瑞萨电子公司宣布开发面向消费类产品（如无线电动工具和电动自行车）中电机驱动的100A大电流功率MOSFET，
2011-07-29 09:17:46
2363 本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
2015-06-12 09:51:237449 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布推出用于空调功率系数校正（PFC）电路的新型功率半导体器件，可广泛用于中低端空调的部分开关
2015-12-01 16:49:381982 瑞萨电子用于开发智能手机光学图像防抖系统的固件和开发工具2015年11月25日，日本东京讯——全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）于今日宣布推出功能先进的光学图像防抖器（OIS）驱动器IC RAA305315GBM，该器件可使先进智能手机的摄像头进行高精度、广范围的定位。
2015-12-10 09:38:232529 在高压开关电源应用中，相较传统的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下简称“SiC”）MOSFET有明显的优势。使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>
2023-08-03 11:09:572587 
适用SiC逆变器的各要素技术(SiCpower module,栅极驱动回路,电容器等)最优设计与基准IGBT对比逆变器能量损失减少→EV续驶里程提升(5%1)
2024-01-26 10:25:44853 
硅基MOSFET和IGBT过去一直在电力电子应用行业占据主导地位，这些应用包括不间断电源、工业电机驱动、泵以及电动汽车（EV）等。然而，市场对更小型化产品的需求，以及设计人员面临的提高电源能效的压力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成为这些应用中受欢迎的替代品。
2025-01-02 14:24:401640 
大电流 Si IGBT 和小电流 SiC MOSFET 两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。为了尽可能在不同工况下分别利用
2025-01-21 11:03:572639 
：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动
2024-05-23 11:23:221233 
33V，适合驱动 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率开关。集成的 UVLO 保护确保在异常情况下输出保持在低电平。输入侧供电电压 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之间工作，支持大多数
2025-04-03 14:23:02
的效率密切相关。 对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容 (利于快速切换) 以及较高驱动能力的MOSFET。 03 IGBT适合高压大电流应用 与MOSFET相比，IGBT开关速度较慢
2022-06-28 10:26:31
技术取得了不少突破，其中碳化硅（SiC）材料耐压、耐温更高，因此用碳化硅做成的MOSFET就可以直接媲美IGBT的电压、电流承载能力，而无需再使用更为复杂的IGBT结构。在电动汽车、轨道交通领域
2023-02-16 15:36:56
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动，以充分获得低导通电阻。也就是说，两者的区别之一是驱动电压要比
2018-11-30 11:34:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
作的。全桥式逆变器部分使用了3种晶体管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFET），组成相同尺寸的移相DCDC转换器，就是用来比较各产品效率的演示机
2018-11-27 16:38:39
SiC MOSFET的价格调查。 结论 硅IGBT在20世纪80年代对电力电子领域产生了巨大的积极影响，从那时起它一直是该行业的主力。下一项革命性技术将是SiC MOSFET。今天的SiC
2023-02-27 13:48:12
MOSFET晶体管必须在较高的栅极电压下工作，考虑到后者必须具有快速的dV / dt才能实现快速的开关时间。为了满足下一代MOSFET的严格要求，RECOM推出了各种转换器，专门为SiC MOSFET驱动
2019-07-30 15:15:17
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
通时产生的Vd振铃、和低边SiC-MOSFET的寄生栅极寄生电容引起的。全SiC功率模块的开关速度与寄生电容下面通过与现有IGBT功率模块进行比较来了解与栅极电压的振铃和升高有关的全SiC功率模块的开关
2018-11-30 11:31:17
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05
2023 年 3 月 2 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出10款结合了瑞萨广泛产品的全新“成功产品组合”——其中包括电动汽车（EV）充电、仪表盘
2023-03-02 14:29:51
瑞萨电子与3db Access合作推出安全超宽带解决方案
2021-02-05 07:05:13
瑞萨推出SH7216系列32-位片上Flash存储器MCU作者：时间：2009-04-21来源：电子产品世界字号： 小 中 大关键词： 瑞萨 RISC 32MCU Flash SuperH 瑞萨
2022-01-26 06:01:47
技术系统开发课题的“答案”期待“功能模块”长期以来，瑞萨对于IGBT和MOSFET等功率器件以及模拟数字IC、光电耦合器、驱动器IC等产品推出了低端到高端的各类控制用MCU，而瑞萨提案把电力电子技术电路
2012-12-06 16:15:17
瑞萨解决方案之LCD直接驱动瑞萨车载导航系统解决方案瑞萨解决方案之洗衣机方案瑞萨解决方案之洗衣机 (740系列, R8C Tiny, H8 Tiny)瑞萨电子智能家居解决方案【视频】瑞萨纯数字照明
2015-01-30 18:27:24
电子书“IGBT 和 SiC 栅极驱动器基础知识”
2022-10-25 17:20:12
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
器。高边连接的MOSFET或IGBT的工作电压可高达+600V，IRS26302D广泛用于通用逆变器和空调器逆变器以及马达控制。它为44脚PLCC封装工艺。一、IRS26302DJBPF外观图
2021-05-18 07:25:34
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
三相逆变器中IGBT的驱动电路有哪几种？用于IGBT驱动的集成电路芯片有哪些？其使用方法和优缺点是什么?
