0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

光刻胶规格不符事件导致大量报废晶圆,牵动台积电高层大换血

xPRC_icunion 来源:lp 2019-03-18 13:55 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

台积电日前爆发光刻胶规格不符事件导致大量报废晶圆,牵动台积电高层大换血。

根据deeptech深科技爆料,台积电多部门领导层更换,事故厂14厂厂长更换,品质暨可靠性部门( Quality and Reliability )也连带出现人事异动。

后续将面临台积电更多领导层的变化。

台积电这次的光刻胶产生晶圆报废事件,是源自于一批原物料厂商供应的规格与过去的规格有相当误差,意思是采用了规格不符合的原物料产品。

业界分析,台积电在采购该批原物料的过程中,品质的检测可能也有疏失,因此,除了该风波带来的财务影响外,外界也十分关心相关部门是否会产生人事异动。

根据爆料技术长孙元成、资材和风险管理部门资深副总左大川、研发副总林本坚等或提前“下课”!

品质暨可靠性部门的副总蔡能贤原本就申请在 2019 年退休,目前看来,退休或提前。

蔡能贤负责台积电全球所有晶圆厂的品质可靠性检测工作, 1977 年毕业于***清华大学物理系博士、 1983 年获麻省理工学院材料工程博士,曾任职美国贝尔实验室等, 1989 年加入台积电后曾历练研发部经理、 12 寸试产线专案协理、封装测试资深处长、品质暨可靠性部门资深处长,之后升任品质暨可靠性部门副总, 2000 年曾带领台积电的12吋晶圆团队成功开发制造出第一批 12 寸晶圆。

蔡能贤在***半导体业界还曾做了一件“疯狂之举”。 2010 年他号召台积电单车社 11 位科技人,骑单车从北京到巴黎跨越 1 万 8 千公里,共壮游 50 天,并将这一段成军和壮游的沿途见闻,交叉对应他的职场之路,出版 “放手真好!台积电 56 岁副总 1 万 8,000 公里单车壮游记”一书,引发业界美谈。

台积电这次晶圆报废事件,影响数量高达十万片,主要是 16 nm 和 12 nm 工艺产品,受影响客户包括苹果( Apple )、高通( Qualcomm )、 Nvidia 、 AMD海思联发科等六大客户,公司也指出此事件让第一季营收减少 5.5 亿美元,毛利率减少 2.6 个百分点。

现在我们来简单介绍一下台积电的背景吧!

它成立于1987年(那时我还没出生),是全球首创专业集成电路制造服务公司,身为专业集成电路制造服务业的开创者和领头羊,它在提供先进的晶圆制程技术与最佳的制造效率上已经享有很高的声誉,自开山创派以来,就持续的以超高、超先进的技术给其客户提供制造服务和TSMC COMPATIBLE设计服务。它有200多种工艺制程,生产超过8800种不同的产品,被广泛用于计算机产品、通信产品、消费类电子产品,由于其器大活特别的好,其他江湖IC设计人士都特别信任它,来点它的花名,它的订单就像雪花一样纷纷而至,成长也非常迅速。

开山祖师

张忠谋 (Morris Chang):中国***半导体教父,开创晶圆代工新纪元。

1931年7月10日出生于浙江省宁波鄞县

1932年迁居南京(父亲张蔚观是鄞县的财政处长)

1937年迁居广州,抗日战争爆发,广州遭日军炸毁,迁居香港

1943年迁居重庆,进入南开中学就读

1945年抗战胜利,迁居上海,进入上海市南洋模范中学就读

1948年再度迁居香港

1949年去美国波士顿就读哈佛大学

1950年转学麻省理工机械工程

1952年获得学士学位

1953年获得硕士学位

1954年和1955年两次博士资格考试没考上(看来硕士也够用了)

1955年进入希凡尼亚公司(半导体部门?)

1958年-1963年在德州仪器半导体事业部担任工程经理

1964年获得斯坦福大学机电工程学博士(看来还得是博士)

1965-1966年担任德州仪器锗晶体管部总经理

1966-1967年担任德州仪器集成电路部总经理

1967-1972年担任德州仪器副总裁兼半导体集团总经理(看看人家再看看自己... ...上去就是一巴掌)

1983年与当时的德州仪器董事会理念不合而离开

1984年担任通用仪器公司总裁

1985-1988年应邀回***担任工业技术研究院院长

1986年筹办飞利浦与工研院合资成立的台积电,任董事长

1988--1994年担任工业技术研究院董事长

1989-2000年担任***智慧公司董事长

1994年创办世界先进集成电路公司,担任董事长至2003年

2000年获得IEEE Robert N.Noyee奖(由IEEE用于向微电子行业的突出贡献,它给予在多个领域表现出贡献的个人,包括技术开发、业务开发、行业领导、技术政策的制定和标准制定。该奖章的名字是为了纪念英特尔公司的创始人Robert N. Noyce)

