电源/新能源
安森美半导体推出创新的超高密度离线电源方案
在传统的PFC电路中，整流桥二极管在240 W电源中的损耗约4 W，占总损耗的20%左右。
ROHM推出内置1700V SiC MOSFET的小型表贴封...
ROHM针对这些挑战，于2019年开始开发内置高耐压、低损耗SiC MOSFET的插装型AC/DC转换器IC，并一直致力于开发出能够更大程度地发挥SiC功率半导体性能的IC，在行业中处于先进地位。
大联大世平集团推出基于ON Semiconductor产品的...
GaN驱动器对性能至关重要，驱动器使驱动电压保持在电压最大限值内并不是唯一的要求。
2021-06-16 标签：氮化镓工业电源ON Semiconductor大联大世平GaN器件 1921
Maxim Integrated发布业界最小尺寸、最高精度的...
自动化系统设计师不断寻求节省电路板空间、提高通道密度，并且能够改进电压和电流输入监测精度的途径，从而使操作人员能够更精细地监测系统，缩短系统停工时间。
科锐携手高斯宝，为服务器电源市场带来SiC解决方案
得益于云、AI 人工智能、分布式存储、5G等行业的快速发展，对于服务器电源和算力电源的需求大幅增长。
英飞凌EiceDRIVER™ X3 Enhanced和X3 ...
应用广泛的EiceDRIVER X3 Compact系列拥有5.5、10和14 A的驱动电流等规格，及90 ns的优化传输时延。
Maxim Integrated发布 Continua调节器...
MAX38889具有94%峰值效率，比最接近的竞争方案高9%，使其能够支持较长的备份时间。此外，IC以三分之一的尺寸更容易集成到空间受限的设计中。
英飞凌推出EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET...
Easy模块F3L11MR12W2M1_B74专为在整个功率因数（cos φ）范围内工作而设计，它采用最先进的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技术，并具备更高的二极管额定值。
安森美半导体在APEC 2021发布新的用于电动车充电的完整...
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模块，基于平面技术，适合18 V到20 V范围内的驱动电压，易于用负门极电压驱动。
2021-06-08 标签：MOSFET安森美半导体电动车充电碳化硅SiC MOSFET 1640
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SR...
该栅极驱动器系列提供10 A和18 A的驱动电流。它有一个米勒钳位，非常适合将其用于使用0 V关断以避免寄生导通的电源开关。
ROHM开发出耐压高达80V、输出电流达5A的电源IC“BD...
近年来，在以5G通信基站和FA设备为首的先进工业设备中，越来越多地配备了融和AI和IoT技术的新功能。
东芝推出用于隔离式固态继电器的光伏输出光耦
SSR是以光电可控硅、光电晶体管或光电晶闸管为输出器件的半导体继电器，它适用于对大电流执行开／关控制的应用。
ADI公司扩展BMS产品系列，实现持续电池监测
ADI宣布推出其扩展的电池管理系统（BMS）产品系列，能够满足ASIL-D功能安全等级并提供全新的创新低功耗特性，可实现持续电池监测。
Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力...
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET将最新的高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术相结合，后者因提供显著的电气性能和热性能而著称。
Vishay推出先进的30V N沟道MOSFET，进一步提升...
器件采用PowerPAK® 1212‑8S封装，导通电阻低至0.95 mW，优异的FOM仅为29.8 mW*nC。
e络盟供货Rohde & Schwarz全新...
新一代NGA100系列入门级电源简单易用、经济实惠且设计严谨，具备丰富功能且用途广泛。它采用线性设计，外形精巧，具有输出稳定、噪声低的特点。
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