三菱电机和安世半导体将合作共同开发碳化硅功率半导体

11月13日， 三菱电机株式会社（TOKYO：6503）宣布，将与Nexperia B.V.建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅（SiC）功率半导体。

三菱电机将利用其宽禁带半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，Nexperia将用于开发SiC分立器件。

Nexperia高级副总裁兼双极分立业务部总经理Mark Roeloffzen表示：“与三菱电机的这种互利战略合作伙伴关系代表了Nexperia碳化硅之旅的重要一步。三菱电机作为技术成熟的碳化硅器件和模块供应商有着良好的记录。结合Nexperia在分立产品和封装方面的高质量标准和专业知识，我们必将在两家公司之间产生积极的协同效应，最终使我们的客户能够在他们所服务的工业、汽车或消费市场中提供高能效产品。

三菱电机半导体与器件执行官兼集团总裁Masayoshi Takemi表示：“Nexperia是工业领域的领先公司，拥有高质量分立半导体的成熟技术。我们很高兴建立这种共同开发合作伙伴关系，这将利用两家公司的半导体技术。

三菱电机在高速列车、高压工业应用和家用电器等应用中确立了领先地位。该公司于2010年推出了全球首款用于空调的SiC功率模块，并于2015年成为新干线子弹头列车全SiC功率模块的首家供应商。三菱电机在碳化硅功率模块的开发和制造方面积累了卓越的专业知识，这些模块以其先进的性能和高可靠性而闻名。

审核编辑：刘清