电子发烧友网报道（文/李宁远）在高功率应用中，通常需要专用驱动器来驱动功率晶体管，不使用专用驱动器一般都会导致电路功耗过高。大多数功率MOSFET和IGBT由栅极驱动器IC驱动，尤其是IGBT，几乎
2021-11-03 09:33:56
3665 京电子器件有限公司将于2012年7月起开始在中国销售IGBT（绝缘栅双级型晶体管）栅极驱动板，并提供根据客户要求进行设计定制的服务。该产品的特点在于仅用1块电路板即可驱动2通道的
2012-07-05 09:07:17839 
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 英飞凌提供500多种EiceDRIVER™栅极驱动器解决方案，用于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET 以及GaN HEMT。其中包括隔离型栅极驱动器、 电平转换栅极驱动器以及非隔离低边驱动器，从而满足各种功率半导体技术和功率转换拓扑的设计要求。
2019-01-29 09:58:3227184 
大家好，看到TI一篇关于IGBT和SiC器件栅极驱动应用的文档，虽然比较基础，但是概括的比较好，适合电力电子专业的初学者，总体内容如下。
2022-11-25 09:20:301195 前面我们也聊到过IGBT的栅极驱动设计，虽然今天聊的可能有些重复，但是感觉人到中年，最讨厌的就是记忆力不够用，就当回顾和加重记忆吧。
2023-04-06 17:38:291595 
大家好，今天聊一下IGBT驱动中的**参考电位**问题。我们都知道IGBT的驱动参考电平都是基于 **器件自身的发射极** ，当栅极相对于发射极电位 **超过阈值电压时，器件就会开通** ， **小于阈值电压后，器件就会关断** 。
2023-11-09 15:19:15666 
输出电荷，该值在选择驱动器时必须要考虑。 另外在IGBT驱动器选择中还应该注意的参数包括绝缘电压Visol IO 和dv/dt 能力。 IGBT驱动电路中栅极电阻Rg的作用及选取方法 一、栅极电阻Rg
2012-07-25 09:49:08
`我需要通过LC电路产生一个1200A，2.5KHz的脉冲电流，所加电压500V，电路图如下。需要用到IGBT来进行开关控制，初步选定IGBT使用IRG4PC50FD 。但是IGBT需要驱动电路
2017-10-10 17:16:20
请帮忙看下这个IGBT驱动电路是否可行；如果可行，栅极电压将会是多少，以及三极管Q1，Q2在IGBT导通时的工作状态
2013-08-18 19:56:22
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56:22
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项：栅极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高
2019-07-24 04:00:00
变的危险，这可能会影响甚至损坏处理器逻辑。因此，为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器，还执行提供短路保护并影响开关速度的功能。然而，在选择栅极驱动器时，某些特性至关重要。
2020-10-29 08:23:33
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck™ 控制拓扑，从单一变压器生成用于三相逆变器
2015-04-27 16:55:43
栅极驱动器的 +16V/-8V 电压，能够通过具有外部 BJT/MOSFET 缓冲器的单极或双极电源为栅极驱动器供电可针对反相/非反相工作情况配置栅极驱动器输入可选择通过如下方式评估系统：栅极驱动器和 IGBT 之间的双绞线电缆栅极和发射极之间的外部电容
2018-12-27 11:41:40
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。功率半导体器件制造商不断在导通损耗和开关时间上寻求突破。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高
2019-10-06 07:00:00
驱动半桥配置中的并联 IGBT。并联 IGBT 在栅极驱动器级（驱动强度不足）以及系统级均会带来挑战：难以在两个 IGBT 中保持相等电流分布的同时确保更快的导通和关断。此参考设计使用增强型隔离式
2018-12-07 14:05:13
描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2018-09-05 08:54:59
下降低开关损耗。 另一方面，正是这种高开关速度会对电机绝缘等其他组件的使用寿命产生负面影响，并可能导致EMI问题。凭借其新型栅极驱动器 BM60059FV-C，ROHM 可在有限的 dv/dt 下将
2023-02-21 16:36:47
的重要任务由驱动IGBT的栅极驱动器完成。光电隔离栅极驱动器已成功用于驱动IGBT，并提供电流安全隔离。光电隔离栅极驱动器的输入级包含单个铝镓砷（AlGaAs）LED。输出级包括一个光电探测器和放大器
2022-11-10 06:40:24
Q1。如何计算IGBT栅极电阻。我想使用 STGD18N40LZ IGBT 来操作感性开关负载。开关频率：- 在 400Hz 到 1Khz 之间集电极到发射极电压：- 24V。平均最大电流：- 5A。Q2。使用1Kohm电阻会有什么影响？
2023-01-04 09:00:04
的等效电路如图1所示。由图1可知,若在 IGBT 的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则 MOSFET 导通,这样 PNP 晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若 IGBT 的栅极
2021-03-19 15:22:33
工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。有关增加绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)导通损耗的一些权衡取舍是：更高的 短路电流电平、更小的芯片尺寸，以及更低的热容量和短路
2018-08-20 07:40:12
的选择要考虑开关速度的要求和损耗的大小。栅极电阻也不是越小越好， 当栅极电阻很小时， IGBT的CE间电压尖峰过大， 栅极电阻很大时， 又会增大开关损耗。 所以， 选择时要在CE间尖峰电压能够承受
2011-09-08 10:12:26
防止由米勒电容引起的故障的另一种方法包括在IGBT的栅极发射极之间进行短路。配置电路以从外部组件安全地钳位栅极是复杂的并且需要额外的PWB空间。 TLP5214具有内部功能，称为有源米勒钳位功能，可
