概述 AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO
2024-03-22 10:54:38
68 
ZLINX IO 2AI 2AO
2024-03-14 20:47:22
ZLINX IO, 4AO, SOURCING
2024-03-14 20:47:22
产品名称：AO4852-VB丝印：VBA3638品牌：VBsemi参数：- 2个N—Channel沟道- 额定电压：60V- 最大电流：6A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：27mΩ（在
2024-03-13 17:33:29
**VBsemi AO4801A-VB 产品详细参数说明：**- **产品型号：** AO4801A-VB- **丝印标识：** VBA4338- **品牌：** VBsemi- **参数
2024-03-13 17:23:24
**VBsemi AO3404A-VB 详细参数说明和应用简介****参数说明:**- **封装类型:** SOT23- **沟道类型:** N—Channel- **最大漏电流:** 6.5A
2024-03-12 17:50:04
**AO3403-VB 详细参数说明和应用简介：****参数说明：**- **品牌：** VBsemi- **型号：** AO3403-VB- **丝印：** VB2355- **封装
2024-03-12 17:47:54
AO3402A-VB 详细参数说明：- 丝印：VB1330- 品牌：VBsemi- 封装：SOT23- 沟道类型：N—Channel- 额定电压：30V- 最大电流：6.5A- 导通电阻：RDS
2024-03-12 17:41:12
概述AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO
2024-03-11 17:06:42
0 **AO4606A-VB****丝印：** VBA5325 **品牌：** VBsemi **参数：** SOP8；N+P—Channel沟道, ±30V；9A / -6A
2024-02-19 16:11:18
：-4.8A- 导通电阻：RDS(ON) = 49mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压：Vth = -1~-3V**应用简介：**AO6403-
2024-02-19 11:24:31
型号: AO4840-VB丝印: VBA3638品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N—Channel (2个)- 额定电压: 60V- 额定电流: 6A- 导通电阻 (RDS
2024-02-03 10:51:08
型号: AO3409-VB丝印: VB2355品牌: VBsemi参数: SOT23；P—Channel沟道, -30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth
2024-01-02 15:25:06
型号：AO3434A-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：- 封装：SOT23- 沟道类型：N—Channel沟道- 额定电压：30V- 最大电流：6.5A- 开态电阻（RDS
2024-01-02 10:44:45
电子发烧友网站提供《一个无铅封装/电压低压/集成电路AO3413数据手册.pdf》资料免费下载
2023-12-26 10:13:050 型号：AO3400-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi参数：- 封装：SOT23- 沟道类型：N—Channel- 额定电压：30V- 最大电流：6.5A- 开态电阻：RDS(ON)=30m
2023-12-25 10:54:24
型号：AO3415A-VB 丝印：VB2290 品牌：VBsemi **参数：** - 封装：SOT23 - 沟道类型：P—Channel
2023-12-25 10:45:44
型号：AO3401-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- 封装类型：SOT23- 沟道类型：P—Channel- 最大漏电压（Vds）：-30V- 最大漏极电流（Id）：-5.6A
2023-12-25 10:27:23
型号：AO4423-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-30V- 额定电流：-11A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ @ 10V, 15m
2023-12-20 16:14:40
型号：AO4413-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi参数：- P沟道 MOSFET- 额定电压：-30V- 最大持续电流：-11A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：11mΩ @ 10V
2023-12-20 14:54:56