2005年卸下执行长职位,由蔡力行接棒(姓蔡的貌似都很牛逼)

2009年6月11日宣布回任台积电执行长

2013年11月12日辞去台积电执行长,仅担任董事长

成长里程碑

1986年飞利浦与工研院签约

1987年2月21日成立,开创晶圆代工模式

1988年营收超过10亿新台币(开业第二年就有盈利,此后没有一年亏损)

1994年在***上市,营收达到193亿新台币

1995年收入过10亿美元

2000年营收1662亿新台币

2008年营收超100亿美元(投资就投这种)

财务信息

员工总数:48602人

门派内的大佬高手们

张忠谋:开山祖师(董事长)

曾繁城:副董事长

刘德音:总经理兼共同执行长

魏哲家:总经理兼共同执行长

左大川:资深高级副总裁兼信息长

何丽梅:资深高级副总裁兼财务长兼发言人

罗唯仁:资深高级副总裁(研究发展)

RickCassidy:资深高级副总裁兼美国子公司总经理

曾梦超:运营

孙元成:研究发展副总裁兼技术长

蔡能贤:副总裁(质量管理)

秦永沛:发展副总裁(运营/产品)

林锦坤:副总裁(运营/6英寸以及8英寸厂)

王建光:副总裁(运营/12英寸厂)

孙中平:副总裁(研究发展)

林本坚:副总裁(研究发展)

米玉杰:副总裁(研究发展)

袁本初:出身东汉名门“汝南袁氏”,自袁绍曾祖父起,袁氏四代有五人位居三公,他自己也居三公之上(皮一下... ...)

门派主要经营产品和面向的市场

它不生产任何自有品牌的产品,只为半导体公司制造产品。

制造设施和工艺

培养下一代弟子

至此台积电门派介绍完了,它的技术不止能光耀自己的门楣也真乃真正的国之重器啊(回归后)。

ps:目前***代工产值全球第一名、IC封装产值全球第一名、***IC设计产值全球第二(仅次于美国),并且***大学、***清华大学、***交通大学每年都培养很多制成工程师。2015~2018年连续三年台积电每年出资1600万与交大合作培养人才,交大还有全***最好的制程设备,总值超过三亿元,国家纳米元件实验室NDL也在交大的园区里面。

好了,这样就结束了。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 集成电路
    +关注

    关注

    5464

    文章

    12686

    浏览量

    375742
  • 台积电
    +关注

    关注

    44

    文章

    5811

    浏览量

    177055
  • 晶圆
    +关注

    关注

    53

    文章

    5450

    浏览量

    132762

原文标题:突发,台积电高层大换血!这几位,要“下课”了!

文章出处:【微信号:icunion,微信公众号:半导体行业联盟】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    中国打造自己的EUV光刻胶标准!

    电子发烧友网报道(文/黄山明)芯片,一直被誉为 人类智慧、工程协作与精密制造的集大成者 ,而制造芯片的重要设备光刻机就是 雕刻这个结晶的 “ 神之手 ”。但仅有光刻机还不够,还需要光刻胶、掩膜版以及
    的头像 发表于 10-28 08:53 7056次阅读

    光刻胶液体吸收行为的椭圆偏振对比研究

    在浸没式光刻技术中,为提升分辨率而在镜头与间引入液体介质(如去离子水或高折射率液体),却引发了光刻胶与液体间复杂的物理化学相互作用,成为制约工艺稳定性的关键问题。
    的头像 发表于 01-16 18:04 436次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>液体吸收行为的椭圆偏振对比研究

    去胶工艺之后要清洗干燥吗

    在半导体制造过程中,去胶工艺之后确实需要进行清洗和干燥步骤。以下是具体介绍:一、清洗的必要性去除残留物光刻胶碎片:尽管去胶工艺旨在完全去除光刻胶,但在实际操作中,可能会有一些微小的
    的头像 发表于 12-16 11:22 371次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>去胶工艺之后要清洗干燥吗

    半导体芯片制造核心材料“光刻胶(Photoresist)”的详解

    在芯片制造这场微观世界的雕刻盛宴中,光刻胶(PR)如同一位技艺精湛的工匠手中的隐形画笔,在硅片这片“画布”上勾勒出亿万个晶体管组成的复杂电路。然而,这支“画笔”却成了中国芯片产业最难突破的瓶颈之一:
    的头像 发表于 11-29 09:31 6618次阅读
    半导体芯片制造核心材料“<b class='flag-5'>光刻胶</b>(Photoresist)”的详解

