet发现PA6也可以
2024-03-12 08:27:58
烧录时有什么特别注意事项吗？
3）另外STM32G030K8T6TR的GPIO口内部是否有带上拉到VDD的保护二极管？GPIO口可承受的最大电压是多少？
2024-03-12 06:32:39
使用的是STM32MP135DA芯片，搭载4GbMT41K256M16TW-107 IT:P，开发板，
请问
1、是否可以直接烧录DDR_init工程。
2、要使得程序在DDR中运行，是先烧录DDR_Init 程序，然后再烧录应用程序就可以了嘛
2024-03-11 07:44:21
综合测试仪，支持5G NR SA，配合MT8821C后还支持5G NR NSA。 1. 支持各种测试要求 MT8000A 通过一体化硬件切换应用支持非
2024-03-07 10:05:28
->CCR3的值TIM1CH3和TIM1CH3N也就是MT4和MT5通道会同时输出。我想请问MT4和MT5怎么配置才能各自独立输出呢，芯片用的是STM32F103R8T6.
2024-03-07 06:43:11
有没有大神可以接CS32G020K8U6+SC8815 储能 应用开发
2024-01-29 17:55:40
Cotext-A53双核CPU，1.3GHZ主频
2、WIFI芯片：MT7976CN 802.11AX协议 无线速率3000M
3、内存：1GB高速DDR （可选配EMMC）
4、闪存：128MB SPI NAND
2024-01-13 10:28:20
MT6785安卓核心板采用了MT6785(Helio G95)处理器，该处理器包括了8个核心，其中有2个主频为2.05GHz的Cortex A76处理器和6个主频为2.0GHz的Cortex
2024-01-09 19:16:51
特征
宽工作电压范围： 3.0V至28V
最大输出汇电流50 mA
开放集电器预驱动器
电源反向极性保护
可用在SIP-3L包
一般说明
FS41是一个集成的霍尔效应锁存传感器，设计用于无刷直流电机
2023-12-20 16:20:31
型号：TK8S06K3L-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数说明：- 极性：N沟道- 额定电压：60V- 最大连续漏极电流：18A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：73m
2023-12-15 10:34:42
香蕉派BPI-R3 Mini路由器板开发板采用联发科MT7986A(Filogic 830)四核ARM A53芯片设计，板载2G DDR 内存，8G eMMC和128MB SPI NAND存储
2023-11-30 16:06:19
香蕉派BPI-R4路由器板采用联发科MT7988A (Filogic 880)四核ARM Corex-A73方案设计，板载4GB DDR4内存,8GB eMMC存储,128MB SPI-NAND闪存
2023-11-30 16:01:52
，1.3GHZ主频
2、WIFI芯片：MT7976CN802.11AX协议 无线速率3000M
3、内存：1GB高速DDR
4、闪存：128MB SPI NAND FLSAH
二、硬件接口规格
1、DC供电
2023-11-30 15:27:34
MT7981B 主芯片，主频高达 1.3GHZ； 配备独立的 MT7976CN WIFI6 芯片、2.5G网口RTL8221B芯片
高速 1GB DDR4，256MB SPI Nand Flash；
1
2023-11-23 15:38:45
STM8L151G6能跑RTOS么？
2023-11-09 06:47:25
STM8S903F3M6，ST/意法，16 MHz STM8S 8位MCUSTM8S903F3M6，ST/意法，16 MHz STM8S 8位MCUSTM8S903F3M6，描述STM8S903K3