型号：AO4443-VB丝印：VBA2412品牌：VBsemi参数：- P沟道 MOSFET- 额定电压：-40V- 最大持续电流：-11A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：13mΩ @ 10V
2023-12-20 11:16:05
型号：AO7401-VB丝印：VBK2298品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-20V- 额定电流：-3A- 开通电阻（RDS(ON)）：98mΩ @ 4.5V
2023-12-19 11:25:14
根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 AO6402A-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** AO6402A-VB**丝印：** VB7322**品牌：** VBsemi**参数
2023-12-19 10:34:52
型号：AO8808A-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数说明：- **双N沟道：** 该器件包含两个N沟道MOSFET，电流在N沟道中流动，适用于不同类型的应用，如电源开关等
2023-12-18 11:56:32
型号：AO8810-VB丝印：VBC6N2014品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：2个N沟道- 额定电压：20V- 最大连续电流：7.6A- 静态开启电阻（RDS(ON)）：13m
2023-12-15 10:39:25
型号：AO6602-VB丝印：VB5222品牌：VBsemi参数：- N+P沟道- 额定电压：±20V- 最大电流：7A（正向） / 4.5A（反向）- 开态电阻 (RDS(ON))：20m
2023-12-15 09:16:25
型号：AO4437-VB丝印：VBA2216品牌：VBsemi参数说明：- 极性：P沟道- 额定电压：-20V- 最大连续漏极电流：-8A- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：16m
2023-12-14 16:30:51
型号：AO4480-VB丝印：VBA1410品牌：VBsemi参数：- N沟道- 额定电压：40V- 最大电流：10A- 开态电阻 (RDS(ON))：14mΩ @ 10V, 16mΩ @ 4.5V
2023-12-14 14:48:13
型号: AO3400A-VB丝印: VB1330品牌: VBsemi参数:- 沟道类型: N沟道- 额定电压: 30V- 最大电流: 6.5A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 30m
2023-12-14 14:30:44
型号：AO3460-VB丝印：VB162K品牌：VBsemi参数：- 类型：N沟道- 额定电压（Vds）：60V- 最大持续电流（Id）：0.3A- 导通电阻（RDS(ON)）：2800m
2023-12-14 11:21:46
型号：AO4447A-VB丝印：VBA2309品牌：VBsemi**参数说明：**- 极性：P沟道- 额定电压（Vds）：-30V- 额定电流（Id）：-11A- 静态导通电阻（RDS
2023-12-14 11:04:03
型号：AO4724-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 最大耐压：30V- 最大持续电流：12A- 开通电阻（RDS(ON)）：12mΩ @ 10Vgs、15m
2023-12-14 09:27:08
型号：AO4441-VB丝印：VBA2658品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：P沟道- 最大耐压：-60V- 最大持续电流：-6A- 开通电阻（RDS(ON)）：50mΩ @ 10Vgs、61m
2023-12-13 17:57:43
型号：AO4438-VB丝印：VBA1630品牌：VBsemi参数：- 类型：N沟道- 最大耐压：60V- 最大电流：7.6A- 静态开启电阻 (RDS(ON))：27mΩ @ 10V, 32m
2023-12-13 17:23:22
型号: AO4447-VB丝印: VBA2309品牌: VBsemi详细参数说明:- 沟道类型: P沟道- 额定电压: -30V- 最大电流: -11A- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 11m
2023-12-13 17:13:37
型号：AO7800-VB丝印：VBK3215N品牌：VBsemi参数：- 类型：2个N沟道- 最大耐压：20V- 最大电流：2A- 静态开启电阻 (RDS(ON))：150mΩ @ 4.5V
2023-12-13 16:57:28
型号：AO4812-VB丝印：VBA3328品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：2个N沟道- 最大耐压：30V- 最大持续电流：6.8A（在20Vgs时）- 最大脉冲电流：6.0A（在20Vgs
2023-12-13 15:42:27
型号： AO4401-VB丝印： VBA2333品牌： VBsemi详细参数说明：- P沟道- 最大工作电压：-30V- 最大工作电流：-6A- RDS(ON)：40mΩ @ 10V, 54m
