总体描述
AO4485 采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS (ON)），且栅极电荷低。该器件适用于直流 - 直流转换器应用。
产品概述
- 漏源电压（VDS）：-40V
- 漏极电流（ID）：-10A （栅源电压 VGS = -10V 时）
- 导通电阻 RDS (ON) ＜ 15mΩ （栅源电压 VGS = -10V 时）
- 导通电阻 RDS (ON) ＜ 20mΩ （栅源电压 VGS = 4.5V 时）
绝对最大额定值（除非另有说明，测试温度\(T_{A}\) = 25°C ）
| 参数 | 符号 | 10 秒 | 稳态 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源电压 | \(V_{DSS}\) | -40 | - | V（伏特） |
| 栅源电压 \(T_{A}\) = 25°C | \(V_{GSS}\) | ±20 | - | V（伏特） |
| 连续漏极电流 \(T_{A}\) = 25°C \(T_{A}\) = 70°C | \(I_{D}\) | -12 -9 | -10 - | A（安培） |
| 脉冲漏极电流 | \(I_{DM}\) | -120 | - | A（安培） |
| 雪崩击穿电流 | \(I_{AR}\) | -28 | - | A（安培） |
| 重复雪崩能量 \(L = 0.3mH\) | \(E_{AR}\) | 118 | - | mJ（毫焦） |
| 功耗 \(T_{A}\) = 25°C \(T_{A}\) = 70°C | \(P_{D}\) | 3.1 2.0 | 1.7 1.1 | W（瓦特） |
| 结温与存储温度范围 | \(T_{J}\), \(T_{STG}\) | -55 至 150 | - | °C（摄氏度） |
热特性
| 参数 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 最大结到环境热阻 \(t ≤ 10s\) 稳态 | \(R_{θJA}\) | 31 59 | 40 75 | °C/W（摄氏度每瓦特） |
| 最大结到引脚热阻 | \(R_{θJL}\) | 16 | 24 | °C/W（摄氏度每瓦特） |
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