Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作为符合IEEE 802.3标准的48V以太网供电 (PoE) 系统的开关,能够通过以太网线缆向无线接入点、VoIP网络电话、销售点终端、呼叫系统、IP网络监控镜头及楼房管理设备等终端应用供电。
2015-10-19 13:36:16
1345 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。
2020-04-23 11:05:58
1200 SiZF300DT比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 %的空间,是市场上最紧凑的集成产品之一。
2020-07-09 16:26:13
1726 2*5mm Rectangular Flangless LED封装尺寸及参数说明 产品说明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Greenλσ(nm
2008-09-28 17:42:08
2*5mm Rectangular Type LED封装尺寸及参数说明产品说明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Greenλσ(nm):570Lens Color
2008-09-28 17:44:49
2*5mm Rectangular With Flange LED封装尺寸及参数说明 产品说明:ChipMaterial:GaAsP/GapEmitted Color:Yellow
2008-09-28 17:41:25
2.4*4.5mm Rectangular LED封装尺寸及参数说明 产品说明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Yellowλσ(nm):590Lens
2008-09-28 17:47:24
的技术信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面积5mm × 0.8mm (1.2mm2) (参见图1),是专为诸如信息娱乐系统等空间受限的应用情况设计的。图1:CSD18541F5l与网格阵列封装相比您的那些家用电器采用的SOT-23 (6.75mm2) 封装(参见图2…
2022-11-16 07:06:25
5*5mm Square Type LED封装尺寸及参数说明 产品说明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Orangeλσ(nm):700Lens
2008-09-28 17:43:30
`5MM草帽红光LED灯珠相关参数:产品品牌:鑫光硕LED产品包装:3000个/袋产品型号:5MM草帽红光色区(X/Y)/波长 :615-630nm产品尺寸:5MM(±0.2)半功率角度:120度电
2019-03-07 11:59:06
);5MM草帽红光LED灯珠相关参数:产品品牌:鑫光硕LED产品包装:3000个/袋产品型号:5MM草帽红光色区(X/Y)/波长 :615-630nm产品尺寸:5MM(±0.2)半功率角度:120度电
2019-03-07 11:55:22
5mm Backlighting Wide Angle LED封装尺寸及参数说明 产品说明:ChipMaterial:GaAsp/GapEmitted Color:Orange
2008-09-28 17:39:06
5mm Bi-Color(Multi-Color)with Common产品说明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Greenλσ(nm):571Lens Color
2008-09-28 17:58:22
5mm Low Profile Shape LED封装尺寸及参数说明产品说明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Greenλσ(nm):570Lens Color
2008-09-28 17:07:40
5mm Round Flangeless LED封装尺寸及参数说明 产品说明:ChipMaterial:GaN/SicEmitted Color:Blueλσ(nm
2008-09-28 17:50:25
5mm Round High Efficiency LED封装尺寸及参数说明产品说明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Greenλσ(nm):570Lens Color
2008-09-28 17:46:48
5mm Round LED封装尺寸产品说明:ChipMaterial:GaAsP/GaPEmitted Color:Redλσ(nm):700Lens Color:Color DiffVF(V
2008-09-28 17:00:02
5mm Round LED封装尺寸及参数说明产品说明:ChipMaterial:GapEmitted Color:Super Greenλσ(nm):571Lens Color:Water
2008-09-28 17:51:08
5mm Round Standard LED封装尺寸及参数说明产品说明:ChipMaterial:GaPEmitted Color:Redλσ(nm):650Lens Color:Color
2008-09-28 17:37:47
北京 - 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 2A、36V 降压型开关稳压器 LT1912,该器件采用 3mm x 3mm DFN (或
2018-11-26 16:59:46
BLDC电机,则需要使用三个半桥(六个MOSFET)组成一个三相逆变器。凭借TI采用堆叠管芯架构的CSD88584Q5DC和 CSD88599Q5DC功率块(小型无引线(SON),5mm×6mm封装
2019-03-05 06:45:07
概述:LTC3811采用5mm x 7mmQFN和G36封装,全部采用N沟道MOSFET、用4.5V至30V的输入电压工作,为0.6V至3.3V的低输出电压而优化。
2021-04-12 07:08:14
(POL)、高效负载开关和低端切换、稳压器模块(VRM)以及ORing功能。设计人员使用FDMC8010器件,能够将封装尺寸从5mmx6mm减小为3.3mmx3.3mm,节省66%的MOSFET占位面积
2012-04-28 10:21:32
深圳Fast-print Circuit Technology公司推出系列8层PCB,其线宽和间距分别为0.15mm和0.2mm。板厚度为5mm,过孔直径为0.3mm。该系列多层PCB板尺寸为364.5×259mm,采用FR-4碾压基材制造,表面覆镍金镀层。
2018-08-27 16:14:02
输出电容器时,在 12A 时达到约 97% 的峰值效率。TPS40170 是输入电压为 4.5V 至 60V 的全功能同步降压控制器,采用 3.5mm x 4.5mm 20 引脚 QFN 封装。
2018-07-13 03:33:47
STTS751温度传感器是否可以测量200mm到5mm变化距离的液体温度呢?
