本内容主要介绍了硅衬底LED芯片主要制造工艺，介绍了什么是led衬底，led衬底材料等方面的制作工艺知识
2011-11-03 17:45:13
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LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）衬底材料以外，氧化锌（ZnO）和氮化镓（GaN）等也是当前LED芯片研究的焦点。
2014-05-13 17:40:075184 近年来，LED制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展。##近年来，LED制造工艺的不断进步和新材料（氮化物晶体和荧光粉）的开发和应用，各种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展。
2015-08-17 16:16:0024039 大多数现代LED由氮化铟镓（InGaN）和蓝宝石衬底组成。该架构运行良好，并使LED制造商能够提供效率超过150流明/瓦的产品。然而，该架构确实存在一些缺点，这些缺点促使芯片制造商寻求其他选择。
2019-01-17 08:21:0012376 
应用放射性示踪技术研究了金属杂质(如钡、铯、锌和锰)从化学放大光刻胶中迁移和吸附到硅基底层衬底上的行为。评估了两个重要的工艺参数，即烘烤温度和衬底类型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。结果表明
2021-12-13 10:02:321785 
氮化镓由于其宽的直接带隙、高热和化学稳定性，已成为短波长发射器（发光二极管和二极管激光器）和探测器等许多光电应用的诱人半导体，以及高功率和高温电子器件。对于实现先进的氮化镓器件，如激光二极管或高功率灯，对低线程位错密度(<106cm-2)的高质量氮化镓衬底有很强的需求。
2022-02-08 15:26:134403 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的气相氟化氢蚀刻作用，新的氧化物选择性模式，概述了通过将无水高频与控制量的水蒸汽混合而产生高频蒸汽蚀刻剂的实现方法，描述了一种通过将氮气通过高频水溶液而引入高频蒸汽的系统。
2022-04-11 16:41:191961 
本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制造过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之后形成的框架结构
2022-05-05 14:00:502014 
由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的，因为栅极受片内齐纳二极管保护，它可使电荷损耗至安全水平。
2023-05-08 09:36:042285 
电子发烧友网报道（文/吴子鹏）2023年底，清华大学与中国北京凝聚态物理国家实验室宣布，研究团队通过使用独立式氮化镓衬底 （freestanding gallium nitride
2024-02-04 00:07:0011073 高效能、高电压的射频基础设施。几年后，即2008年，氮化镓金属氧化物半导场效晶体（MOSFET）（在硅衬底上形成）得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。
2023-06-15 15:50:54
是什么氮化镓（GaN）是氮和镓化合物，具体半导体特性，早期应用于发光二极管中，它与常用的硅属于同一元素周期族，硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料，具有宽带隙、高热导率等特点，应用在充电器方面，主要是集成氮化镓MOS管，可适配小型变压器和高功率器件，充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
半导体在光电子器件中已经得到广泛应用,例如制作液晶显示器、紫外光探测器都要用到p型宽带隙氧化物半导体。目前这类氧化物研究主要包括P型ZnO[1]与P型铜铁矿结构氧化物[2]-[8]。在这类氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明导电性以外,最近又报道了它的高温热电特全文下载
2010-04-24 09:00:59
衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上，北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践，分享了Si
2018-11-05 09:51:35
，3000多种产品，应用领域覆盖无线、光纤、雷达、有线通信及军事通信等领域，2016年营收达到了5.443亿美元。氮化镓是目前MACOM重点投入的方向，与很多公司的氮化镓采用碳化硅（SiC）做衬底
