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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装有效节省占位面积

Diodes 100V MOSFET H桥采用5mm x 4.5mm封装有效节省占位面积

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2023-02-22 18:54:230

采用 TO220 封装的 NextPower 100V,8.7 mΩN沟道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF

采用 TO220 封装的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140

采用 I2PAK 封装的 NextPower 100V,8.8 mΩN沟道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF

采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、8.8 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN8R5-100ESF
2023-02-23 18:44:520

采用 I2PAK 封装的 NextPower 100V,18 mΩN沟道 MOSFET-PSMN018-100ESF

采用 I2PAK 封装的 NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100ESF
2023-02-23 18:45:040

采用 TO220 封装的 NextPower 100V,18 mΩN沟道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封装的 NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100PSF
2023-02-23 18:45:230

N 沟道 100V 8.5 mΩ 标准电平 MOSFET采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 沟道 100V 8.5 mΩ 标准电平 MOSFET采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS
2023-03-03 20:12:570

5 V、15 A 同步降压 Silent Switcher 采用 3 mm x 3 mm LQFN 封装

LTC3313 降压型 Silent Switcher® Analog Devices 的 5 V、15 A 同步降压 Silent Switcher 采用 3 mm x 3 mm LQFN 封装
2023-07-03 14:32:2110035

英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm²封装MOSFET器件的产品阵容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET进一步优化了用于高性能设计的成熟OptiMOS技术。新产品采用超小型PQFN 2x2 mm2封装,具备先进的硅技术、稳定可靠的封装与极低的热阻(RthJC最大值为3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:121705

AOS推出新款100V MOSFET AONA66916

Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916,采用了创新的双面散热 DFN 5 x 6 封装。这一创新型封装为 AOS 产品赋予了卓越的散热性能,使其在长期恶劣的运行条件下仍能保持稳定的性能。
2024-01-26 18:25:153071

160VSOI半驱动器驱动100V MOSFET评估套件

带有额定电压为160V的2ED2748S01G(3x310引脚DFN封装)半栅极驱动器,可驱动12个额定电压为100V的OptiMOSMOSFETIPTC015N
2024-03-13 08:13:071575

5mm LED灯珠 基础知识

5mm LED 非常有用,因为它们可以轻松地由小型电池供电并持续很长时间。这使得将它们集成到许多电子产品中或将灯放置在它们通常无法到达的地方变得很容易。 5mm LED 的名称是根据其尺寸而得名
2024-05-22 16:06:442155

新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm模块系列产品扩展

新品采用2000VSiCM1H芯片的62mm模块系列产品扩展2000V的62mmCoolSiCMOSFET半模块系列新增5.2mΩ新规格。其采用了M1H芯片技术,模块还提供预涂导热界面材料
2024-07-05 08:14:38968

视觉插件是选择3mm还是5mm直插灯珠

、选择3mm视觉插件灯珠和5mm视觉插件灯珠时,需要考虑多个因素,亮度,光色,应用场景都是优先要考虑的。如果你不清楚3mm还是5mm适合你,可以分别测试下样品。没有对比就没有发言权嘛
2024-11-23 17:18:141312

技术资料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半氮化镓 (GaN) 功率级

LMG2100R026 器件是一款 93V 连续、100V 脉冲、53A 半功率级,集成了栅极驱动器和增强型氮化镓 (GaN) FET。该器件由两个 GaN FET 组成,由一个采用配置的高频
2025-02-21 17:17:561047

CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET™ 功率 MOSFET,单 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技术手册

这款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 *附件:csd18511q5a.pdf 特性 低 R DS(开启
2025-04-16 10:45:52677

TPSM53604 36V、4A 降压电源模块,采用小型 5.5 x 5 x 4mm 增强型 HotRod™ QFN 封装数据手册

TPSM53604 电源模块是一种高度集成的 4A 电源解决方案,它将 36V 输入降压直流/直流转换器与功率 MOSFET、屏蔽电感器和无源器件组合在一个热增强型 QFN 封装中。5mm x
2025-04-21 09:22:48754

【KUU重磅发布】2款100V耐压双MOSFET5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低导通电阻,助力通信基站高效节能

随着通信基站和工业设备电源系统向48V升级,高效、节能的元器件需求日益迫切。KUU凭借先进工艺与封装技术,全新推出2款100V耐压双MOSFET,以超低导通电阻和紧凑尺寸,为风扇电机驱动提供高性能
2025-04-30 18:33:29877

基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET模块

基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET模块,该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术,在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
2025-08-01 10:25:141293

ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET

ROHM(罗姆半导体)宣布,开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm封装,非常适用于采用48V电源AI
2025-11-17 13:56:19200

探索PEC05系列5mm增量式微型编码器:设计与应用全解析

特点、性能参数、应用场景以及设计要点。 文件下载: Bourns PEC05 5mm增量微型编码器.pdf 一、产品特点 1. 紧凑设计 PEC05系列编码器采用了紧凑的设计,这对于空间有限的应用场景来说至关重要。在如今追求小型化和集成化的电子设备中,紧凑的编码器能够节省宝贵的
2025-12-22 14:40:02188

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