2020-05-11 09:00:09
的门极驱动问题做了一些总结，希望对广大IGBT应用人员有一定的帮助。 1 IGBT门极驱动要求 1.1 栅极驱动电压 因IGBT栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行驱动，但
2016-11-28 23:45:03
的门极驱动问题做了一些总结，希望对广大IGBT应用人员有一定的帮助。 1 IGBT门极驱动要求 1.1 栅极驱动电压 因IGBT栅极-发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行驱动，但
2016-10-15 22:47:06
描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色• 隔离型
2018-09-06 09:07:35
`描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck™ 控制拓扑，从单一变压器生成用于三相逆变器
2015-03-23 14:53:06
NCV57001FDWR2G是一款具有简化的软的−转动−关闭时间适合驱动大型IGBT或电源模块。是一个高性能的传感器−电流型单通道IGBT驱动器内部电流隔离，设计用于高系统效率和高功率应用的可靠性
2022-01-06 09:53:36
电子书“IGBT 和 SiC 栅极驱动器基础知识”
2022-10-25 17:20:12
描述TIDA-00174参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压用于
2022-09-26 07:54:11
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
(x2) 和 -8V (x2)使用预调制的 24V 输入进行操作输出功率：每个 IGBT 2W可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能输出波纹：< 200mV输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流旨在满足 IEC61800-1-5`
2015-03-23 14:35:34
(x2) 和 -8V (x2)使用预调制的 24V 输入进行操作输出功率：每个 IGBT 2W可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能输出波纹：< 200mV输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流旨在满足 IEC61800-1-5`
2015-04-27 17:31:57
IGBT 的栅极驱动是IGBT 应用中的关键问题。本文阐明构成IGBT 栅极驱动电路的注意事项，基本电路参数的选择原则，还介绍丁几种驱动电路实例。
2010-08-31 16:33:41
213
IGBT模块驱动及保护技术
摘要：对IGBT栅极驱动特性、栅极串联电阻及其驱动电路进行了探讨。提出了慢降栅压过流保护和过
2009-07-15 07:57:592426 
单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
IGBT绝缘栅极双极晶体管过压保护电路
IGBT的栅极过压的
2010-02-17 17:13:011796 
利用silvaco软件对PT-IGBT的I-V特性进行了仿真，在同一电流密度下提取了不同栅极宽度IGBT的通态压降，得到了通态压降随栅极宽度变化的曲线，该仿真结果与理论分析一致。对于相同的元
2011-12-05 15:28:5431 东芝新推出一系列采用小型SO8封装的IC光电耦合器TLP2451是一款使用图腾柱输出的IGBT / MOSFET栅极驱动光电耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
ACPL-P343 (W343) IGBT栅极驱动方案
2015-12-30 15:47:1757 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231403 IGBT驱动电路的作用是驱动IGBT模块以能让其正常工作，同时对IGBT模块进行保护。IGBT 驱动电路的作用对整个IGBT构成的系统来说至关重要
2017-06-05 14:21:1227214 
的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 igbt驱动器是驱动igbt并对其整体性能进行调控的装置，它不仅影响了igbt 的动态性能，同时也影响系统的成本和可靠性。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。驱动器功率不足或选择错误可能会直接导致 igbt 和驱动器损坏。
2017-11-23 08:38:1745074 由式(5)和式(6)可知，反馈电流IL值为正。IL不能直接加在栅极，以免对栅极电流造成冲击，因此需要引入一个由Q5、Q6组成的镜像电路，将流过Q6的电流镜像到流过Q5的电路上反馈到栅极。这样，实现了对IGBT开通时栅极电流的调控，IGBT开通时di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
本参考设计采用一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 (IGBT) 栅极驱动器 ISO5852S，适用于交流驱动器等各类 三相逆变器。
2018-05-08 17:03:2524 该参考设计包含具有增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器以及专用栅极驱动器电源的单个模块。该紧凑型参考设计可控制光伏逆变器中的 IGBT。该设计使用具有内置 IGBT DESAT 检测和米勒钳位保护
2018-06-28 08:00:0011 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
2018-08-16 00:24:004344 熟练掌握高压MOSFET/IGBT栅极驱动设计
2019-05-07 06:34:002054 
ADI公司的ADuM4137是单路IGBT栅极驱动器，采用ADI的iCoupler®技术，使得输入信号和输出栅驱动之间绝缘。器件还对过流，遥控温度过热，欠压锁住（UVLO）和热关断（TSD）等事件提供故障报告。
2019-04-05 11:26:002853 
通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394943 