2021-04-20 06:35:24
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
。设计挑战然而，SiC MOSFET 技术可能是一把双刃剑，在带来改进的同时，也带来了设计挑战。在诸多挑战中，工程师必须确保：以最优方式驱动 SiC MOSFET，最大限度降低传导和开关损耗。最大
2017-12-18 13:58:36
逆变器系统中的隔离式栅极驱动器图1所示的隔离式栅极驱动器集成电路是牵引逆变器电力输送解决方案不可或缺的一部分。栅极驱动器提供从低压到高压（输入到输出）的电隔离，驱动基于SiC或IGBT的三相电机半桥的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
3赛季）与文图瑞车队签署官方技术合作协议，并在上个赛季为其提供了SiC肖特基势垒二极管（SiC-SBD）。通过将FRD更换为SiC-SBD，第2赛季由IGBT和快速恢复二极管（FRD）组成的逆变器成功
2018-12-04 10:24:29
电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜内置SiC二极管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
极驱动器的优势和期望，开发了一种测试板，其中测试了分立式IGBT和SiC-MOSFET。标准电压源驱动器也在另一块板上实现，见图3。 图3.带电压源驱动器（顶部）和电流源驱动器（底部）的半桥
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
快速增长的电动汽车市场，安森美半导体推出了许多IGBT、低中高压MOSFET、高压整流器、汽车模块和数字隔离栅极驱动器以及一个用于48V系统的80 V 和100V MOSFET。最新增加到汽车电源
2018-10-25 08:53:48
。Eon也降低30％左右，因此共可降低77%的开关损耗。开关速度比IGBT更高全SiC模块与IGBT模块相比，可实现更高速度的开关。下图为以5kHz和30kHz驱动PWM逆变器时的损耗仿真结果。从仿真
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
IGBT的开关损耗有巨大的贡献。SiC MOSFET不存在这种称为尾电流的效应，并且可以以更少的能量损失完成关断。 结论 本文讨论的参数和特性揭示了电力电子设计的某些方面。当前和未来的电子设计，如电池
2023-02-24 15:03:59
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT，但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大，因此，更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是，传统的SiC-MOSFET，体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
瑞萨科技推出用于笔记本CPU电源、与DrMOS相兼容的DrMOS
株式会社瑞萨科技（以下简称瑞萨）宣布推出R2J20653ANP，一款适用于笔记本电脑用CPU及存储器等器件中稳压器（VR
2010-01-08 08:51:101536 瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)推出新款系统SoC——CE150。新产品面向智能手机及高端移动电话的内置照相机应用
2011-03-21 11:18:11918 瑞萨电子株式会社(以下简称瑞萨电子)推出用于电源器件的新型高压、N通道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)产品。新产品名为RJK60S5DPK
2011-03-21 11:20:251352 高级半导体解决方案领军厂商瑞萨电子（中国）有限公司宣布推出瑞萨先进电机控制算法- 瑞萨先进电机控制解决方案Renesas Advanced Motor Drive Algorithm。
2012-07-24 15:56:112262 
瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。
2014-03-25 10:19:44981 全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723），于今日宣布推出第八代G8H系列绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的六款新产品，其可将用于太阳能发电系统的功率调节器中的转换损耗降至最低，并减少不间断电源（UPS）系统中的逆变器应用。
2016-03-21 13:48:223062 
2017年4月10日，日本东京讯——全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布推出新型100 kW级逆变器解决方案，实现业界领先的3.9升（L）小型设计等级，可用于包括SUV在内的中到大型混合动力汽车（HEV）和中小型电动汽车（EV）使用的100 kW级大功率电机。
2017-05-04 16:07:152497 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:05
22 众所周知，SiC材料的特性和优势已被大规模地证实，它被认为是用于高电压、高频率的功率器件的理想半导体材料。SiC器件的可靠性是开发工程师所关心的重点之一，因为在出现基于Si材料的IGBT
2017-12-21 09:07:0438316 
全球领先的电子元器件分销商富昌电子（Future Electronics）今日发布符合功能安全基础的电动汽车逆变器（EV Inverter）电机驱动整套方案。
2019-03-29 10:45:113457 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），推出另两个碳化硅（SiC） MOSFET系列，扩展了其宽禁带（WBG）器件系列。 这些新器件适用于各种
2020-03-12 14:55:513302 。SiC MOSFET 和 IGBT 的应用具有相似的功 率水平，但随着频率的增加而产生差异，如图 1 所示。SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电
2022-03-18 12:07:168882 Power Integrations今日宣布推出适用于Infineon EconoDUALTM模块的SCALETM EV系列门极驱动板。新款驱动器同样适用于原装、仿制以及其它新的采用SiC的衍生模块
2022-05-10 19:30:485123 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，面向电动汽车（EV）车载电池管理系统（BMS）设计人员推出符合AUTOSAR标准的复合驱动程序（CDD）软件模块。此款全新软件与广受业界好评的瑞萨ISL78714锂离子电池管理IC配合使用，以加速下一代系统的设计并优化性能。
2022-06-10 11:09:002093 瑞萨电子推出用于电动汽车逆变器的新一代硅基 IGBT 全新功率器件将在瑞萨新落成的 300mm 甲府工厂生产 2022 年 8 月 30 日，中国北京讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子
2022-08-31 13:44:211512 
