中国台湾与辽宁新增SiC衬底工厂,年产能合计达7.2万片

近日，中国台湾和辽宁省分别传来好消息，两家新的SiC（碳化硅）衬底工厂正式落成或正在积极推进中，合计年产能将达到7.2万片。

在中国台湾，SiC新玩家格棋化合物半导体于10月23日举行了新工厂的落成典礼。该工厂位于桃园中坜区，总投资金额达6亿新台币（约合1.33亿人民币）。预计2024年第四季度，该工厂的6吋碳化硅衬底月产能将达到5000片。此外，格棋还计划在新厂内安装20台8吋长晶炉和100台6吋长晶炉，以大幅提升整体产能。

在落成仪式上，格棋与台湾中科院及日本三菱签署了合作协议。与中科院的合作将共同开发高频通讯用碳化硅组件，为5G/B5G通讯基础建设提供关键组件。而与三菱的合作则致力于扩大日本消费类和车用市场的SiC产品布局。格棋成立于2022年，团队成员在第三代化合物半导体领域拥有超过10年的经验。今年10月，格棋还成功完成了15亿新台币（约合3.33亿人民币）的A轮融资。

与此同时，在辽宁省，奥亿达新材料股份有限公司正在积极推进年产1000吨沥青基碳纤维和500吨热场隔热材料的一体化生产及研发中心建设项目。该项目计划总投资4.52亿元，占地面积达8.5万平方米。预计在今年10月中旬完成厂房与附属设施建设，并在明年年初正式达产。项目达产后，预计实现营业收入约3.3亿元，年税后利润总额1.7亿元，并提供329个就业岗位。

奥亿达新材料成立于2011年，已形成了“石油沥青-沥青基碳纤维－热场材料”全产业链布局。在第三代SiC半导体晶体与外延生长领域，奥亿达新材料率先打破了国外企业在半导体热场隔热材料领域的垄断，填补了国内空白。此外，奥亿达新材料还已正式参编《2024碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，将与众多行业企业一起深入剖析碳化硅产业脉络。

这两家新工厂的落成和推进，无疑将为中国SiC产业的发展注入新的动力。