浅谈半导体制造的前段制程与后段制程

半导体就是“集成电路”，制造工程大致可分为“前段制程”与“后段制程”。前段制程，会在矽晶圆上做出电阻、电容、二极体、电晶体等元件，以及将这些元件互相连接的内部布线。前段制程亦称为“扩散制程”，由数百道步骤组合而成，占半导体总制程的80%。

近来，又有将前段制程细分为①在矽晶圆上做出各种元件的FEOL、②在各个元件之间做出连接用金属布线的BEOL，分为两大制程。随着在逻辑类半导体多层布线逐渐的被采用，前段制程的布线制程比例提高，故BEOL独立出来成为单独一大项。

前段制程包括：形成绝缘层、导体层、半导体层等的“成膜”；以及在薄膜表面涂布光阻（感光性树脂），并利用相片黄光微影技术长出图案的“黄光微影”；并且以形成的光阻图案做为遮罩，选择性地去除底层材料膜，以便达成造型加工的“蚀刻”；将p型或n型的导电性不纯物添加至矽基板表层的“不纯物添加”；在黄光微影段为了提高黄光微影成型精细度，并改善布线的阶梯覆盖率（stepcoverage），而在制程中对晶圆表面进行平坦化“CMP”；在各段制程之间产生的尘屑及不纯物质去除、清洁晶圆使其得以顺利进入下一道制程的“洗净”等制程。

此外，还有前段制程全部完成时，必须进行晶圆上的半导体晶片电性测试，判定良品与否的“晶圆针测制程”。

后段制程则包括：“构装制程”及“测试制程”。后面的章节将会针对这些主要的制程，进一步详细说明。

审核编辑：黄飞