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芯片嵌埋式PCB封装 · 工艺制程全解:晶圆、镀铜、Cell、焊接、嵌入、系统集成

向欣电子 2026-05-29 08:31 次阅读
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以下完整内容发表在「SysPro电力电子技术」知识星球-《功率芯片嵌入式封装:从概念到量产的全链路解析》三部曲- 文字原创,素材来源:TMC现场记录、西安交大、网络、半导体厂商
- 本篇为节选,完整内容会在知识星球发布,欢迎学习、交流

- 1400+最新全球汽车动力系统相关的报告与解析已上传知识星球


导语:这两年,在功率半导体的舞台上,芯片内嵌式PCB逆变器技术以颠覆性的姿态惊艳亮相。采埃孚CIPB方案、麦格纳嵌入式功率模块、保时捷&博世Dauerpower逆变器等创新成果,共同勾勒出电力电子技术发展的新图景。作为电力电子系统的心脏,功率器件的性能直接决定了整个系统的能效与可靠性。传统封装方式在面对宽禁带半导体(如碳化硅、氮化镓时,暴露出散热困难、寄生参数过大、集成度受限等瓶颈。芯片内嵌技术通过将功率芯片直接嵌入PCB基板内部,实现了电气连接、散热路径和机械结构的全面优化为电动汽车、新能源工业自动化等领域带来了显著的性能提升。
aa3e132a-5af5-11f1-ab55-92fbcf53809c.jpg图片来源:网络在之前的文章中,我们已对这一技术方案做过系统性的解读:芯片内嵌式PCB封装技术全面解析的"七部曲"。去年,也有幸参加了第十七届国际汽车动力系统技术年会(TMC2025)来自西安交通大学电气工程学院的杨旭教授,在功率芯片嵌入式封装相关的主题报告中,介绍了CIPB(Chip In PCB)嵌入式封装技术,从实验室研究到量产应用的全链路创新的研究进展aa5177b2-5af5-11f1-ab55-92fbcf53809c.png

图片来源:Hua Semiconductor

今天,我们结合杨教授的报告内容,结合实践和市场产品技术方案信息做了一定程度拓展,再次学习、深度解析下这一技术路径,探讨其创新点、挑战、解决方案、封装工艺实践解析、未来前景,以为工程实践和技术产品落地提供指导。|SysPro备注:内容较多,分上、中、下三部分发布


目录

上篇:宽禁带器件发展与封装瓶颈(已发布)

中篇:芯片内嵌PCB封装的多维度协同创新-互联、散热、基材、绝缘可靠性(已发布)

下篇:芯片内嵌 PCB 封装-主流工艺实践的深度解析(本篇)

10 芯片内嵌PCB封装工艺方法指南

10.1 GaN器件的PCB内埋封装

10.2 芯片内嵌PCB封装工艺的全流程解析:从cell到系统

10.3 Step2 - 镀铜芯片 · 工艺制程解析(知识星球发布)

10.4 Step3 - Cell 单元 · 工艺制程解析(知识星球发布)

10.5 Step4 - PCB 嵌入 · 工艺制程解析(知识星球发布)

10.6 小结

11 总结

|SysPro备注:本文为概述,更多记录与解读请在知识星球中查阅



下篇芯片内嵌 PCB 封装-主流工艺实践的深度解析

导语:在上篇中,我们了解了为什么封装是制约宽禁带器件发展的重要瓶颈?明确了好器件需要好封装来匹配。为了最大程度的发挥出宽禁带器件优势,我们需要搞明白电、热、可靠性层面的问题,以及它们的“联动搞事” 背后逻辑【上篇 · 点击链接跳转】功率芯片PCB内埋式封装:从概念到量产的全链路解析

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图片来源:Hua Semiconductor


在中篇中,我们深入探讨了宽禁带器件封装所面临的电性能、散热及可靠性等多维度挑战,并从空间维度(结构设计优化)、材料维度(基材性能突破)及可靠性维度(长期稳定性评估)三个方向,系统阐述了PCB封装技术的创新路径与解决方案。【中篇 · 点击链接跳转】功率芯片PCB内埋式封装:从概念到量产的全链路解析(中篇)

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图片来源:Hua Semiconductor


然而,技术突破不仅需理论支撑,更需实践验证下篇将聚焦芯片内嵌PCB封装的主流工艺实践,从内埋GaN器件的PCB封装结构解析,到全流程工艺制程的深度拆解,再到关键工艺步骤(如镀铜芯片、Cell单元集成、PCB嵌入等)的详细说明,我们将通过具体工艺案例,揭示如何将理论方案转化为实际产品,并探讨该技术在电力电子系统中的创新应用与未来拓展方向。