2022-12-07 10:41:55
帮助工程师在空间受限的高压应用中,可靠地驱动MOSFET或IGBT,简化设计并提升系统功率密度。核心特性:
高压与小封装集成:支持最高200V的母线电压,采用超紧凑的DFN3x3-8封装,显著节省PCB空间
2025-12-27 09:27:00
哪位兄弟知道QFN 5mm*4mm 16-lead封装的尺寸告诉我一下,谢谢啦。
2010-03-22 14:10:45
`<p>Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列,推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
proteus 上怎么找到φ5mm的红外线发射管??求赐教
2017-11-15 21:47:06
为什么贴片电阻的封装是3.81mm*1.27mm?应该是0805=2.0x1.2mm才对啊
2013-08-19 20:14:30
的封装内采用更高性能的MOSFET,业内的一个趋势是从SO-8等标准引线封装向带有底面漏极焊盘的功率封装转变。对于大电流应用,常用的是功率6mmx 5mm封装,例如PowerPAK® SO-8。但对
2013-12-23 11:55:35
描述16针5mm MSOP转DIP适配器我需要一个 MSOP 5mm 16 针到 PDIP 适配器,用于面包板和测试 LTC2645,很难找到,所以我为此制作了自己的 BoB。我建议也买一个小模板。耐心和小心,仔细检查你的工作,但对我来说它有效!
2022-07-14 06:34:59
蓝牙背光超薄键盘Light 1,其外观大小为281mm X 143mm X7mm,重量为210克,最薄处仅4.5mm。这款键盘的按键采用先进的剪刀脚X架构设计,精准的剪刀式按键机械结构可以使受力
2013-01-21 13:53:23
MOSFET减小了75%。图2:传统SOT-23封装,旁边是CSD18541F5LGA封装和这位工程师做了一些快速计算,我们的结论是如果每个电路板用10个元件,他就能节省大约55mm2占位面积——每个元件的节省
2018-08-29 16:09:11
有人知道4.5*4.5MM封装的芯片吗,麻烦告诉下型号,谢谢
2021-05-25 11:15:54
和赞许,成为系统IC和最新半导体技术方面首屈一指的主导企业。 RB068MM100和RB168MM100是ROHM公司推出的2款肖特基势垒二极管。二者的反向峰值电压均为100V,反向电压(VR)也均为
2019-07-23 04:20:37
LTC3612 :采用3mm x 4mm QFN封装的3A、4MHz同步降压型稳压器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率、4MHz 同步降压型稳压器 LTC3612,该器件采用
2009-09-20 07:50:59
1308 
安森美新增100V N沟道MOSFET系列:NTP641x/NTB641x/NTD641x
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET系列,新增12款100伏(V)器件。安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSF
2010-02-05 08:37:09
2023 Power SO-8LFPAK封装60V和100V晶体管
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶体管,扩充Trench 6 MOSFET产品线。新产品采用Power SO-8LFPAK封装,支持60 V和100 V两种工作
2010-02-09 09:27:39
2762 Diodes Incorporated 推出了一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4毫米,占板面积只有四平方毫米,是一款额定电压为 -25V的P通道器
2012-05-03 10:08:40
2363 Diodes公司近日推出一系列採用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道和P通道MOSFET。採用DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4,离板高度只有0.4mm,面积只有4mm2,是一款额定电压为 -25V的P通道元件,较同类
2012-05-04 11:34:53
1159 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为LED照明及通用功率管理应用,推出支持升、降压和电压反向电路拓扑的微型直流-直流转换器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封装,只需少量外部元件,就能有效减少电路占位面积及物料清单成本。
2013-07-24 15:19:15
2176 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2,离板厚度仅0.4mm,面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。
2013-08-06 12:26:27
1575 TrenchFET®功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件,在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:44
1122 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对MOSFET H桥,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积,简化电机驱动和电感无线充电电路。
