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电子发烧友网>电子资料下载>电子资料>SiC功率器件模块应用笔记

SiC功率器件模块应用笔记

2021-04-20 | rar | 6.58 MB | 次下载 | 免费

资料介绍

  SiC(碳化硅)是一种由硅(Si)和碳(C)构成的化合物半导体材料。SiC 的优点不仅在于其绝缘击穿场强(Breakdown Field)是 Si 的 10 倍,带隙(Energy Gap)是 Si 的 3 倍,而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制,所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各种多型体(结晶多系),它们的物性值也各不相同。最适合于制造功率器件的是 4H-SiC,现在 4inch~6inch 的单晶晶圆已经实现了量产。

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