新品速递 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC
2023-02-02 11:10:022205 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。
2023-02-02 11:09:391985 栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。
2023-02-02 11:10:211641 RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品以及其它制造商的IGBT和SiC MOSFET器件共同使用。
2023-02-07 09:41:31836 上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:202548 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:034586 
在对功率模块选型的时候要根据功率模块的参数匹配合适的驱动器。这就要求在特定的条件下了解门级驱动性能和参数的计算方法。 本文将以实际产品中用到的参数进行计算说明，并且对比实际的IGBT和SiC
2023-02-22 14:45:3918 如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0483 碳化硅 MOSFET 驱动电路保护 SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路
2023-02-27 14:43:029 MOSFET 与 IGBT 之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章概述了 安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响 ，作为安森美提供的全方位宽禁带
2023-06-25 14:35:021535 
电子发烧友网站提供《PMP22835.1-适用于牵引逆变器应用的隔离式IGBT 和 SiC 驱动器辅助电源 PCB layout 设计.pdf》资料免费下载
2024-05-20 11:26:360 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。
2023-12-01 09:47:421458 
器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。 金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源QA-R3G/QAC-R3G系列产品，同时为结合充电桩市场应用需求，打造了全新的满足元器件100%国产化、高可靠的R3代驱动电
2023-12-13 16:36:191583 
利用 SiC 功率器件开关频率高、开关损耗低等优点, 将 SiC MOSFET 应用于水下航行器大功率高速电机逆变器模块, 对软硬件进行设计。
2024-03-13 14:31:46775 
IGBT的驱动电压一般都是15V，而SiC MOSFET的推荐驱动电压各品牌并不一致，15V、18V、20V都有厂家在用。更高的门极驱动电压有助于降低器件导通损耗，SiC MOSFET的导通压降对门
2024-05-13 16:10:171485 Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301651 近日，Littelfuse公司发布了IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器，这款新型驱动器在业界引起了广泛关注。
2024-05-23 11:34:211464 电子发烧友网站提供《使用隔离式 IGBT 和 SiC 栅极驱动器的 HEV/EV 牵引逆变器设计指南.pdf》资料免费下载
2024-09-11 14:21:390 电子发烧友网站提供《用于800V牵引逆变器的SiC MOSFET高密度辅助电源.pdf》资料免费下载
2024-09-12 09:44:146 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，率先在全球范围内推出用于电动汽车（EV）驱动电机系统（E-Axle）的“8合1”概念验证（注）（PoC）方案——通过单个微控制器（MCU
2024-11-21 13:51:231138 近日，瑞萨电子公司宣布推出新型100V高功率N沟道MOSFET。这款产品专为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电应用而设计，以其卓越的高电流开关性能和行业领先的技术表现成为市场焦点。新型
2025-01-13 11:41:38957 
电子发烧友网站提供《驱动Microchip SiC MOSFET.pdf》资料免费下载
2025-01-21 13:59:122 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“ TLP5814H ”，具备＋6.8 A／–4.8 A的输出电流，采用小型
2025-03-06 19:24:014004 
东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”。该器件具备＋6.8 A／–4.8 A的输出电流，采用小型
2025-03-11 15:11:55512 
革命性替代：为何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？ —— 当效率差距跨越临界点，IGBT被淘汰便是唯一结局 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块
2025-05-30 16:24:03933 
Si-IGBT+SiC-MOSFET并联混合驱动逆变器设计的关键要素
2025-06-06 08:25:172984 
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET栅极驱动器是一款隔离式、高度可配置的单通道栅极驱动器，设计用于驱动EV/HEV应用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
倾佳电子户储与工商业混合逆变器功率器件从IGBT向SiC MOSFET全面转型的驱动因素深度研究报告 倾佳电子（Changer Tech）是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于
2025-11-28 07:54:041874 
探索GD3162：先进IGBT/SiC栅极驱动器的卓越性能 作为电子工程师，在设计xEV牵引逆变器时，选择合适的栅极驱动器至关重要。今天，我们就来深入了解一下NXP的GD3162——一款先进的单通道
2025-12-24 14:25:02223 瑞萨RAJ240055 R - BMS F评估套件快速上手 在电池管理系统（BMS）的开发与评估中，一款合适的评估套件能起到事半功倍的效果。今天我要给大家详细介绍的就是瑞萨（Renesas
2025-12-26 17:25:18400 深入解析ACPL - 355JC：10A IGBT和SiC MOSFET栅极驱动光耦合器 在电力电子领域，IGBT和SiC MOSFET作为关键的功率开关器件，其可靠驱动至关重要。今天我们要详细探讨
2025-12-30 15:40:03308
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