在本系列的前几篇文章中[1-7]，我们介绍了基于安森美丰富的SiC功率模块和其他功率器件开发的25 kW EV快充系统。
2022-06-29 11:30:50
5045 碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型（晶体多晶型），并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件，4H-SiC被认为是理想的，其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新，包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联
2023-01-07 10:24:371060 近年来，SiC功率器件的出现大大提升了半导体器件的性能，这对电力电子行业的发展意义重大。据Yole预测，到2023年SiC功率器件市场规模预计将达14亿美元，其主要的市场增长机会在汽车领域，特别是
2019-07-05 11:56:2833343 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361220 一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜ 相关产品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。 SiC器件漂移层的阻抗
2023-02-07 16:40:49
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与Si相比，它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙，SiC器件的工作温度可高达600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项，在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项：栅极误导通首先需要了解的是：接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-25 06:20:09
与硅相比，SiC有哪些优势？SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能？碳化硅器件的缺点有哪些？
2021-07-12 08:07:35
代表，SiC材料、器件已经列入国家“十四五”科技规划，其具有电压高、损耗低、耐高温工作等优势，对于电力电子装备高效化、小型化具有重要作用。 SiC材料的这些优良特性，需要通过封装来实现功率和信号高效
2023-02-27 14:22:06
众多电子信息系统的性能。已有文献报道采用SiC 功率器件制作了宽带脉冲功率放大器， 并进行了性能测试和环境试验， 证实了SiC 功率器件可靠性较高、环境适应能力较强等特点。
2019-08-12 06:59:10
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半导体已经开始实际应用，并且还应用在对品质可靠性要求很严苛的车载设备上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
标准的产品，并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中，ROHM作为ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色，使得我们能够
2023-03-29 15:06:13
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人们当然关注SiC之类的新材料，但是，目前占有极大市场份额和应用领域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们！罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业，自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
评估板，带给全SiC功率器件应用的有益影响；⑤项目调试，优化驱动电路选型，并分享调试经验；预计成果分享项目的开展、实施、结果等过程，展示项目结果。
2020-04-21 16:02:34
的APS系统损耗中，功率器件的损耗大约占50%，而ACL滤波电抗器的损耗大约占30%。图1APS系统原理图通过将APS中的传统功率模块换成最新的SiC功率模块，凭借全SiC功率模块低损耗的特点，可以提高
2017-05-10 11:32:57
中国功率器件市场发展现状:功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件则主要包括功率MOSFET、大功率晶体管和IGBT 等半导体器件，功率器件几乎用于所有的电子制造业，所应用的产品包括
2009-09-23 19:36:41
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-03-12 03:43:18
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步入大众生活，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立（分立半导体）元器件备受瞩目。在科技发展道路上的，“小型化”和“节能化
2017-07-22 14:12:43
汽车用基础电子元器件发展现状如何？国内汽车用基础电子元器件发展现状如何？汽车用基础电子元器件发展趋势是什么？
2021-05-17 06:27:16
应用看，未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到，一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术，那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
性能指标同时进行改善。来源：昌晖仪表yunrun.com.cn使用SiC(碳化硅)及GaN(氮化镓)等宽禁带功率半导体的新元件技术为提高上述性能提供了技术基础。同时由于开关速度较快，因此需要新的封装结构
2018-08-05 14:56:21
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
光伏系统用中小功率逆变电源的现状与展望
1引言
中小功率逆变电源是户用独立交流光伏系统中重要的环节之一，其
2009-07-10 09:17:32289 SiC功率器件的封装技术要点
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料，与S
2009-11-19 08:48:432355 据权威媒体分析，SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场，预计到2020年，SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的技术创新上。
2013-09-18 10:13:112464 无模型自适应控制的现状与展望，下来看看。
2016-05-05 14:06:42
10 矿井提升机电控系统现状及展望
2017-01-21 11:54:392 引言SiC功率器件已经成为高效率、高电压及高频率的功率转换应用中Si功率器件的可行替代品。正如预期的优越材料
2018-03-20 11:43:024444 本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:005775 SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-03-02 09:35:1813797 
随着我国新能源汽车市场的不断扩大，充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器件更高的开关频繁，可以提供高功率密度、超小的体积，因此SiC功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。
2019-06-18 17:24:501774 
安森美半导体是功率电子领域的市场领导者之一，在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
2019-07-25 08:50:504203 安森美半导体（ON Semiconductor）是功率电子领域的市场领导者之一，在SiC功率器件领域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352 SiC功率器件作为一种新型功率器件，在新能源汽车的应用中具有极大优势。据悉，SiC材料具有耐高压、耐高温、高效率、高频率、抗辐射等优异的物理和化学特性，能够极大地提升现有能源的转换效率。新能源汽车
2020-08-26 09:56:32653 从器件的角度来看， Ga 2 O 3 的Baliga品质因子要比SiC高出二十倍。对于各种应用来说，陶瓷氧化物的带隙约为5eV，远远高于SiC和GaN的带隙，后两者都不到到3.5eV。因此，这种陶瓷氧化物器件可以承受比SiC或GaN器件更高的工作电压，导通电阻也更低。
2020-10-12 15:58:034956 先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展，介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.