2017-09-04 15:02:41
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：GaN 半导体材料与器件手册编号：JFSJ-21-059III族氮化物半导体的光学特性介绍III 族氮化物材料的光学特性显然与光电应用直接相关，但测量光学特性
2021-07-08 13:08:32
解决的问题，以开发适用于 III 族氮化物外延的 GaN 衬底的表面处理。 1. 介绍 单晶体 GaN 衬底是最有希望替代蓝宝石衬底的候选者之一，蓝宝石衬底常用于 III 族氮化物器件，如发光二极管 (LED
2021-07-07 10:26:01
氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样
2019-07-31 07:54:41
% 化学物及能源损耗，此外还能，再加上节省超过 50% 的包装材料，那氮化镓的环保优势，将远远大于传统慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
%。另外，以上研究结果都是建立在实验室基础之上的，今后仍有很大的发展空间。图4：利用“Na Flux（钠助溶）法”和“Point Seed（点籽晶）法”可制作出高质量、大尺寸的氮化硅衬底。利用“Na
2023-02-23 15:46:22
氮化镓，由镓（原子序数 31）和氮（原子序数 7）结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带，是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量，氮化镓的禁带宽度为 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
请大佬详细介绍一下关于基于Si衬底的功率型GaN基LED制造技术
2021-04-12 06:23:23
日前，在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中，晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告，与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
随着国家对节能减排的日益重视，成都LED灯市场的逐步启动，飞利浦、富士康等大公司涉足LED灯行业，LED概念股普涨，使得LED技术成为大众热点，下面简要概述LED衬底技术。上图为LED封装结构示意图
2012-03-15 10:20:43
AN - 2000-055564 [05]11 48/66 - (C) WPI / DERWENT AN - 1999-363504 [31]【申请号】 02802023 【发明名称】 获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置【申请号】 200410002946 【 发明名称】 制造第三族氮化物衬底的方法
2009-10-19 14:57:15
对LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有较多的研究；固体电解质膜方面以对LIPON膜的研究为主；阳极膜方面以对锂金属替代物的研究为主，比如锡和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循环交通的提高。在薄膜锂电池结构方面，三维结构将是今后研究的一个重要方向。
2011-03-11 15:44:52
目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。南昌大学
2010-06-07 11:27:281907 
LED衬底材料有哪些种类
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用哪种合适的衬底，需要
2011-01-05 09:10:255117 目前市场上LED用到的衬底材料有蓝宝石、碳化硅SiC、硅Si、氧化锌 ZnO、 以及氮化镓GaN，中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石，而就全球範围来看，蓝宝石衬底的LED市场份额也占到95%以上
2012-11-28 09:22:543324 LED外延片的生产制作过程是非常复杂，本文详细介绍了LED外延片的相关内容，包括产品介绍、衬底材料。
2012-12-05 10:37:148712 厦门大学的一个研究小组通过在高铝组分氮化物深紫外线发光二极管表面覆盖一层超薄的铝膜，破解了制约这一发光器件得以更广泛应用的“光抽取效率”关键难题，为未来此类器件在
2013-01-16 09:55:331744 白光LED正朝着更高光效、更好光色品质、更高封装密度和更高信赖性方向发展。其中的氮化物红色荧光粉的性能直接影响到白光LED的光效、色温、显色指数以及使用寿命，特别是其抗高温高湿性能的优劣对于中高功率