2023-10-17 16:52:24
IAR的8K限制、32K限制都是说的什么意思？
2023-10-16 16:32:19
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，动态随机存取存储器 16Gb低VDDQ移动低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一种高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
本文档描述了的功能、引脚、机械数据和订购信息中密度STM8L15x器件（STM8L151Cx/Kx/Gx、STM8L152Cx/Kx具有16K字节或32K字节闪存密度的微控制器）。这些设备在
2023-10-10 08:30:46
本文档描述了的功能、引脚、机械数据和订购信息中密度STM8L15x器件（STM8L151Cx/Kx/Gx、STM8L152Cx/Kx具有16K字节或32K字节闪存密度的微控制器）。这些设备在
2023-10-10 08:25:55
STM8S103x访问线8位微控制器提供8k字节闪存程序存储器，加上集成的真数据EEPROM。STM8S微控制器系列参考手册（RM0016）将该家族中的设备称为低密度设备。它们提供以下好处：
•降低
2023-10-10 08:19:04
Ymodem-1K和Ymodem-g两个协议有什么不同的地方
2023-10-09 07:06:14
。
关键特性
全志H618，四核ARM Cortex™-A53处理器
ARM Mali G31图形处理器
WIFI & 蓝牙
2G LPDDR4 RAM
8G eMMC闪存
1
2023-10-08 15:25:13
高性能FPGA核心板，具有高数据带宽、高存储容量的特点，适用于视频图像处理、高速数据采集、工业控制等多元应用场景。
盘古50Pro核心板挂载2片MICRON公司MT41K256M16TW-107:P
2023-09-22 14:35:21
，适用于高速数据通信、处理、采集等方面的应用。
核心板挂载2 片MICRON公司的MT41K256M16TW-107:P DDR3芯片，每片DDR容量为4Gbit；2片DDR芯片组合成32bit的数据
2023-09-21 15:42:41
stc8g1k08的ispusb下载口可以在程序中使用吗
2023-09-21 07:26:10
stc8g1k08的硬件i2c可以从机模式吗
2023-09-20 06:38:16
安卓主板MT6771/MT8788/MT8183/MT8385_联发科安卓主板开发方案。该处理器采用了Cortex-A53架构设计，并采用了12nm低功耗高性能工艺制程，主频高达2.0GHz，搭配
2023-09-19 19:31:48
905 
以MT41J128M型号为举例：128Mbit=16Mbit*8banks 该DDR是个8bit的DDR3，每个bank的大小为16Mbit，一共有8个bank。
2023-09-15 15:30:09629 
8K@60fps H.265/VP9视频解码和8K@30fps H.265/H.264视频编码，支持同编同解，最 高可实现32路1080P@30fps解码 和16路1080P@30fps编码；强大的视频编解码能力可让画面8K高清呈现，画质更细腻.
2023-09-11 20:25:54
香蕉派BPI-R3开源路由器开发板采用联发科MT7986 (Filogic 830)四核 ARMA53 + MT7531A芯片设计,板载2G DDR内存与8G eMMC存储,这是一个非常高性能
2023-09-05 08:53:56730 
求一份 cs32g020k8u6的Demo Code邮箱zx988001@163.com万分感谢
2023-08-25 17:53:28
使用的是DDR200T，它板载了512M DDR3L的内存，跑的的一个UX600的demosoc.