2015-03-03 10:43:40
2499 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别
2015-12-16 16:57:43
1580 转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里,低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:17
1295 关键词:逻辑器件 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出两款采用了全球最小封装形式DFN0808的单门逻辑器件系列74AUP1G及74LVC1G。两款微型逻辑器件的占位
2018-09-23 12:38:02
539 最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:01
1015 本文档的主要内容详细介绍的是C1301系列4.5mm线对线卡扣连接器的数据手册免费下载
2019-06-19 08:00:00
0 本文档的主要内容详细介绍的是4.5mm高贴片电解电容封装规格说明。
2021-01-07 08:00:00
1 DN466 - 热插拔控制器、MOSFET 和检测电阻器集成在一个 5mm x 3mm DFN 封装中,以在紧凑狭小的空间提供 准确的电流限制和负载电流监视
2021-03-18 21:25:58
5 采用纤巧 2mm x 2mm DFN 封装的 40V、500mA (Iout)、2.2MHz 降压型 DC/DC 转换器
2021-03-18 22:33:57
11 LTC3605 - 采用 4mm x 4mm QFN 封装的 15V、4MHz、同步降压型稳压器提供 5A 电流
2021-03-19 02:16:56
2 4 路同步降压型 DC/DC 转换器采用 3mm x 3mm QFN 封装,提供独立的 300mA、2 x 200mA 和 100mA 输出
2021-03-19 05:52:58
6 4mm x 7mm 占板面积的 IC 可产生 7 个稳定输出
2021-03-19 06:09:49
7 具扩展频谱调制功能的 17V、4MHz、双输出 3.5A 同步 降压型稳压器降低了 EMI 并采用紧凑型 3mm x 5mm QFN 封装
2021-03-19 08:14:05
8 采用 3mm x 3mm QFN 封装的 15V、4MHz、同步降压型稳压器提供 1.5A 电流
2021-03-19 09:10:58
7 LTC3309A:5V、6A 同步降压型 Silent Switcher稳压器,采用 2mm × 2mm LQFN 封装
2021-03-20 10:44:33
15 采用 3mm x 3mm QFN 封装的 15V、2.25MHz 同步双输出 600mA 降压型稳压器
2021-03-20 19:00:33
6 LTC3611 - 采用 9mm x 9mm QFN 封装的 32V 输入同步降压型稳压器提供 10A 电流
2021-03-20 23:24:18
4 LTC3609 - 采用 7mm x 8mm QFN 封装的 32V 同步降压型稳压器可提供 6A 电流
2021-03-21 00:43:02
7 采用 3mm x 5mm QFN 封装的 6A、4MHz、同步降压型稳压器
2021-03-21 05:15:15
8 采用 3mm x 3mm QFN 封装的15V、4MHz、同步 2.5A 降压型稳压器
2021-03-21 05:25:51
5 15V、4MHz、同步双输出 3A 电流降压型稳压器采用 4mm x 5mm QFN 封装
2021-03-21 06:00:37
7 LTC3610 - 采用 9mm x 9mm QFN 封装的 24V 输入同步降压型稳压器提供 12A 电流
2021-03-21 10:42:48
4 采用 2mm x 2mm DFN 封装的低噪声偏置发生器
2021-03-21 15:07:45
11 5mm x 5mm 三相 DC/DC 控制器可于高达 140ºC 工作
2021-03-21 17:14:02
8 LTC3311:5V、12.5A同步降压静音开关,采用3 mm x 3 mm LQFN数据表
2021-03-22 15:56:11
9 英飞凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列,旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。
2022-03-14 17:39:16
2199 
RAINSUN内置RF射频5MM蓝牙陶瓷天线AN2051-245
2022-07-01 09:39:52
3683 借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积
2022-11-02 08:16:25
0 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、5.6 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN5R5-100YSF
2023-02-08 18:42:39
0 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、15.3 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN015-100YSF
2023-02-09 21:54:47
0 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100 V、11.7 mOhm N 沟道 MOSFET-PSMN012-100YSF