2016-04-12 11:01:183869 南昌大学江风益团队成功研发硅衬底LED技术，使中国成为世界上继日美之后第三个掌握蓝光LED自主知识产权技术的国家。这项高新技术和成功产业化，获得了2015年度国家技术发明奖一等奖，硅衬底时代随即到来。
2016-05-11 16:38:437408 芯片是五面发光的，通常需要将将芯片置于支架内，反光杯的开口面积远大于芯片发光面积，导致单位面积光通量低，芯片表面颜色均匀性非常差，芯片正上方偏蓝，而外圈偏黄。 基于氮化镓的蓝/白光LED的芯片结构强烈依赖于所用的衬底材料。目前大部分厂商采用蓝宝石作为衬底材料
2016-11-05 08:19:158606 当代LED大部分是由一个组合的氮化铟镓（InGaN）和蓝宝石衬底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而过量的参展功效产品，建筑也有一些缺点，鼓励芯片制造商寻求其他选择。
2017-06-01 10:49:39
4 研究人员以极限条件（即弱光、极低温、强磁场）下的光电实验物理为主要研究方向，设计以LED（发光二极管）为光源的弱光光电导测量系统。
2017-10-13 18:27:208300 
和坚持的结果。 赤崎和天野的研究小组，就在GaN类蓝色LED的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了应用物理学会成就奖，获奖理由中有这样一段话：在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研发中，赤崎及其研究小组的研究是所有研究的出发点。通过开发低
2017-10-16 13:04:4216 氮化镓单晶材料生长难度非常大，苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快，同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 氮化物宽禁带半导体在微波功率器件和电力电子器件方面已经展现出巨大的应用前景，而AlGaN沟道HEMT器件是一种适宜更高电压应用的新型氮化物电力电子器件。但是，材料结晶质量差和电学性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
10月16日，日亚化学宣布，其与西铁城电子、三菱化学、日本国立研究开发法人物质与材料研究机构（NIMS）所共有的氮化物系红色荧光体LED相关技术，近日已在美国获准专利权。
2018-10-17 14:50:002575 典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节：外延生长-器件隔离-欧姆接触（制作源极、漏极）-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
2018-10-26 17:33:0611886 氮化镓太赫兹HEMT研究中，短沟道效应导致的跨导降低，将直接影响器件频率特性。尽管高铝组分与超薄势垒外延结构可以缓解短沟道效应带来的问题，但同时也引起了欧姆接触难以制备的问题。选区再生长n+GaN源
2018-11-06 14:59:467048 美国罗彻斯特理工学院（Rochester Institute of Technology）的研究者新设计出一种垂直集成氮化镓LED结构，有助于提高Micro LED显示器的效率。
2019-03-15 11:22:414827 LED衬底材料是半导体照明产业的基础材料，其决定了半导体照明技术的发展路线。目前，能作为LED衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最广泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:034226 目前，LED芯片技术的发展关键在于衬底材料和晶圆生长技术。除了传统的蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）衬底材料以外，氧化锌（ZnO）和氮化镓（GaN）等也是当前LED芯片研究的焦点。
2019-10-04 17:35:001641 
目前LED产业大多以2英寸或4英寸的蓝宝石基板为主，如能采用硅基氮化镓技术，至少可节省75%的原料成本。据日本三垦电气公司估计，使用硅衬底制作大尺寸蓝光氮化镓LED的制造成本将比蓝宝石衬底和碳化硅衬底低90%。
2019-09-12 16:03:314714 西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制，创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管，相关研究成果在国际权威期刊《Advanced Optical Materials》上发表。