修改gcc_demooc_ddr.ld，让LENGTH长度之和超过256M，比方这里是257M
2023-08-11 08:12:14
Memory
up to 4 GBDDR4 / DDR3 / DDR3L / LPDDR3 / LPDDR4
GPU
Mali-G31 MP2
Connectivity
Video
HDMI2.0a
2023-08-04 19:01:45
8V41N004I 数据表
2023-07-14 11:24:51
0 : PGL22G-MBG324），挂载16bit数据位宽的DDR3(总容量高达512Mbit)，系统存储带宽高达800Mb/s，充分满足高速数据缓存处理需求；外围接口丰富，不仅适用于教学，还可以用于项目开发，一板多用，满足多方位开发需求～～
2023-06-28 10:46:17
的1，2，4，8，16分别是4K，8K，16K，32K，64K的FLASH；
C，D，E分别是48K，64K，128K的FLASH；
SRAM大小
对于M05X和MINI5X系列的分别是4K和2K
2023-06-27 06:20:43
1.DDR3 IP简单读写测试实验例程
1.1** 实验目的**
MES22GP 开发板上有一片 Micron 的 DDR3（MT41K256M16 TW107：P）内存组件，拥有 16bit 位宽
2023-06-25 17:10:00
16bit数据位宽的DDR3(总容量高达512Mbit)，系统存储带宽高达800Mb/s，充分满足高速数据缓存处理需求；外围接口丰富。
2023-06-12 17:38:43
2022.04-00005-g8812d8f3da-dirty (May 09 2023 - 15:16:40 +0200)
DDRINFO: start DRAM init
DDRINFO: DRAM rate 3200 MTS
DRAM
2023-06-08 06:02:15
正在 使用 Murata Type 1ZM 模块 (Nxp 88w8987)， 通常 情况下， 它能很好地发挥作用 。但是，在打开电源时，BT 的 MAC 地址更改为 41:41:41:41:41
2023-06-07 08:52:59
我正在尝试为 S32G 配置 Micron MT25QU512 外部闪存，但找不到任何合适的示例。有人可以帮我处理任何用于 Micron 配置的 Tresos 示例吗？
2023-06-05 06:43:15
如题降低lpddr4时钟频率为800M，使用lpddr4型号为MT53E1536M32D4DT-046
应用MX8M_Plus_LPDDR4_RPA_v8.xlsx配置lpddr4如下
应用工
2023-06-02 07:26:51
/INT16混合运算，可实现基于TensorFlow / MXNet / PyTorch / Caffe等一系列框架的网络模型轻松转换。8K视频编解码，图像更清晰支持8K@60FPS的H.265
2023-05-25 20:36:28
S32G3开发板上使用的ddr芯片是micro MT53E1G32D2FW-046 AUT: B
但是我们的开发板使用的是三星的芯片（K4FBE3D4HM THCL）。
如何查看 S32G3 支持的 DDR 芯片？。以及如何支持新的DDR芯片？
2023-05-23 07:15:48
Marki Microwave 的 MT3H-0113L 是一款射频混频器，射频频率为 1.5 至 13 GHz，本振频率为 1.5 至 13 GHz，中频频率为
2023-05-22 17:33:01
我们有一个带有 S32G2 和 MT35XU512ABA1G12-0SIT（微米八进制 SPI 闪存）的定制板连接到端口 A。
我们正在尝试从此内存启动。
我们遵循了这个应用笔
2023-05-22 09:35:01
MES50HP 开发板简介
MES50HP 开发板集成两颗 4Gbit（512MB）DDR3 芯片,型号为 MT41K256M16。DDR3 的总线宽度共为 32bit。DDR3 SDRAM 的最高
2023-05-19 14:28:45
在本文中，我将解释如何设置 iMX8M Plus 以使用 4K Dart BCON Basler 相机模块。
要求：
i.MX 8M Plus 应用处理器评估套件。
用于 i.MX 8M
2023-05-19 06:54:53
我对从 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 闪存感到头疼。
该板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
): 512 bytes / 512 bytes
I/O size (minimum/optimal): 512 bytes / 512 bytes
Disk /dev/mtdblock3: 16
2023-05-17 10:17:36
我正在使用 S32G274A 板（不是 NXP 产品之一，它是由第三方制造的），它安装了 Micron
MT35XU512ABA 八进制串行 NOR 闪存。对于 M7_0，我必须调整 RTD
