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电子发烧友网>模拟技术>IGBT/功率器件>

IGBT/功率器件

电子发烧友网IGBT/功率器件栏目提供igbt器件,功率器件,功率半导体器件,功率开关器件,igbt功率模块,igbt功率管,大功率igbt驱动,大功率igbt等IGBT/功率器件设计所需的所有最新行业新闻、产品信息及技术热点方案及介绍。

IGBT在大功率斩波中问题的应用

斩波是电力电子控制中的一项变流技术,其实质是直流控制的脉宽调制,因其波形如同斩切般整齐、对称,故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位,它不仅关系到调速的技术性能...

2022-11-29 标签:晶闸管IGBT斩波 1023

13种功率半导体器件介绍

IEGT是耐压达4kV以上的IGBT系列电力电子器件,通过采取增强注入的结构实现了低通态电压,使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。...

2022-11-02 标签:电力电子器件碳化硅功率半导体器件 1569

IGBT的工作原理及基本特性

IGBT的工作原理及基本特性

  绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点,具有良好的特性。IGBT也是三端器件,具有栅极G、集电极C和发射极E。...

2022-10-28 标签:MOSFETIGBT晶体管 10803

引起IGBT失效的原因

IGBT失效场合:来自系统内部,如电力系统分布的杂散电感、电机感应电动势、负载突变都会引起过电压和过电流;来自系统外部,如电网波动、电力线感应、浪涌等。归根结底,IGBT失效主要是...

2022-10-21 标签:变频器IGBT晶体管 4407

功率器件模块封装结构演进趋势

IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块,诞生于20世纪80年代,并在90年代进行新一轮的改革升级,通过新技术的发展,现在的IGBT模块已经成为集通态压降低、开关速度快、高电压低损耗、...

2022-10-20 标签:封装IGBT功率器件 794

IGBT管的功耗讲解

通态损耗Ps。大体来讲,通态损耗等于集电极电流和IGBT管饱和压降的乘积即:Ps=Ic*Uces。...

2022-10-13 标签:IGBT续流二极管开关损耗 1944

IGBT栅极驱动组件选择

栅极驱动中最关键的时刻是IGBT的开启和关闭。我们的目标是快速执行此功能,在IGBT开启时噪音和振铃最小。不过,上升/下降时间过快可能会导致不必要的振铃和不良EMI,而上升/下降时间过慢...

2022-09-29 标签:IGBT栅极驱动器 651

华太针推出高速 1200V FS IGBT与高、中、低速650V Super IGBT

IGBT是光伏逆变器核心功率器件,光伏逆变器是光伏发电的核心设备,其主要功能为将太阳电池组件产生的直流电转化为交流电,并入电网或供负载使用。...

2022-09-28 标签:逆变器IGBT华太电子 1265

上海陆芯汽车级IGBT产品获得AEC-Q101验证报告

9月20日,广州广电计量检测股份有限公司(简称:广电计量)联袂上海陆芯电子科技有限公司(简称:上海陆芯),于广州顺利举行“广电计量与上海陆芯合作交流会暨上海陆芯IGBT汽车级AEC-...

2022-09-22 标签:IGBT功率器件功率半导体陆芯科技 1125

IGBT与SiC的性能对比

近几年来,电动汽车、电化学储能、以及光伏和风电等新能源市场的快速发展,市场对功率器件的需求量大增,特别是电动汽车的兴起,让IGBT常年处于供应紧张状态,且未来几年都没有缓解的...

2022-09-07 标签:MOSFETIGBT功率器件SiC 11316

介绍一些大功率IGBT模块应用中的一些技术

PPT主要介绍了大功率IGBT模块应用中的一些技术,包括参数解读、器件选型、驱动技术、保护方法以及失效分析等。...

2022-09-05 标签:二极管电机驱动IGBT模块 539

IGBT的短路保护和过流保护

现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片能保护到的IGBT的项。...

2022-09-05 标签:过流保护IGBT短路保护 4629

华润微可提供全套功率器件解决方案 满足细分应用的需求

随着国家“双碳”目标政策(即“2030 碳达峰,2060 碳中和”)的出台以及碳中和政策正在从全球共识向全球行动推进,新能源行业(如新能源汽车,光伏及储能领域)迎来景气度高涨。...

2022-08-24 标签:IGBT功率器件华润微 454

一文读懂IGBT

在我们实际的应用当中最流行和最常见的电子器件就是常见的双极结晶体管BJT和MOS管。虽然BJT和MOS管是最流行最常见的元器件,但是在一些相对较高电流的应用场景中有时还是会受到限制。这个...

2022-08-22 标签:MOS管IGBT晶体管 12765

浅谈FHP120N08B型号参数使用于功率开关中

在具体的应用中,飞虹电子还可依据功率开关厂商的不同电源产品定制对应的MOS管产品使用方案。...

