新品
采用2000V SiC M1H芯片的
62mm半桥模块系列产品扩展


2000V的62mm CoolSiC MOSFET半桥模块系列新增5.2mΩ新规格。其采用了M1H芯片技术,模块还提供预涂导热界面材料(TIM)版本。
相关产品:
FF5MR20KM1H (P) 5.2mΩ,
2000V 62mm半桥模块
(P)为预涂导热界面材料(TIM)版本
产品特点
坚固的集成体二极管,优化了热阻
卓越的栅极氧化层可靠性
抗宇宙射线能力强
应用价值
按照应用苛刻条件优化
更低的电压过冲
导通损耗最小
高速开关,损耗极低
对称模块设计实现对称的上下桥臂开关行为
标准模块封装技术确保可靠性
62毫米高产量生产线的生产
竞争优势
通过碳化硅扩展成熟的62毫米封装的产品,以满足快速开关要求和低损耗的应用
电流密度最高,防潮性能强
应用领域
储能系统
电动汽车充电
光伏逆变器
UPS
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
462文章
53534浏览量
458981 -
SiC
+关注
关注
32文章
3503浏览量
68104 -
半桥模块
+关注
关注
1文章
10浏览量
1570
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
倾佳电子力荐:BASiC 62mm封装BMF540R12KA3 SiC MOSFET模块 —— 重新定义高功率密度与效率的边
倾佳电子力荐:BASiC 62mm封装半桥BMF540R12KA3 SiC MOSFET模块 —— 重新定义高功率密度与效率的边界 关键词:
新品 | 英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
新品英飞凌EconoDUAL3CoolSiCSiCMOSFET1200V模块英飞凌EconoDUAL31200V/1.4mΩCoolSiCS
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模块
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模块英飞凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ
CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE
的应用,CAB450M12XM3的体积和重量仅为传统62mm模块的一半,完美适配空间受限的安装环境。
低电感架构:其6.7nH的低电感设计优化了功率总线布局,显著降低了开关过程中的能量
发表于 03-17 09:59
瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压功率模块
日前,瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2),为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。该

新品 | 采用 2000V SiC M1H芯片的62mm半桥模块系列产品扩展
评论