2023-05-16 06:04:49
8V41N010 数据表
2023-05-15 18:52:400 描述 MT2496是一个完全集成的，高效的3A同步整流降压变频器。MT2496在一个较宽的输出电流负载范围内高效工作。该设备提供了两种操作模式，PWM控制和PFM模式切换控制
2023-05-09 13:50:01
和阻焊层扩展。或者至少是用于 IMX93 评估套件的东西。
4) 我们还联系了 Micron 以获得 MT53E1G16D1FW-046 AAT:A 的传播延迟值。如果你有这些可用的，它也会有所帮助。
5）关于EVK的另一个问题。数据线似乎没有调好。例如 DRAM_DATA14_A。它是否正确？
2023-05-09 10:36:32
我们使用 mx6ul 14x14_evk 板和 DDR3L。
通过在 u-boot 中设置 mx6ul_14x14_evk_defconfig，DDR3L 时钟运行在 400MHZ。
我们想将
2023-05-08 08:44:36
我有一块使用基于 i.MX8QM MEK 板的 i.MX8QM 的板。我使用了 2 x MT53D512M32D2（总计 4GB DDR 内存）并且它可以正常工作。
现在我想把内存加倍到 8GB。我
2023-05-04 06:39:14
我们目前正在使用 LPDDR4 设计一个新的基于 iMX8M Plus 的定制板：Micron MT53D512M32D2，它有两个版本：MT53D512M
2023-04-28 07:42:53
1000LA（LoongArch64 架构兼容）
CPU 核心数
双核
CPU 主频
800-1000MHz
内存容量
1GB DDR3（2片512MB）
存储容量
32GB SSD(M.2 2242)
接口
2023-04-27 08:59:02
核 Cortex-A55
GPU:ARM Mali-G610 MP4,
NPU AI边缘计算 : 6Tops@INT8
板载8G LPDDR4 内存 和 32G eMMC 存储
2 10/100
2023-04-26 14:09:47
您好，我有一块使用 i.MX 8M Nano UltraLite Quad (MIMX8MN5DVPIZAA) 和 16Gbit LPDDR4 (Micron MT53E1G16D1
2023-04-26 07:40:25
我有 LS1046AFRWY 板的克隆。高速公路板使用 MT40A512M16JY-083E:B（商业级DDR4）。我的克隆使用 MT40A512M16JY-083E IT:B（工业级 DDR
2023-04-24 08:08:20
512k*8的RAM芯片需要多少条地址线进行寻址？需要多少条数据线？具体过程是怎样的？
2023-04-19 16:32:31
我们目前使用的 LPDDR4 即将停产。我们目前使用 MT53E256M32 D2 DS- 053 WT:B，最接近的替代品是 MT53E256M32 D1 KS- 046 WT:L。主要的两个区别
2023-04-19 06:56:55
硬件平台：imx8mplus（8G SDRAM：MT53E2G32D4DT-046 WT:A） 我的板上有一个 8G SDRAM (MT53E2G32D4DT-046 WT:A)。请参考附件
2023-04-14 06:18:29
ls1046a ddr 内存 8G 升级到 16G 硬件和软件需要哪些改动 ..?
2023-04-10 06:21:57
我们使用 10*MT40A1G16 获得 16GB 内存，一个 ddr 控制器连接 8GB。三个问题：1)在codewarrior ddr config上，我们应该选择什么dram类型？NoDimm
2023-04-03 07:24:21
了什么。谢谢。 13:41:16 **** 项目 HVBMS-RD_Bring-up_example_S32DS 配置 Debug_FLASH 的增量构建 **** make -j8 all构建
2023-03-31 06:53:35
8V41S104I 数据表
2023-03-29 19:57:220 MT41K256M16TW-107:P TR
2023-03-29 17:14:58
我想在我的 Yocto 图像中包含 k3s。我按如下方式编辑了 local.conf，但出现了构建错误。该日志已附上。MACHINE ??= 'imx8mp-lpddr4-evk' DISTRO
2023-03-27 06:18:22
亲爱的团队，我们使用 iMX8M+ 和 8GB LDDR4 RAM-MT53E2G32D4NQ-046 WT:A 开发了定制板。我们使用内核 (5.10.35) 和 BSP 成功启动了电路板。现在
2023-03-24 06:54:09
我正在开发带有 i.MX8 QXP MCU 的新板，将使用带 ECC 的 DDR3L。在文档 i.MX8 QM / i.MX8 QXP 硬件开发人员指南中，有一些针对 fly-by 拓扑中的 16
2023-03-23 09:08:52
电子发烧友App
工商网监
湘ICP备 2023018690 号
评论