0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

上海新阳再次转换战场 选择研发3D NAND用的KrF 光刻胶

NSFb_gh_eb0fee5 来源:yxw 2019-05-21 09:24 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

合作不一定会共赢,还可能“闹掰”。

2018年,南大光电和上海新阳先后宣布,投入ArF光刻胶产品的开发与产业化,立志打破集成电路制造最为关键的基础材料之一——高档光刻胶材料几乎完全依赖于进口的局面,填补国内高端光刻胶材料产品的空白。

显然,南大光电和上海新阳初入光刻胶领域,无法以一己之力打破技术壁垒。于是,南大光电选择与北京科华合作,上海新阳与邓海博士技术团队合作,力求共赢。

入股三年,共赢成了“双输”

彼时,南大光电是国内领先的半导体用光刻胶供应商北京科华的二股东。2015年9月,南大光电入股北京科华并对外宣称,双方将共同开展193nm光刻胶的研究与产品开发。

不过,双方的合作迟迟没有进展,直到2018年12月,南大光电宣布使用部分超募资金投资“ArF光刻胶产品的开发与产业化”项目。项目风风火火地进行,南大光电组建了自身的技术团队,并没有北京科华的身影。

据知情人士称,南大光电收购北京科华后一直存在后续有效管理问题,根本无法控制北京科华。

2019年1月,南大光电对外宣布转让北京科华全部股权。入股三年,南大光电获得了不错的投资收益,但双方并未能合力发展193nm光刻胶。

2015至2019年,国内面板产业和集成电路产业获得到了飞速发展,但南大光电、北京科华在光刻胶方面却显得有些停滞不前,双方在其中付出的时间成本,对本身都是一种伤害。

上海新阳光刻胶技术从何而来?

无独有偶,上海新阳在发力光刻胶之路也屡屡受挫。

早在2017年8月,上海新阳就曾宣布以自有资金在韩国设立全资子公司,企图通过韩国子公司组织技术团队开展黑色光刻胶产品的研发和测试,待产品成熟后转移至上海生产。

项目开展前往往是雄心壮志的,上海新阳决心为中国半导体产业的长远发展做出贡献,而项目结束也令人猝不及防。

半年之后,上海新阳就终止了对外投资设立韩国全资子公司。上海新阳表示,受多种因素影响,公司现阶段无法完成在韩国设立子公司的注册工作,公司未来考虑采取其它方式进行平板显示产业用的黑色光刻胶产品的研发及生产。

通过在韩国设立子公司组织技术团队的路已然是走不通了,但上海新阳却更加“坚定”的朝着光刻胶的道路走。

2018年3月,上海新阳宣布与邓海博士技术团队共同投资设立子公司开展 193nm(ArF)干法光刻胶研发及产业化项目。子公司原定注册资本为 1亿元人民币,上海新阳出资 8000 万元人民币,占目标公司股权的 80%;邓海博士技术团队出资 2000 万元人民币,占目标公司股权的 20%。

2018年5月,上海芯刻微材料技术有限责任公司(以下简称“芯刻微”)正式设立。不过,邓海博士技术团队并未实际出资,故此,上海新阳在2018年报中写道,其对芯刻微的认缴比例80%,出资比例为100%,对芯刻微的直接持股比例为100%。

早有知情人士透露,上海新阳与邓海博士技术团队在2018年底就出现了矛盾,2019年初已经彻底“闹掰”了。

果然,2019年5月10日,上海新阳发布公告称,经公司与合作方充分沟通并达成一致,公司拟以 0 元受让合作方持有的上海芯刻微公司20%股权,并解除双方签订的《193光刻胶项目合作开发协议》及基于“开发协议”达成的一切合作。

值得注意的是,邓海先生为上海新阳193nm光刻胶项目的负责人,负责光刻胶产品的研发及生产。此外,本次项目的技术服务和配套原料服务也是由邓海博士控制下珠海雅天提供的。也就是说,邓海博士技术团队是上海新阳193nm光刻胶产品的技术来源。

不知为何,上海新阳并未对外宣布新的技术来源和负责人。目前,上海新阳193nm光刻胶产品处于实验室研发阶段,在此情况下,该项目显得有些“岌岌可危”。

据知情人士透露,上海新阳已经再次转换战场,选择研发3D NAND用的KrF 光刻胶。

从黑色光刻胶到ArF光刻胶再到3D NAND用的KrF 光刻胶,上海新阳在光刻胶的门前来来去去,走走停停。光刻胶本就是一个技术壁垒非常高的产品,而上海新阳并不是第一个宣称要向高端光刻胶进军的厂商,一再转换赛道使其发展进程更为落后,留给上海新阳的时间,或许不多了。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    336

    文章

    29999

    浏览量

    258434
  • 光刻胶
    +关注

    关注

    10

    文章

    348

    浏览量

    31552

原文标题:进军光刻胶屡屡受阻,上海新阳路向何方?

文章出处:【微信号:gh_eb0fee55925b,微信公众号:半导体投资联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    中国打造自己的EUV光刻胶标准!

