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意法半导体新ACEPACK功率模块可自由地优化散热器尺寸和功率耗散

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2023-02-08 14:24:113006

功率器件的散热计算

功率器件及功率模块散热计算,其目的是在确定的散热条件下选择合适的散热器,以保证器件或模块安全、可靠地工作。目前的电子产品主要采用贴片式封装器件,但大功率器件及一些功率模块仍然有不少用穿孔式封装,这主要是方便地安装在散热器上,便于散热
2023-02-16 17:52:291869

功率模块功率IC如何区分

功率模块一般指的是将功率MOSFET、IGBT等功率半导体器件与其驱动电路、散热器等部分集成在一起的电路模块。这种模块具有集成度高、可靠性好、稳定性强等优点,适用于功率范围较大的场合,如工业自动化、电力电子等领域。
2023-02-26 17:38:102775

基于ST 半导体ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解决方案

ST-ONEMP与半导体的MasterGaN功率技术配套使用。 MasterGaN技术包含意半导体的集成栅极驱动的氮化镓(GaN)宽带隙功率晶体管。半导体GaN技术的开关频率比传统硅 MOSFET更高,使适配器能够提供更高的功率密度和符合最新生态设计规范的高能效。
2023-03-16 10:29:162011

半导体SiC技术助力博格华纳Viper功率模块设计,为沃尔沃下一代电动汽车赋能

  点击上方  “ 半导体中国” , 关注我们 ‍‍‍‍‍‍‍‍ ✦  半导体为博格华纳的Viper功率模块提供碳化硅 ( SiC ) 功率MOSFET,支持沃尔沃汽车在2030年前全面实现
2023-09-07 08:10:011443

半导体推出双列直插式封装ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模块

半导体推出面向汽车应用的32引脚、双列直插、模制、通孔ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模块。这些组件专为车载充电器 (OBC)、DC/DC 转换、流体泵和空调等系统而设计,具有高
2023-10-26 17:31:321801

半导体发布ACEPACK DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块

中国– 半导体发布了ACEPACK DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装,目标应用是车载充电机(OBC)、DC/DC直流变压、油液
2023-10-30 16:03:101264

半导体发布ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模块

半导体(STMicroelectronics)发布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模块,采用方便的32引脚双列直插式模制通孔封装,适用于汽车应用。针对车载充电器 (OBC
2023-11-14 15:48:491785

半导体与致瞻科技就SiC达成合作!

今日(1月18日),半导体在官微宣布,公司与聚焦于碳化硅(SiC)半导体功率模块和先进电力电子变换系统的中国高科技公司致瞻科技合作,为致瞻科技电动汽车车载空调中的压缩机控制提供半导体第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术。
2024-01-19 09:48:161639

探讨半导体散热器的原理和工作机制

探讨半导体散热器的原理和工作机制 半导体散热器是一种用于散热的设备,主要用于散热处理器、显卡等电子设备中的发热元件。在本文中,我们将详细讨论半导体散热器的原理和工作机制。 半导体器件在工作
2024-02-02 17:06:067754

半导体推出功率MOSFET和IGBT栅极驱动

半导体(下文为ST)的功率MOSFET和IGBT栅极驱动旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:361813

半导体推出新型功率MOSFET和IGBT栅极驱动

半导体(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT栅极驱动,这些产品不仅在设计上追求稳健性和可靠性,还致力于提供高度的系统集成性和灵活性,以满足不同应用场景的需求。
2024-03-12 10:54:431511

比亚迪半导体功率半导体模块与设备专利

此项新发明涉及一款功率半导体模块及设备,该装置由两个散热器—上散热器和下散热器组成,散热器之间配有基板封装组合件,以此来实现上下散热器之间的平行结构。
2024-03-29 09:38:52913

半导体在意大利建设SiC功率器件制造基地

半导体近日宣布,计划在意大利卡塔尼亚投资建设一座综合性大型制造基地,专注于8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模块的制造、封装及测试。此项目预计于2026年投入运营,并计划在2033年前实现全部产能。
2024-06-07 09:52:201275

半导体第四代碳化硅功率技术问世

半导体(简称ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时,半导体还针对
2024-10-12 11:30:592195

半导体与雷诺集团签署碳化硅长期供货协议

‍‍‍‍‍‍‍‍半导体与雷诺集团签署长期供货协议,保证安培碳化硅功率模块的供应安全。
2024-12-05 10:41:211095

雷诺安培与半导体深化合作,签署SiC功率模块供货协议

协议,从2026年起,半导体将为安培长期供应碳化硅(SiC)功率模块。这一举措是雷诺集团与半导体合作开发电源控制系统(powerbox)项目的重要一环,旨在提升安培超高效电动汽车逆变器的性能。 功率模块作为电源控制系统的核心组件,对于电动汽车电驱系统的性能和竞争力至
2024-12-11 11:03:32938

半导体发布250W MasterGaN参考设计

参考设计,旨在加速紧凑、高效工业电源的实现。 MasterGaN-SiP是半导体的创新之作,它将GaN功率晶体管与经过优化的栅极驱动完美整合于一个封装内。这一设计不仅显著提升了电源的性能和可靠性,还通过高度集成的方式,极大地加快了设计速度,并有效节省了PCB电路板空间。 与传统
2024-12-25 14:19:481143

半导体STGAP3S系列电隔离栅极驱动概述

半导体的STGAP3S系列碳化硅(SiC)和 IGBT功率开关栅极驱动集成了半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。
2025-01-09 14:48:331279

半导体新能源功率器件解决方案

在《半导体新能源功率解决方案:从产品到应用,一文读懂(上篇)》文章中,我们着重介绍了ST新能源功率器件中的传统IGBT和高压MOSFET器件,让大家对其在相关领域的应用有了一定了解。接下来,本文将聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半导体产品以及其新能源功率解决方案。
2025-02-07 10:38:501643

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