2023-12-13 15:21:56
型号： AO3442-VB丝印： VB1102M品牌： VBsemi详细参数说明：- 管脚类型： N沟道- 额定电压： 100V- 额定电流： 2A- 开态电阻： 246mΩ @ 10V, 260m
2023-12-13 14:53:45
AO4805 (VBA4317)参数说明：2个P沟道，-30V，-8.5A，导通电阻21mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围12V(±V)，阈值电压-1.8V，封装：SOP8。应用简介
2023-12-06 11:59:47
AO3407 (VB2355)参数说明：P沟道，-30V，-5.6A，导通电阻47mΩ@10V，56mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-06 11:52:49
AO3415A是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m
2023-11-23 12:00:38
VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电
2023-11-23 11:58:58
VBsemi推出了MOSFET型号AO3400，丝印型号为VB1330。这款N沟道MOSFET设计用于多种电路应用。它具有强大的特点，包括30V的耐压和6.5A的电流承载能力。在10V下的RDS
2023-11-23 11:57:19
型号 AO4406A-VB 丝印 VBA1311 品牌 VBsemi 参数 N沟道，30V，12A，RDS(ON)为
2023-11-16 13:39:36
型号 AO3414 丝印 VB1240 品牌 VBsemi 参数 沟道类型 N沟道 额定电压 20V 额定电流 6A 导通电阻 24m
2023-11-06 11:53:28
型号 AO4420丝印 VBA1311品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 30V 额定电流 12A RDS(ON) 12mΩ @ 10V，15mΩ @ 4.5V 门源电压
2023-11-03 14:14:14
型号 AO7407丝印 VBK2298品牌 VBsemi参数 频道类型 P沟道 额定电压 20V 额定电流 3A RDS(ON) 98mΩ @ 4.5V，117.6mΩ @ 2.5V
2023-11-03 11:45:53
AO4409详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 11A 导通电阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 门源
2023-11-03 11:37:23
型号 AO4430丝印 VBA1303品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 18A 导通电阻 5mΩ @10V, 6.5mΩ @4.5V
2023-11-03 11:26:46
型号 AO3416丝印 VB1330品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 6.5A 导通电阻 30mΩ @10V, 33mΩ @4.5V
2023-11-01 14:27:18
型号 AO4425丝印 VBA2311品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 11A 导通电阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型号 AO4882丝印 VBA3410品牌 VBsemi详细参数说明 类型 2个N沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 12A 导通电阻 15mΩ @10V, 20m
2023-10-31 15:35:39
型号 AO4611丝印 VBA5638品牌 VBsemi参数 频道类型 N+P沟道 额定电压 ±60V 额定电流 6.5A / 5A RDS(ON) 28mΩ / 51mΩ @ 10V
2023-10-31 10:43:17
型号 AO4407A丝印 VBA2317品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 7A 导通电阻 23mΩ @10V, 29mΩ @4.5V
2023-10-30 15:56:14
AO6604详细参数说明 极性 N+P沟道 额定电压 ±20V 额定电流 7A / 4.5A 导通电阻 20mΩ / 70mΩ @ 4.5V, 29mΩ / 106mΩ @ 2.5V
2023-10-28 11:38:06
型号 AO6400丝印 VB7322品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 6A 导通电阻 30mΩ @10V, 40mΩ @4.5V 门源
2023-10-28 11:17:26
AO3401A详细参数说明 极性 P沟道 额定电压 30V 额定电流 5.6A 导通电阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-10-28 11:08:48
