阻挠中国半导体业进步为何要首先打击晋华

近期由美国司法部长亲自出面召开记者招待会，非常少见，并公布了针对***联华电子、福建晋华集成电路有限公司以及三位个人的起诉书，状告他们合谋窃取美国半导体公司美光(Micron)有关记忆存储设备产品研发的商业机密。美方消息显示，由于这两家企业涉嫌窃取的技术产权价值超过87.5亿美元，所以联华与晋华恐面临200亿美元罚款。

据***地区力晶集团创办人黄崇仁的说法，美国早就紧盯晋华，已不是一天两天的事，就他所了解的美光，是要确保中国不能发展DRAM，透过这次晋华案，可看出美国不愿意让中国发展半导体的强烈意图，因为美国无法忍受，过去花了20 几年的努力，一下就被中国进来吞食。

据传美方指控的重要理由之一，即晋华、联电开发DRAM技术时缺少多次实验或者实验设计与分析的过程，而怀疑可能是通过芯片的“反向工程”解剖得到的。

目前的状况是联电发表了一个声明，声称公司自成立以来积累了近15年制造DRAM产品的经验，掌握并保存了丰富的DRAM知识和经验。联电的DRAM技术基础里的元件设计，是完全不同于美光公司的设计。但是联电的所有人员，包括正在安装设备的厂商，如应用材料、Lam、KLA等已经撤离晋华，致使晋华项目事实上已经很难再进行下去。国不依不饶打击晋华

原因肯定是错综复杂，然而美中贸易战是主导。从根本上中国要迅速崛起，可能会影响到美国在全球的独霸地位。但是之前双方的基调是“求大同存小异”，而如今美方改变了策略，要全力遏制中国的进步，导致中国半导体业发展成为首当其冲，而美方高调打击晋华是为了遏制中国在存储器方面的进步。

选择打击晋华，可能与存储器业的特点有关；因为全球半导体最主要的两大通用器件系列，CPU与存储器，相比较CPU的设计复杂、工艺难度大、加上应用需要操作系统配合等，中国奋斗了数十年有些成绩，但是成效可能不大。

而对于存储器，由于设计简单、工艺步骤少，主要依赖于持续的强投资，扩充产能，及生产线严格管理，不惧怕周期性的亏损等。加上中国每年消费存储器约800亿美元，扣去外资之外，自用的比例也很高，因此仅国内市场需求已够规模。

另外，近期中国半导体业发展主要依靠国家与地方政府等资金，目前已经上马三家存储器厂，分别是长江存储、长鑫及晋华、加上紫光高调在成都、南京还要建存储器厂。且传说中投入的资金额，仅紫光一家要投入1,000亿美元，似乎这一切向世界宣告，中国半导体业试图通过存储器作为切入点，一定要进入IDM芯片制造。

市场特别担心让中国产品进入，打起价格战，谁也无法抗拒，一定会把市场搅乱，目前的存储器市场将发生大变。所以它们从根本上要打击中国存储器业的崛起，企图扼死在萌芽状态之中。从另一方面也充分表明中国做存储器有可能取得成功，但是必须要过专利纠纷这个关口。

如果比较之前中芯国际与台积电的专利纠纷，它仅是个专利侵权问题，所以罚款及割股能摆平，而如今的晋华项目，美国已把它上升到窃取商业机密，以及威胁国家安全，因此一纸贸易禁售令，导致晋华项目停顿，可能难以继续运行下去。

让业界感觉有些不可思议的是晋华的产品尚未面市，一切的结论尚早，美国就开始动手，它的底气来自那里？在分析整个亊件中，实际上联电几乎没有直接的经济利益损失，而晋华的资金来源，主要是地方政府等，因此晋华一定正等待扭转被动的局面。但是分析晋华与之前的中兴事件可能不太一样，一方面是晋华项目刚启动，损失与影响尚不是很大，而中兴已是8万人的重要通讯国企，另一方面晋华项目是除了仅有资金与土地之外，在技术与人材等方面严重缺乏，加上一切主导权都掌控在联电手中，项目有先天性差异。

放在中国半导体业面前已经没有退路，必须丢掉幻想去迎接战斗，因为今天的问题有些谈判或许可能解决，但是有些靠谈判是解决不了的，需要的是实力地位。所以要学会变得聪明些，现在还不到硬拼的时候。

美国的作法也十分明显，试图通过晋华事件达到警示作用，阻挠中国存储器业的任何进步，正如有些媒体分析，下一个中“枪”的可能会是谁？

从晋华事件也反映在中国半导体业发展过程中，由于基础很脆弱，许多“命门”尚卡在别人手中，包括如硅片、EDA工具及设备与材料等，都需要大量的进口。尽管把发展中国半导体业视作是国策，相信不会因此而有任何的退缩。但是必须十分清醒；产业发展的环境正在进一步变差，我们的决心在那里？以及准备好了吗？

中国半导体业发展求得公平竞争的机会可能是一种奢望，对于中国半导体业发展的环境可能要作出会更差一些的各种准备与对策，所以一定要更加努力，更加团结，更加的策略，以及低调务实、少说大话、转变圧力为动力，争一口气，哪怕慢些，也一定要把中国半导体业推向成功。