三安光电碳化硅实现了8英寸衬底准量产

三安光电10月23日宣布，旗下湖南三安在碳化硅产品上取得阶段性进展，实现8英寸衬底准量产，部分产品已进入主流新能源汽车企业供应链。

三安光电介绍，在大尺寸碳化硅衬底方面，湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发，依托精准热场控制的自主PVT工艺，实现了更低成本及更低缺陷密度，产品进入小批量生产及送样阶段，后续公司将继续注重良率提升，加快设备调试与工艺优化，并持续推进湖南与重庆工厂量产进程。

碳化硅MOSFET方面，该公司推出650V-1700V宽电压范围的SiC MOSFET产品，具有高性能、高一致性和高可靠性等优点。其中，1700V/1000mΩ MOSFET主要使用在光伏逆变器的辅助电源，1200V/75mΩ MOSFET主要应用于新能源汽车的OBC，两款产品均已处于客户端导入阶段，将逐步批量供货；1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证。

此外，湖南三安与意法半导体在重庆设立三安意法半导体（重庆）有限公司，专门生产8英寸碳化硅晶圆，该项目前期相关审批事项已成功获批，各项工作有序推进，预计2025年完成阶段性建设并投产，2028年实现达产。

意法半导体携手三安光电，共建8英寸碳化硅制造厂

IFWS&SSLCHINA：第三代半导体产业发展风向标

当前第三代半导体继往开来进入新的发展阶段，人工智能、数字信息时代将为产业发展带来动态且多样复杂的机遇和挑战。新科技时代背景下，第三代半导体将迎来更广阔的发展前景，国内外第三代半导体产业发展势头正盛。第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年11月27-30日在厦门国际会议中心召开。

审核编辑：刘清