2021-02-01 11:28:4629 ，特别适用于5G射频和高压功率器件。 据集邦咨询（TrendForce）指出，因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源等需求逐步提升，预期2021年GaN通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6100万美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率领域营收
2021-05-03 16:18:0010174 
的 3 倍，而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制，所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是 4H-SiC，现在 4inch～6inch 的单晶晶圆已经实现了量产。
2021-04-20 16:43:0957 前言 近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带（WBG）材料的兴起，即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。 WBG功率器件已经对从普通
2021-08-13 15:22:002206 《OTFS技术研究现状与展望》论文
2021-12-30 09:27:062 较低的带隙、临界电场和热导率会导致高传导和开关损耗以及较差的高温性能。碳化硅 （SiC） 的大带隙和临界电场允许具有更薄层的高压器件，从而降低电阻以及相关的传导和开关损耗。结合 SiC 的大热导率，通过简化的热管理，可以在高功率
2022-02-24 14:55:431819 控制外延层的掺杂类型和浓度对 SiC 功率器件的性能至关重要，它直接决定了后续器件的比导通电阻，阻断电压等重要的电学参数。
2022-04-11 13:44:444802 与传统的硅器件相比，碳化硅(SiC)器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件。并且SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低
2022-06-15 16:00:341368 碳化硅器件正在几个大容量功率应用中取代其现有的硅对应物。随着 SiC 市场份额的持续增长，该行业正在消除大规模商业化的最后一道障碍，包括高于 Si 器件的成本、相对缺乏晶圆平面度、存在
2022-07-30 16:11:17471 
镓 (GaN) 等技术所需的最高开关速度和系统尺寸限制而设计。架构的演进满足了新的效率水平和时序性能的稳定性，从而减少了电压失真。本文以罗姆半导体的基于 SiC 技术的功率器件为参考点。
2022-08-10 15:22:11813 
宽带隙半导体是高效功率转换的助力。有多种器件可供人们选用，包括混合了硅和SiC技术的SiC FET。本文探讨了这种器件的特征，并将它与其他方法进行了对比。
2022-10-31 09:03:23666 基于以日本、美国和欧洲为中心对生长、材料特性和器件加工技术的广泛研究，SiC SBD和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的生产已经开始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍远未达到材料的全部潜力。
2022-11-02 15:04:281551 碳化硅（SiC）被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术，特别是在高温或高电场的恶劣环境中。本章将讨论SiC功率器件面临的挑战和最新发展。第一部分重点
2022-11-04 09:56:01564 碳化硅（SiC）被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC功率器件已成为卓越的替代电源开关技术，特别是在高温或高电场的恶劣环境中。
2022-11-06 18:50:471289 近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。
2023-02-08 13:43:21685 
SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发
电、光伏发电等新能源领域。
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移
2023-02-16 15:28:254 功率器件到底在半导体中扮演着什么角色呢？在本文中，我们将从功率器件的概况、市场分布与竞争格局、国内外发展差
距以及国产化替代的现状等几个方面，简要探讨一下功率器件行业的现状与趋势。
2023-02-16 15:11:217 SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上。SiN是一种极具吸引力的衬底，因为它具有合理的热导率（60W/m-K）和低热膨胀系数（2.7ppm/℃），与SiC的热膨胀系数 （3.9ppm/℃）十分接近。
2023-02-16 14:05:573191 的FBSOA。SiC可以用来制造射频和微波功率器件，各种高频整流器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。
2023-02-20 16:14:461597 根据市场分析机构 Yole 预测，在未来 5 年内，SiC 功率器件将很快占据整个功率器件市场的 30%，SiC 行业（从衬底到模块，包括器件）的增长率非常高。在Yole看来，到 2027 年，该行
2023-02-20 17:05:161106 前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30345 
继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文想让大家了解全SiC功率模块具体是什么样的产品，都有哪些机型。之后计划依次介绍其特点、性能、应用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高功率和高电压应用。此外，SiC还具有比Si更低的热阻，这意味着它可以更有效地散热，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 SiC（碳化硅）功率元器件领域的先进企业ROHM Co., Ltd. （以下简称“罗姆”）于2023年6月19日与全球先进驱动技术和电动化解决方案大型制造商纬湃科技（以下简称“Vitesco”）签署
2023-06-20 16:14:54139 对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428 范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581144 
长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398 英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
航天器的重要组成部分——供配电系统和二次电源的发展面临两方面的挑战，一方面是小型化和轻量化，另一方面是大功率和超大功率航天器的需求。在超大功率方面，目前硅基功率器件的功率容量和工作频率已不能满足设计要求，限制了宇航电源技术的发展，因此SiC功率器件的替代应用已势在必行。
2023-10-18 10:34:31378 
三菱电机将投资Coherent的新SiC业务； 旨在通过与Coherent的纵向合作来发展SiC功率器件业务。 三菱电机集团近日（2023年10月10日）宣布已与Coherent达成协议，将SiC
2023-10-18 19:17:17368 1、SiC MOSFET对器件封装的技术需求
2、车规级功率模块封装的现状
3、英飞凌最新SiC HPD G2和SSC封装
4、未来模块封装发展趋势及看法
2023-10-27 11:00:52419 
由于其宽带隙和优异的材料特性, SiC基功率电子器件现在正成为许多杀手级应用的后起之秀，例如汽车、光伏、快速充电、PFC等。
2023-12-08 14:33:47513 随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46240 采用多芯片并联的SiC功率模块，会产生较严重的电磁干扰和额外损耗，无法发挥SiC器件的优良性能；SiC功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （2）SiC功率高温封装技术发展滞后。
2024-03-04 10:35:49132 
和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43106 
SiC器件的核心优势在于其宽禁带、高热导率、以及高击穿电压。具体来说，SiC的禁带宽度是硅的近3倍，这意味着在高温下仍可保持良好的电性能；其热导率是硅的3倍以上，有利于高功率应用中的热管理。
2024-03-08 10:27:1542 
电子发烧友App
工商网监
评论