2023-02-09 21:55:00
1 采用 LFPAK56 封装的 NextPower 100V、10.9mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN011-100YSF
2023-02-20 19:50:19
0 N 沟道 100 V、5 mΩ 标准电平 MOSFET,采用 TO-220-PSMN5R0-100PS
2023-02-22 18:46:36
0 N 沟道 100 V、5 mΩ 标准电平 MOSFET,具有改进的 SOA,采用 TO220 封装-PSMN4R8-100PSE
2023-02-22 18:54:23
0 采用 TO220 封装的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:14
0 采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:52
0 采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:04
0 采用 TO220 封装的 NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:23
0 N 沟道 100V 8.5 mΩ 标准电平 MOSFET,采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:57
0 LTC3313 降压型 Silent Switcher® Analog Devices 的 5 V、15 A 同步降压 Silent Switcher 采用 3 mm x 3 mm LQFN 封装
2023-07-03 14:32:21
10035 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装,具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:12
1705 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能,使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:15
3071 带有额定电压为160V的2ED2748S01G(3x310引脚DFN封装)半桥栅极驱动器,可驱动12个额定电压为100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
2024-03-13 08:13:07
1575 
5mm LED 非常有用,因为它们可以轻松地由小型电池供电并持续很长时间。这使得将它们集成到许多电子产品中或将灯放置在它们通常无法到达的地方变得很容易。 5mm LED 的名称是根据其尺寸而得名
2024-05-22 16:06:44
2155 
新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半桥模块系列新增5.2mΩ新规格。其采用了M1H芯片技术,模块还提供预涂导热界面材料
2024-07-05 08:14:38
968 
、选择3mm视觉插件灯珠和5mm视觉插件灯珠时,需要考虑多个因素,亮度,光色,应用场景都是优先要考虑的。如果你不清楚3mm还是5mm适合你,可以分别测试下样品。没有对比就没有发言权嘛
2024-11-23 17:18:14
1312 LMG2100R026 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲、53A 半桥功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两个 GaN FET 组成,由一个采用半桥配置的高频
2025-02-21 17:17:56
1047 
这款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 *附件:csd18511q5a.pdf 特性 低 R DS(开启
2025-04-16 10:45:52
677 
TPSM53604 电源模块是一种高度集成的 4A 电源解决方案,它将 36V 输入降压直流/直流转换器与功率 MOSFET、屏蔽电感器和无源器件组合在一个热增强型 QFN 封装中。5mm x
2025-04-21 09:22:48
754 
随着通信基站和工业设备电源系统向48V升级,高效、节能的元器件需求日益迫切。KUU凭借先进工艺与封装技术,全新推出2款100V耐压双MOSFET,以超低导通电阻和紧凑尺寸,为风扇电机驱动提供高性能
2025-04-30 18:33:29
877 
基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块,该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术,在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:14
1293 
ROHM(罗姆半导体)宣布,开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装,非常适用于采用48V电源AI
2025-11-17 13:56:19
200 
特点、性能参数、应用场景以及设计要点。 文件下载: Bourns PEC05 5mm增量微型编码器.pdf 一、产品特点 1. 紧凑设计 PEC05系列编码器采用了紧凑的设计,这对于空间有限的应用场景来说至关重要。在如今追求小型化和集成化的电子设备中,紧凑的编码器能够节省宝贵的
2025-12-22 14:40:02
188
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