IGBT/功率器件
电子发烧友网IGBT/功率器件栏目提供igbt器件，功率器件，功率半导体器件，功率开关器件，igbt功率模块，igbt功率管，大功率igbt驱动，大功率igbt等IGBT/功率器件设计所需的所有最新行业新闻、产品信息及技术热点方案及介绍。
英飞凌推出高功率模块平台，为业界提供免授权费封装设计许可
2014年12月17日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份有限公司 （FSE： IFX / OTCQX： IFNNY） 今日宣布推出两款全新功率模块平台，用以提升 1200V 至 6.5 kV 电压级别的高压 IGBT的性能。...
2014-12-18 1162
IR为混合动力汽车和电动车推出600V车用IGBT
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR）近日发布600V车用IGBT产品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，针对混合动力汽车和电动车中的小型辅助电机驱动应用而...
2014-12-11 2259
IR电池保护MOSFET系列为移动应用提供灵活解决方案
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET M...
2014-12-03 1860
英飞凌推出额定电流高达120A的新型TO-247PLUS封装
2014年12月2日，慕尼黑讯——英飞凌科技股份有限公司针对大功率应用扩大分立式 IGBT 产品组合，推出新型 TO-247PLUS 封装，可满足额定电流高达 120A 的 IGBT封装，并在相同的体积和引脚内装有满额...
2014-12-02 7343
IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
2014年11月10日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出完善的IGBT模块系列，适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太...
2014-11-11 2070
4.5kV IGBT/二极管芯片组在高压直流输电领域的应用
制造商已经为高压直流 （HVDC） 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 （IGBT）/ 二极管芯片组并对其性能进行了优化 。...
2014-10-28 3808
IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列
2014年10月21日，北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以扩充绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列。...
2014-10-21 1996
Vishay新款12V芯片级MOSFET可有效降低超便携产品功耗
宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 10 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布有助于在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和高端笔记本电脑中减少功耗并延长电池使...
2014-10-21 1107
东芝新型TFET晶体管，使MCU功耗降至1/10
东芝开发出了用于超低功耗MCU的新型晶体管技术，可将MCU的耗电量降至1/10以下，而且能够利用与现行标准晶体管（MOSFET）相同的CMOS工艺制造。##下面来介绍实现这三种TFET的具体技术。...
2014-09-12 7045
IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 （IGBT） IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的...
2014-08-19 2372
Vishay推出用于导电胶合的采用金端接的新款精密薄膜片式电阻
2014年8月7日—日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用金端接，用导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻。 ...
2014-08-07 1217
第84届中国电子展王牌专业：电阻电容
2014年10月28日-30日，第84届中国电子展，在上海新国际博览中心隆重举办。作为中国电子展的王牌专业“电阻电容”有近400家展商携新品惊艳亮相。中国电子展为广大电阻电容厂商提供了一个高...
2014-07-30 1376
Littelfuse宣布推出新型瞬态抑制二极管阵列，相比同类技术可将箝位电压降低6
2014年7月22日- Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，日前宣布推出SPHV（单向）和SPHV-C（双向）系列200W分立瞬态抑制二极管阵列（SPA®二极管）。...
2014-07-23 1063
IR扩充坚固可靠的600V节能沟道IGBT系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，并提供多种封装选择。...
2014-05-14 1286
Microchip推出三相无刷直流配套器件 实现强大的完整电机系统解决方案
全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）宣布推出一款新型带电源模块的三相BLDC电机栅极驱动器MCP8024。该器件能...
2013-12-05 2348
eGaN FET与硅功率器件比拼之隔离型PoE-PSE转换器
本章对采用eGaN FET原型设计的全稳压半砖式供电设备转换器与类似的MOSFET转换器进行了比较。与可比的先进商用转换器相比，eGaN FET原型工作在约高出两倍的开关频率时，性能可以得以充分发挥...
2013-01-22 2444
鲁棒、低功耗的电池监控电路前端
该电路使用ADG5408 4通道CMOS多路复用器，后接AD8226 仪表放大器，以低功耗和低成本精确监控各电池的电压，且无需额外的外部瞬变保护电路。...
2013-01-11 2478
ADI实验室电路:实现隔离式半桥栅极驱动器
本文将详细阐述实现隔离式半桥栅极驱动器设计理念，以展现采用小型封装的隔离式半桥栅极驱动器IC在造就高性能方面的卓越能力。...
2012-12-17 2641
模拟电子疑难问题解惑系列(二):模拟电路设计问题须知
接下来为大家带来了模拟电子疑难问题解惑系列（二）：电压跟随器、振荡器、功放。本内容总结了电压跟随器、功率放大电路、正弦波振荡器、频率特性等方面的常见问题及解答，供...
2012-11-27 6040
IGBT在大功率斩波中问题的应用
斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩波。斩波在内馈调速控制中占有极为重要的地位，它不仅关系到调...
2012-05-14 10693
基于DPA和IBA的功率系统级封装隔离DC-DC转换器
随着市场的要求, 出现了更新、更快的ASIC、DSP、FPGA、高速微处理器和存储设备电源行业也需要作出相应的调整. 这些器件改变了电源规格的要求,需要提供多路工作电压、更高...
2010-11-23 839
Intersil推出针对恶劣应用环境而设计的DC/DC功率模
全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布，推出其为国防、航空电子等恶劣应用环境而设计的突破性ISL8200M ...
2010-11-12 732
具有内部功率开关的DC - DC降压转换器MAX15066
概述 该MAX15066电流模式，同步DC - DC降压转换器提供的输出电流与高效率的出线权。该MAX15066工作于4.5V至16V的输入电压从0.606V，并提供可调输出电压为输入电压...
2010-09-23 683
14位超低功率A/D转换器LTC2262-14
描述 LTC®2262-14 是一款采样 14 位 A/D 转换器，专为对高频、宽动态范围信号进行数字化处理而设计。凭借包括 72.8dB SNR 和 88dB 无寄生动态范围 (SFDR) 在内的 AC ...
2010-09-10 909
从安全工作区探讨IGBT的失效机理
从安全工作区探讨IGBT的失效机理 1、 引言 半导体功率器件失效的原因多种多样。换效后进行换效分析也是十分困难和复杂的。其中失效的主要原因之...
2010-02-22 2704
基于EXB841的IGBT驱动与保护电路研究
基于EXB841的IGBT驱动与保护电路研究 1 引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件，它既具有MOSFE...
2010-01-27 7724
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