2019-12-03 14:56:111192 12月3日消息，西安电子科技大学微电子学院郝跃院士团队揭示了可剥离衬底上氮化物的成核机制，创新性开发出柔性高亮度紫光发光二极管，相关研究成果在国际权威期刊《Advanced Optical Materials》上发表。
2020-01-30 16:41:004770 
据韩国消息报道，韩国科学技术研究院（KIST）于日前宣布，一个KIST团队已经成功开发出一种新的化合物，可以取代氮化镓来生产蓝光LED。
2020-03-09 16:49:224413 。III族氮化物化合物半导体具有带隙可调的优点，响应波段范围可覆盖可见-紫外波段。GaN紫外传感器具有体积小、灵敏度高、噪声低、抗可见光干扰能力强、功耗低、寿命长等优点。（以下为系列中部分产品）
2020-07-13 10:54:582256 据报道，武汉大学的研究团队近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）衬底来降低氮化镓接合边界失配问题的方法，提出PSSA衬底可提高铟氮化镓、氮化镓（InGaN/GaN）倒装芯片可见光LED的效率。
2020-12-09 17:00:231183 研发基地与高端产品生产基地，预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。 据苏州纳米城消息，该公司实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸产品的关键核心技术，成为国内唯一一家能够同时批量提供2英寸高导
2021-01-28 09:19:342947 图形化蓝宝石衬底已经在可见光LED领域得到广泛的应用，其优势在于它不仅能有效改善外延生长质量，还可以提高LED的光提取效率。基于先进的半导体仿真设计平台，我司技术人员开发出了纳米图形衬底（NPSS
2021-02-23 11:01:281116 
据其介绍，目前公司主要产品包括2至6英寸图形化蓝宝石衬底（PSS）、图形化复合材料衬底（MMS），广泛应用于氮化镓基LED芯片制造。公司建立了广东省半导体衬底工程技术研究中心，围绕下一代氮化镓器件技术进行衬底与外延一体化研发，持续拓展蓝宝石衬底技术的应用领域。
2021-04-01 11:01:183187 
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术，分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路（光子芯片）技术，得到了创纪录的低光学损耗，且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。
2021-05-24 10:43:386263 第三族氮化物已成为短波长发射器、高温微波晶体管、光电探测器和场发射尖端的通用半导体。这些材料的加工非常重要，因为它们具有异常高的键能。综述了近年来针对这些材料发展起来的湿法刻蚀方法。提出了通过
2022-02-23 16:20:243269 
区域上方形成厚度小于存在于第二区域中的含氮化物层的厚度的含氮化物层。在第一多个栅极结构和第二多个栅极结构上由含氮化物层形成介电间隔物。 背景 本公开涉及半导体结构和器件。更具体地，本公开涉及在半导体器件的制造中采
2022-02-24 13:44:382380 
氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓的一些
2022-03-23 14:15:082074 
氮化铝(AlN)是一种六方纤锌矿结构的共价键化合物，晶格参数为a=3.114，c=4.986。纯氮化铝呈蓝白色，通常为灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族宽禁带半导体材料。
2022-03-23 14:27:463366 本文提供了用于蚀刻膜的方法和设备。一个方面涉及一种在衬底上蚀刻氮化硅的方法，该方法包括:(a)将氟化气体引入等离子体发生器并点燃等离子体以a形成含氟蚀刻溶液；(b)从硅源向等离子体提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
Micro LED被誉为新时代显示技术，但目前仍面临关键技术、良率、和成本的挑战。 微米级的Micro LED已经脱离了常规LED工艺，迈入类IC制程。相对其它竞争方案，大尺寸硅衬底氮化镓（GaN
2022-08-17 12:25:421759 制造大直径GaN衬底的要点（钠熔剂法） 丰田合成表示，6英寸功率半导体氮化镓衬底的研发得益于早期LED氮化镓衬底技术的积累。
2022-11-18 12:33:263244 研究机构Yole Intelligence日前发布对化合物半导体衬底市场的预测，认为在功率和光学应用驱动下，到2027年市场规模将达到24亿美元，2021-2027年间复合年增长率为16%。 该机
2022-11-21 10:31:392028 
硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 15:47:337276 
硅基氮化镓是一个正在走向成熟的颠覆性半导体技术，硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体， 氮化镓主要还是用于LED（发光二极管），微电子（微波功率和电力电子器件），场效电晶体（MOSFET）。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。
2023-02-06 17:38:136685 硅基氮化镓技术是一种将氮化镓器件直接生长在传统硅基衬底上的制造工艺。在这个过程中，由于氮化镓薄膜直接生长在硅衬底上，可以利用现有硅基半导体制造基础设施实现低成本、大批量的氮化镓器件产品的生产。
2023-02-10 10:43:342743 
氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等领域；硅基氮化镓功率器件主要应用于电力电子器件领域。虽然
2023-02-10 10:52:524735 
氮化镓是一种无机化合物，它是一种稀有的金属氮化物，具有高熔点、高硬度和良好的电学性能。它可以用于制造电子元件、电子器件和电子零件，也可以用于制造磁性材料、磁性薄膜和磁性线圈。
2023-02-14 13:56:1910382 硅基氮化镓衬底是一种新型的衬底，它可以提高衬底的热稳定性和抗拉强度，从而提高衬底的性能。它主要用于电子、光学、电力、航空航天等领域。
2023-02-14 14:36:082354 在碳化硅(SiC)上开发了更薄的III族氮化物结构，以期实现高功率和高性能高频薄高电子迁移率晶体管和其他器件。新结构使用
高质量的60纳米无晶界氮化铝成核层来避免大面积的扩展缺陷，而不是1-2米厚的氮化镓缓冲层(图1)。成核层允许在0.2 m内生
长高质量的氮化镓。
2023-02-15 15:34:524 氮化镓(GaN)是一种宽禁带隙的半导体材料，在半导体行业是继硅之后最受欢迎的材料。这背后的原动力趋势是led，微波，以
及最近的电力电子。新的研究领域还包括自旋电子学和纳米带晶体管，利用了氮化镓
2023-02-21 14:57:374 研究采用电感耦合等离子体刻
蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀，刻蚀气体为氯气，添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体流量、电感耦合等离
子体功率、射频功率和室压等关键工艺参数对氮化镓基发光二极管结构刻蚀性
2023-02-22 15:45:411 郝跃院士长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养。在氮化镓∕碳化硅第三代(宽禁带)半导体功能材料和微波器件、半导体短波长光电材料与器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。
2023-04-26 10:21:321473 由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的，因为栅极受片内齐纳二极管保护，它可使电荷损耗至安全水平。
2023-05-08 09:37:07827 
摘要：为了系统地了解氮化硼在填充聚合物导热复合材料中的应用研究现状，介绍了聚合物／氮化硼复合材料的导热机理，综述了氮化硼的粒径、含量、表面改性以及与其他填料杂化复合等因素对聚合物复合材料导热性
2022-11-17 17:40:567645 
基于具有规则六边形孔的纳米图案化氮化铝AlN/蓝宝石模板，蓝宝石氮化预处理和解理面的有序横向生长，保证了离散的氮化铝AlN柱，以均匀的面外和面内取向结合，有效地抑制了凝聚过程中穿透位错threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:111515 
以氮化镓（GaN）为代表的一系列具有纤锌矿结构的氮化物半导体是直接带隙半导体材料，其组成的二元混晶或三元混晶在室温下禁带宽度从0.7 eV到6.28 eV连续可调，是制备蓝绿光波段光电器件的优选材料。
2023-08-04 11:47:572103 
GaN半导体产业链各环节为：衬底→GaN材料外延→器件设计→器件制造。其中，衬底是整个产业链的基础。 作为衬底，GaN自然是最适合用来作为GaN外延膜生长的衬底材料。
2023-08-10 10:53:312650 
氮化镓衬底是一种用于制造氮化镓（GaN）基础半导体器件的基板材料。GaN是一种III-V族化合物半导体材料，具有优异的电子特性和高频特性，适用于高功率、高频率和高温应用。
使用氮化镓衬底可以在上面
2023-08-22 15:17:315816 近日，日本化工企业旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生产出了首款4英寸氮化铝（AlN）衬底，展示了公司生长氮化铝块状单晶工艺的可扩展性，以满足各类应用的生产需求。