    电子发烧友网报道(文/黄山明)芯片,一直被誉为 人类智慧、工程协作与精密制造的集大成者 ,而制造芯片的重要设备光刻机就是 雕刻这个结晶的 “ 神之手 ”。但仅有光刻机还不够,还需要光刻胶、掩膜版以及
    的头像 发表于 10-28 08:53 5862次阅读

    光刻胶剥离工艺

    光刻胶剥离工艺是半导体制造和微纳加工中的关键步骤,其核心目标是高效、精准地去除光刻胶而不损伤基底材料或已形成的结构。以下是该工艺的主要类型及实施要点:湿法剥离技术有机溶剂溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的头像 发表于 09-17 11:01 1002次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离工艺

    光刻胶旋涂的重要性及厚度监测方法

    在芯片制造领域的光刻工艺中,光刻胶旋涂是不可或缺的基石环节,而保障光刻胶旋涂的厚度是电路图案精度的前提。优可测薄膜厚度测量仪AF系列凭借高精度、高速度的特点,为光刻胶厚度监测提供了可靠
    的头像 发表于 08-22 17:52 1396次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>旋涂的重要性及厚度监测方法

    国产百吨级KrF光刻胶树脂产线正式投产

      电子发烧友网综合报道 近日,八亿时空宣布其KrF光刻胶万吨级半导体制程高自动化研发/量产双产线顺利建成,标志着我国在中高端光刻胶领域的自主化进程迈出关键一步。   此次建成的
    的头像 发表于 08-10 03:26 8796次阅读

    3D 共聚焦显微镜 | 芯片制造光刻工艺的表征应用

    光刻工艺是芯片制造的关键步骤,其精度直接决定集成电路的性能与良率。随着制程迈向3nm及以下,光刻胶图案三维结构和层间对准精度的控制要求达纳米级,传统检测手段难满足需求。光子湾3D共聚焦
    的头像 发表于 08-05 17:46 791次阅读
    <b class='flag-5'>3D</b> 共聚焦显微镜 | 芯片制造<b class='flag-5'>光刻</b>工艺的表征应用

    国产光刻胶突围,日企垄断终松动

      电子发烧友网综合报道 光刻胶作为芯片制造光刻环节的核心耗材,尤其高端材料长期被日美巨头垄断,国外企业对原料和配方高度保密,我国九成以上光刻胶依赖进口。不过近期,国产光刻胶领域捷报频
    的头像 发表于 07-13 07:22 5685次阅读

    针对晶圆上芯片工艺的光刻胶剥离方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在晶圆上芯片制造工艺中,光刻胶剥离是承上启下的关键环节,其效果直接影响芯片性能与良率。同时,光刻图形的精确测量是保障工艺精度的重要手段。本文将介绍适用于晶圆芯片工艺的光刻胶剥离方法,并探讨白光
    的头像 发表于 06-25 10:19 731次阅读
    针对晶圆上芯片工艺的<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在显示面板制造的 ARRAY 制程工艺中,光刻胶剥离是关键环节。铜布线在制程中广泛应用,但传统光刻胶剥离液易对铜产生腐蚀,影响器件性能。同时,光刻图形的精准测量对确保 ARRAY 制程工艺精度
    的头像 发表于 06-18 09:56 619次阅读
    用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    低含量 NMF 光刻胶剥离液和制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在半导体制造过程中,光刻胶剥离液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)虽在光刻胶剥离方面表现出色,但因其高含量使用带来的成本、环保等问题备受关注。同时,光刻图形的精准
    的头像 发表于 06-17 10:01 600次阅读
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液和制备方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    干涉仪在光刻图形测量中的应用。   减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法   优化光刻胶材料选择   选择与半导体衬底兼容性良好的
    的头像 发表于 06-14 09:42 663次阅读
    减少<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离工艺对器件性能影响的方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    光刻胶产业国内发展现状

    如果说最终制造出来的芯片是一道美食,那么光刻胶就是最初的重要原材料之一,而且是那种看起来可能不起眼,但却能决定一道菜味道的关键辅料。 光刻胶(photoresist),在业内又被称为光阻或光阻剂
    的头像 发表于 06-04 13:22 672次阅读

    光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在半导体制造与微纳加工领域,光刻胶剥离液是光刻胶剥离环节的核心材料,其性能优劣直接影响光刻胶去除效果与基片质量。同时,精准测量光刻图形对把控工艺质量意义重大,白光干涉仪为此提供了
    的头像 发表于 05-29 09:38 990次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及其制备方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    光刻胶的类型及特性

    光刻胶类型及特性光刻胶(Photoresist),又称光致抗蚀剂,是芯片制造中光刻工艺的核心材料。其性能直接影响芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介绍了光刻胶类型和
    的头像 发表于 04-29 13:59 6965次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>的类型及特性

    晶圆表面光刻胶的涂覆与刮边工艺的研究

    表面光刻胶的涂覆与刮边工艺展开研究,旨在进一步完善这一关键制造技术。 一、光刻胶涂覆工艺 光刻胶的涂覆工艺是决定光刻质量的重要因素之一。该工艺一般包括材料准备、涂布方法、涂布参数和装备
    的头像 发表于 01-03 16:22 1131次阅读

    光刻胶成为半导体产业的关键材料

    光刻胶是半导体制造等领域的一种重要材料,在整个电子元器件加工产业有着举足轻重的地位。 它主要由感光树脂、增感剂和溶剂等成分组成。其中,感光树脂决定了光刻胶的感光度和分辨率等关键性能,增感剂有助于提高
    的头像 发表于 12-19 13:57 1802次阅读