    光刻胶剥离工艺

    光刻胶剥离工艺是半导体制造和微纳加工中的关键步骤,其核心目标是高效、精准地去除光刻胶而不损伤基底材料或已形成的结构。以下是该工艺的主要类型及实施要点:湿法剥离技术有机溶剂溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的头像 发表于 09-17 11:01 2471次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离工艺

    光刻胶旋涂的重要性及厚度监测方法

    在芯片制造领域的光刻工艺中,光刻胶旋涂是不可或缺的基石环节,而保障光刻胶旋涂的厚度是电路图案精度的前提。优可测薄膜厚度测量仪AF系列凭借高精度、高速度的特点,为光刻胶厚度监测提供了可靠
    的头像 发表于 08-22 17:52 2015次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>旋涂的重要性及厚度监测方法

    从光固化到半导体材料:久日新材的光刻胶国产替代之路

    。 从光固化龙头到半导体材料新锐 久日新材的战略转型始于2020年。通过收购大信息、大新材等企业,强势切入半导体化学材料赛道。2024年11月,久日新材控股公司年产4500吨光刻胶项目进入试生产阶段,其中面板
    的头像 发表于 08-12 16:45 2647次阅读

    蚀刻后的清洗方法有哪些

    蚀刻后的清洗是半导体制造中的关键步骤,旨在去除蚀刻残留物(如光刻胶、蚀刻产物、污染物等),同时避免对表面或结构造成损伤。以下是常见的
    的头像 发表于 07-15 14:59 3104次阅读
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>蚀刻后的清洗方法有哪些

    国产光刻胶突围,日企垄断终松动

      电子发烧友网综合报道 光刻胶作为芯片制造光刻环节的核心耗材,尤其高端材料长期被日美巨头垄断,国外企业对原料和配方高度保密,我国九成以上光刻胶依赖进口。不过近期,国产光刻胶领域捷报频
    的头像 发表于 07-13 07:22 7479次阅读

    行业案例|膜厚仪应用测量之光刻胶厚度测量

    光刻胶生产技术复杂、品种规格多样,在电子工业集成电路制造中,对其有着极为严格的要求,而保证光刻胶产品的厚度便是其中至关重要的一环。 项目需求  本次项目旨在测量光刻胶厚度,
    的头像 发表于 07-11 15:53 716次阅读
    行业案例|膜厚仪应用测量之<b class='flag-5'>光刻胶</b>厚度测量

    针对上芯片工艺的光刻胶剥离方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在上芯片制造工艺中,光刻胶剥离是承上启下的关键环节,其效果直接影响芯片性能与良率。同时,光刻图形的精确测量是保障工艺精度的重要手段。本文将介绍适用于
    的头像 发表于 06-25 10:19 1298次阅读
    针对<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圆</b>上芯片工艺的<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀光刻胶剥离液及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在显示面板制造的 ARRAY 制程工艺中,光刻胶剥离是关键环节。铜布线在制程中广泛应用,但传统光刻胶剥离液易对铜产生腐蚀,影响器件性能。同时,光刻图形的精准测量对确保 ARRAY 制程工艺精度
    的头像 发表于 06-18 09:56 1064次阅读
    用于 ARRAY 制程工艺的低铜腐蚀<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

        引言   在半导体制造领域,光刻胶剥离工艺是关键环节,但其可能对器件性能产生负面影响。同时,光刻图形的精确测量对于保证芯片制造质量至关重要。本文将探讨减少光刻胶剥离工艺影响的方法,并介绍白光
    的头像 发表于 06-14 09:42 1059次阅读
    减少<b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离工艺对器件性能影响的方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    光刻胶剥离液及其制备方法及白光干涉仪在光刻图形的测量

    引言 在半导体制造与微纳加工领域,光刻胶剥离液是光刻胶剥离环节的核心材料,其性能优劣直接影响光刻胶去除效果与基片质量。同时,精准测量光刻图形对把控工艺质量意义重大,白光干涉仪为此提供了
    的头像 发表于 05-29 09:38 1533次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>剥离液及其制备方法及白光干涉仪在<b class='flag-5'>光刻</b>图形的测量

    光刻胶的类型及特性

    光刻胶类型及特性光刻胶(Photoresist),又称光致抗蚀剂,是芯片制造中光刻工艺的核心材料。其性能直接影响芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介绍了光刻胶类型和
    的头像 发表于 04-29 13:59 1.1w次阅读
    <b class='flag-5'>光刻胶</b>的类型及特性