VBsemi推出丝印型号为VB2355的MOSFET型号AO3401。这款P沟道MOSFET适用于各种电路应用。其主要特点包括高达-30V的高压容忍度和-5.6A的电流处理能力，10V时的低导通电
2023-10-26 16:21:10
AON6884，规格书， 设计方案，使用方法，AOS/万代，40V双N沟道MOSFET 一般说明,AON6884采用先进的沟槽技术以低栅极电荷提供优异的RDS（ON）。这是一个适用于大范围
2023-10-24 15:03:33
电子发烧友网站提供《基于单片机CAN总线AO智能节点设计.ppt》资料免费下载
2023-10-20 10:02:070 AO4407MOS规格书
2023-10-18 09:04:024 供应AP3400A 30v耐压n沟道mos管兼容万代AO3400-3400 mos管，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP3400A规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
2023-09-25 11:30:52
电子发烧友网站提供《【STM32智能小车套件试用体验】ZYSTM32-AO LED闪烁.zip》资料免费下载
2023-09-15 16:18:120 USBCodec芯片通过USB接口从计算机中获取数字音频信号，并将其进行AO3401A采样处理。采样率通常为44.1kHz或48kHz，这是CD音质的标准采样率。
2023-09-07 09:33:46381 MOSFETs P-沟道 Vds=30V Id=4.2A Pd=1W 100mΩ@2.5V SOT23
2023-06-01 11:06:05
MOSFETs N-沟道 30V 5.2A 52mΩ@2.5V SOT23
2023-06-01 11:05:50
重新确认！★经营品牌： AOS（美国万代），INVENSENSE（应美盛），ADS（韩国触摸），JOULWATT（杰华特），DI
2023-04-21 17:25:12
重新确认！★经营品牌： AOS（美国万代），INVENSENSE（应美盛），ADS（韩国触摸），JOULWATT（杰华特），DI
2023-04-21 17:19:50
重新确认！★经营品牌： AOS（美国万代），INVENSENSE（应美盛），ADS（韩国触摸），JOULWATT（杰华特），DI
2023-04-21 17:08:31
确认！★经营品牌： AOS（美国万代），INVENSENSE（应美盛），ADS（韩国触摸），JOULWATT（杰华特），DIO
2023-04-20 16:12:46
确认！★经营品牌： AOS（美国万代），INVENSENSE（应美盛），ADS（韩国触摸），JOULWATT（杰华特），DIOD
2023-04-20 15:58:31
四线式光敏电阻传感器模块的DO和AO引脚各有什么功能？
2023-04-17 11:45:43
四线式光敏电阻传感器模块的DO和AO引脚各有什么功能呢？
2023-03-30 14:00:31
AO3401
2023-03-29 22:45:19
AO4403-MS
2023-03-29 22:44:21
AO3413A
2023-03-29 21:55:18
AO3423A
2023-03-29 21:53:44
AO3423A
2023-03-29 21:53:44
AO4407
2023-03-29 21:51:58
AOS3729A-T42-NXC
2023-03-29 21:51:53
AO3400C
2023-03-29 21:42:33
AO3422A
2023-03-29 21:36:28
AO3401-SOT23
2023-03-29 17:55:26
AO3415AL
2023-03-29 17:41:31
AO4840E
2023-03-29 17:28:27
P沟道增强MOSFET VDS=30V ID=4.2V PD=1.4W
2023-03-29 17:18:04
AO3400-SOT23
2023-03-29 16:29:06
AO3415-SOT23
2023-03-28 18:09:55
AO6601
2023-03-28 18:08:23
AO3403A
2023-03-28 14:58:30
AO3485C
2023-03-28 14:56:19
N沟道增强型MOSFET SOT23 1.4W
2023-03-28 14:32:51
N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：1.4W
2023-03-28 13:03:24
确认！★经营品牌： AOS（美国万代），INVENSENSE（应美盛），ADS（韩国触摸），JOULWATT（杰华特），DIOD
2023-03-27 16:13:24
品牌： AOS（美国万代），INVENSENSE（应美盛），ADS（韩国触摸），JOULWATT（杰华特），DIODES（美台
2023-03-27 15:17:38
MOSFET P通道SOT-23 VDS=30V ID=4.2V PD=1.4W
2023-03-27 11:54:54
N通道增强模式
2023-03-24 14:45:48
MOSFETs SOT23 SMT 30V 4.2A
2023-03-24 14:45:48
Vds=30V Id=5.4A SOT-23-3
2023-03-23 10:20:00
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