2022-08-09 标签:场效应管MOS管半导体器件 578

IGBT技术及应用介绍

功率半导体是半导体行业的细分领域,虽不像集成电路一样被大众熟知,但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种,作为电子电力装置和系统中的“CPU”,高效节能减排的主力军。...

2022-08-08 标签:cpu功率半导体 1418

深度解析IGBT功率半导体框架

IGBT行业需求增长: IGBT广泛应用于工业、汽车、通信及消费电子领域,主要电压应用范围在600V到1200V之间。由于经济的飞速发展,我国能源需求大幅上升,在节能减排政策的背景下,工业控制、...

2022-08-08 标签:IGBT功率半导体 668

MOSFET如何定义 MOSFET内部结构详解

功率MOSFET为多单元集成结构,如IR的HEXFET采用六边形单元;西门子Siemens的SIPMOSFET采用正方形单元;摩托罗拉公司Motorola的TMOS采用矩形单元按品字形排列。...

2022-08-04 标签:三极管MOSFET 1216

IGBT的开通过程

IGBT,中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和...

2022-07-08 标签:IGBT晶体管栅极电压 4248

功率半导体厂商锴威特科创板IPO获受理!毛利率领先同行,募资5.3亿升级SiC器件

电子发烧友网报道(文/刘静)6月13日,锴威特科创板IPO获上交所受理,拟发行不超过1842万股,募资5.30亿元,保荐机构是华泰联合证券。       锴威特是一家以高性能功率半导体研发与销售为...

2022-06-17 标签:ipo功率半导体毛利率 2291

艾默生获22年度工业物联网公司称号 Microchip与Mersen展开合作

全球领先的主板、显卡和小型 PC 制造商华擎自豪地宣布推出采用 Intel ® B660 芯片组的 DeskMini B660 系列,以搭配最新的第12代Intel ® Core™ 处理器。...

2022-03-29 标签:microchip艾默生工业物联网 3740

Digi-Key 21年新增500多家供应商 华擎通过BIOS更新处理器

全球供应品类极丰富、发货极快速的现货电子元器件分销商 Digi-Key Electronics 日前宣布 2021 年大幅扩展了其产品组合,通过 Digi-Key 市场和 Digi-Key 代发两个核心业务计划新增了 500 多家供应商。同...

2022-03-29 标签:处理器Digi-Key华擎艾默生 1816

800V高压平台受关注,PI推出集成SiC MOSFET的车规级反激式开关IC

PI看到了电动车的这个发展趋势,因此在近期推出了全新的InnoSwitch3-AQ产品,该产品采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET的汽车级开关电源IC,将耐压值提高到了1700V。...

2022-02-18 标签:电动汽车PI电源芯片 5068

Vishay推出全球领先的汽车级80V P沟道MOSFET,以提高系统能效和功率密度

汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %,比前代解决方案低31 %,占位面积减小50 %,有助于降低导通功耗,节省能源,同时增加功率密度提高输出。...

2021-04-07 标签:MOSFETVishay导通电阻 1577

GaN功率级设计的散热注意事项

GaN FET 实现了高频电源转换器设计。凭借出色的开关特性和零反向恢复损耗,这种轻量级设计具有更高的功率密度和更小的尺寸。...

2020-12-10 标签:pcb电路板电源转换器散热GaN 1418

UAES与罗姆成立“SiC技术联合实验室”并举行启动仪式

UAES和罗姆自2015年开始技术交流以来,双方在采用SiC功率元器件的车载应用产品开发方面建立了合作伙伴关系。...

2020-12-08 标签:半导体罗姆功率元器件 750

Transphorm推出基于GaN的新型汽车/EV功率转换解决方案

Transphorm验证并实现了采用电桥配置的分立封装GaN器件的功率可达10千瓦,这进一步印证了GaN用于电动汽车转换器和变频器的令人兴奋的前景。...

2020-12-07 标签:功率转换DC-DC转换器氮化镓碳化硅 807

国内首家打通碳化硅全产业链,三安集成完成MOSFET量产平台打造

随着中国“十四五”规划浮出水面,第三代半导体项目投资升温加剧。据不完全统计,2020年有8家企业计划投资总计超过430亿元,碳化硅、氮化镓材料半导体建设项目出现“井喷”...

2020-12-03 标签:MOSFET碳化硅三安集成 957

Excelitas Technologies推出增强型Gen2 905nm大批量生产的脉冲半导体激光二极管

激光芯片采用经TS 16949认证的大批量生产的金属有机化学气相沉积(MOCVD)制成。...

2020-12-01 标签:激光二极管激光雷达LIDAR 2085

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性

扬杰科技发布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升开关和导通特性

产品特点 1、优异的开关特性和导通特性; 2、更好的导通电阻温度特性,显著增强器件高温下的电流能力和抗冲击特性; 3、配合先进的封装技术,SGT MOSFET器件有助于提升系统效率和功率密...

2020-11-26 标签:MOSFET导通电阻扬杰科技 2093

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