安森美推出新的基于碳化硅的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器
安森美半导体，将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。
AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。
该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管共同封装，从而在硅基方案的较低性能和完全基于SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 V，能够处理高达100 A@25 °C (50 A@100 °C)的连续电流，以及高达200 A的脉冲电流。对于需要更大电流能力的系统，正温度系数令并行工作更简便。
AFGHL50T65SQDC可在高达175 °C的结温下工作，适用于包括汽车在内的最严苛的电源应用。它完全符合AEC-Q 101认证，进一步证明其适用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV) 车载充电机。
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原文标题：安森美推出全新基于碳化硅(SiC)的混合IGBT
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