2023-08-29 14:37:292540 硅衬底GaN材料在中低功率的高频HEMT和LED专业照明领域已经实现规模商用。基于硅衬底GaN材料的Micro LED微显技术和低功率PA正在进行工程化开发。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架构尚处于早期研究阶段。
2023-10-13 16:02:311829 
由于其独特的材料特性，III族氮化物半导体广泛应用于电力、高频电子和固态照明等领域。加热的四甲基氢氧化铵(TMAH)和KOH3处理的取向相关蚀刻已经被用于去除III族氮化物材料中干法蚀刻引起的损伤，并缩小垂直结构。
2023-11-30 09:01:581043 
GaN和InGaN基化合物半导体和其他III族氮化物已经成功地用于实现蓝-绿光发光二极管和蓝光激光二极管。由于它们优异的化学和热稳定性，在没有其它辅助的情况下，在GaN和InGaN基材料上的湿法蚀刻是困难的，并且导致低的蚀刻速率和各向同性的蚀刻轮廓。
2023-12-05 14:00:221303 
GaN性能优异，在光电子、微电子器件应用广泛，发展潜力巨大；进一步发展，需提升材料质量，制备高质量氮化镓同质衬底。
2023-12-09 10:24:572079 三五族氮化物半导体材料，包括氮化镓，氮化铝，氮化铟及其它们的合金，以其独特的直接带隙半导体特性和从0.6eV到6.2eV连续可调禁带宽度特点，非常适用于光电材料与器件的应用开发和研究。
2023-12-21 09:46:331720 
来了解一下氮化镓开关管的基本结构。它由氮化镓（GaN）和铝镓氮化物（AlGaN）等半导体材料组成，这些材料具有优异的电特性，能够实现高电压、高频率和高功率的开关操作。而四个电极则起到了不同的作用。 首先是栅极（G）：栅极是氮化镓开关管的控制电极，通过
2023-12-27 14:39:182374 III族氮化物半导体可用于固态照明、电源和射频设备的节能。
2023-12-28 09:15:062283 
晶体管）结构。GaN HEMT由以下主要部分组成： 衬底：氮化镓功率器件的衬底采用高热导率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的热扩散率和散热能力。 二维电子气层：氮化镓衬底上生长一层氮化镓，形成二维电子气层。GaN材料的禁带宽度大，由于
2024-01-09 18:06:416141 当前，人们正在致力于研发氮化镓和其他III族氮化物的高功率、高频率器件。
2024-01-11 09:50:461989 
近日，中国台湾和辽宁省分别传来好消息，两家新的SiC（碳化硅）衬底工厂正式落成或正在积极推进中，合计年产能将达到7.2万片。
在中国台湾，SiC新玩家格棋化合物半导体于10月23日举行
2024-10-25 11:20:281364 在半导体领域的璀璨星河中，氮化镓（GaN）衬底正凭借其优异的性能，如高电子迁移率、宽禁带等特性，在光电器件、功率器件等诸多应用场景中崭露头角，成为推动行业发展的关键力量。而对于氮化镓衬底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 
在当今高速发展的半导体产业浪潮中，氮化镓（GaN）衬底宛如一颗耀眼的新星，凭借其卓越的电学与光学性能，在众多高端芯片制造领域，尤其是光电器件、功率器件等方向，开拓出广阔的应用天地。然而，要想充分发挥
2025-01-17 09:27:36420 在半导体制造这一微观且精密的领域里，氮化镓（GaN）衬底作为高端芯片的关键基石，正支撑着光电器件、功率器件等众多前沿应用蓬勃发展。然而，氮化镓衬底厚度测量的准确性却常常受到一个隐匿 “敌手” 的威胁
2025-01-20 09:36:50404 在半导体产业这片高精尖的领域中，氮化镓（GaN）衬底作为新一代芯片制造的核心支撑材料，正驱动着光电器件、功率器件等诸多领域迈向新的高峰。然而，氮化镓衬底厚度测量的精准度却时刻面临着一个来自暗处的挑战
2025-01-22 09:43:37449 横向氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)在中低功率转换应用领域正呈现强劲增长态势。将这一材料体系扩展至更高电压等级需要器件设计和衬底技术的创新。本文总结了台湾研究团队在工程衬底上开发1500V击穿
2025-05-28 11:38:15674 
8英寸碳化硅衬底工厂。 得益于最早在电动汽车主驱逆变器上的大规模应用，根据Yole的数据，ST是2022年全球碳化硅器件市场上份额最高的企业。而三安光电是国内化合物半导体IDM龙头，在LED业务之外，还在砷化镓、氮化镓、碳化硅等领域
2023-06-09 09:14:436410
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