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替
2019-07-03 16:26:554307 
,通态损耗最小,又可以限制短路电流。因此栅极驱动电压Uge需要选择一个合适的数值,以保证IGBT的可靠运行。栅极电压增高时,有利于减小IGBT的开通损耗和导通损耗,但同时将使IGBT能承受的短路时间变短
2019-07-26 09:46:2516179 
在电源电子（例如驱动技术）中，IGBT（隔离式栅极驱动器 - Insulated Gate Bipolar Transistor）经常用作高电压和高电流开关。
2019-08-07 14:27:1410786 
IGBT的驱动电路必须具备两种功能：一是实现控制电路与被驱动IGBT栅极的电位隔离；二是提供合适的栅极驱动脉冲。实现电位隔离可以采用脉冲变压器、微分变压器及光耦合器。
2019-10-07 14:26:0012785 
不熟悉MOSFET或IGBT输入特性的设计人员首先根据数据表中列出的栅源或输入电容来确定元件值，从而开始驱动电路设计。基于栅极对源电容的RC值通常会导致栅极驱动严重不足。虽然栅极对源电容是一个重要
2020-03-09 08:00:0024 栅极电路的正偏压VGE、负偏压-VGE和栅极电阻RG的大小，对IGBT的通态压降、开关时间、开关损耗、承受短路能力以及dV/dt电流等参数有不同程度的影响。
2020-06-18 08:00:0042 中的功率消耗或损耗、发送到功率半导体开关 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驱动器 IC 和功率半导体开关之间的外部组件（例如外部栅极电阻器两端）的功率损耗。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本
2021-06-14 03:51:003144 
工业快速以太网 隔离式IGBT栅极驱动器需要隔离式电源，以实现安全隔离和电平转换。不幸的是，基于标准电源控制IC的隔离式电源设计并非易事。要使用离散的组件定制解决方案，就需要专门知识和大量的验证工作
2021-05-26 18:05:172342 
FET栅极驱动器和电源的支持组件集成在栅极驱动器中，从而缩减了串联栅极电阻器、栅极灌电流路径二极管、栅源电压(VGS)钳位二极管、栅极无源下拉电阻器和电源等组件的物料清单(BOM)和组装成本。
2021-01-13 14:06:282800 摘要
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-01-28 08:13:3820 ADuM4135：提供米勒箝位的单电源 / 双电源 高电压隔离 IGBT 栅极驱动器
2021-03-21 13:47:029 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 本文对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻及IGBT的驱动电路进行了探讨。给出了过电流保护及换相过电压吸收的有效方法。
2022-08-23 09:40:2427 栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器 ,来控制功率MOSFET或IGBT的栅极 。它为 MOSFET或 IGBT的栅极输入供应所需的峰值充电电 流 ,来打开器件。该目标通过
2022-10-24 09:00:07920 
IGBT 栅极驱动注意事项
2022-11-15 19:51:245 本文介绍了在电机驱动应用中为功率级选择隔离式栅极驱动器时，您有多种选择。栅极驱动器可简单可复杂，具有集成米勒箝位、分离输出或绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 发射极的欠压 （UVLO） 锁定参考等功能。
2022-11-30 09:58:211105 
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于IGBT，它们被称为集电极
2023-01-30 17:17:121151 
IGBT的驱动电路在它的应用中有着特别重要的作用，IGBT应用的关键问题之一是驱动电路的合理设计。由于IGBT的开关特性和安全工作区随栅-射极驱动电路的变化而变化，因而驱动电路性能不好，常常会造成IGBT的损坏。
2023-02-16 15:07:431771 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS绝缘栅型场效应管组成的复
合全控型电压驱动式功率半导体器件
2023-02-23 09:52:070 栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 栅极驱动器是一种功率放大器，它接受来自控制器IC的低功耗输入，并为功率器件产生适当的高电流栅极驱动。随着对电力电子器件的要求不断提高，栅极驱动器电路的设计和性能变得越来越重要。
功率
2023-04-04 10:23:45547 点击蓝字 关注我们 IGBT晶体管的结构要比 MOSFET 或双极结型晶体管 (BJT) 复杂得多。它结合了这两种器件的特点，并且有三个端子：一个栅极、一个集电极和一个发射极。就栅极驱动而言，该器件
2023-06-21 19:15:01398 
IGBT器件栅极电压波形振荡的原因？
2023-09-16 08:32:131715 
igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 电子发烧友网站提供《栅极宽度对IGBT通态压降的影响.pdf》资料免费下载
2023-10-25 10:45:410 深度剖析 IGBT 栅极驱动注意事项
2023-11-24 14:48:25220 
IGBT栅极驱动设计，关键元件该怎么选？
2023-11-30 18:02:38294 
报告内容包含：
效率和功率密度推动变革
基本的 MOSFET 栅极驱动器功能
驱动器演进以支持 IGBT（绝缘栅双极晶体管）
驱动器进化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57156 
由于IGBT高电压、大电流和高频特性，IGBT需要一个专门的驱动电路来控制其开通和关断。本文将介绍IGBT驱动电路。 一、IGBT驱动电路的作用 IGBT驱动电路的主要作用是向IGBT提供适当的栅极
2024-01-17 13:56:55554 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
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