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图片来源:ASK


10

芯片内嵌PCB封装工艺方法指南

10.1 内嵌GaN器件的PCB内埋式封装结构说明

最后,我们聊一聊这一技术方案的工艺制程。

芯片内嵌PCB封装的核心目标是通过将芯片(如SiC、GaN等功率半导体芯片)嵌入PCB内部,实现高集成度、高性能的封装解决方案。正如我们上面所述,整个制程包含互连设计、结构优化、层压工艺,只有掌握这些,才能为后续实践打下基础。

我们借助下图,一起先来看看PCB内埋式封装的基本结构。

下图所示为芯片内嵌式PCB技术的概念图 (Power Chip Embedding)。整体结构分为顶部连接(top connections)、隔离层(isolation)和底部连接(bottom connections),通过特殊的制程工艺,将功率芯片直接嵌入到PCB板间,实现器件与PCB的一体化。

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图片来源:网络

简单些理解,就是将传统的三维结构功率半导体模块转化为平面化配置的形式,用镀铜连接(Plated Cu Connections)替代了传统的键合线工艺(Bonding Wires)。aac9044e-5af5-11f1-ab55-92fbcf53809c.png图片来源:HAL


了解了PCB内埋式封装的基本结构后,那么内埋PCB封装工艺的全流程是什么样子呢?我们接着往下看。


10.2 芯片内嵌PCB封装工艺的全流程解析

下图芯片内嵌PCB封装工艺的全流程。概述下来一共6个关键环节

Step1- 晶圆:作为整个流程的起始点,功率芯片以晶圆形态输入,这是后续所有工艺的基础器件来源

Step2 - 镀铜芯片:对晶圆进行镀铜处理正面采用 Al/Cu 镀层,厚度控制在10 - 15μm背面则采用 Ti/Ni/Au 镀层。这一工艺的主要目的是优化芯片的电气连接和散热性能,为后续的集成和应用打下良好基础

Step3 - Cell 单元:通过烧结连接工艺,将镀铜芯片集成到 Cell 单元中,实现模块化预处理。这一步骤将单个芯片转化为具有一定功能的单元模块,便于后续在 PCB 中的集成

Step4 - PCB 嵌入:在 PCB 嵌入环节,采用板内绝缘和半桥拓扑工艺,将Cell 单元埋入 PCB中,构建出特定的电路拓扑结构,如半桥结构。这一步骤是芯片与 PCB 深度融合的关键,决定了整个电路的基本架构和性能

Step5 - 全桥焊接:根据客户的定制化需求,采用回流焊工艺完成全桥电路的焊接,形成完整的功能模块。这一步骤将多个单元模块连接成一个完整的电路,使其具备特定的电力电子变换功能。

Step6 - 系统应用:经过前面五个环节的处理,最终将研制出的产品应用于电驱系统、电源系统等电力电子系统中,实现电力电子变换功能,为系统的正常运行提供支持。

下面我们对其中的最为关键的几个环节进行展开,说明其中的细分工艺制程方法,关键!

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图片来源:西安交大


10.3Step2 - 镀铜芯片 · 工艺制程解析

(知识星球发布)

镀铜芯片,指对晶圆进行镀铜处理,目的是优化芯片的电气连接和散热性能这一步至关重要,它直接关系到芯片与PCB之间互连的可靠性和性能特别是在功率半导体应用中,高质量的镀层能够满足高频、高功率的需求。

这里面有细分为10个关键环节,每一步都紧密相连,共同构建起高质量的铜电镀层...


10.4Step3 -Cell 单元· 工艺制程解析

(知识星球发布)

下面我们接着看看另一个关键工艺:PCB封装Cell单元的工艺这一步用于将芯片与DTS层集成,形成可用于PCB封装的功能单元。

这里面整个过程又包含6个关键步骤...


10.5Step4 - 芯片PCB嵌入· 工艺制程解析

(知识星球发布)

下面我们聊聊整个工艺制程中最为重要的一部芯片的PCB嵌入...

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图片来源:Schweizer


11

内埋式PCB封装工艺的拓展和创新应用

(知识星球发布)

...


12 总结

到此,关于功率芯片PCB内埋式封装 · 从概念到量产的全链路解析就基本结束了,内容比较多,我们再将上、中、下三篇串起来,进行总结。

在上篇中,我们了解了电力电子器件的发展历程中,封装技术的重要性日益凸显宽禁带器件的开关速度快、功率密度高,对封装技术提出了更高要求,尤其在电性能、散热和可靠性方面

传统封装技术在面对宽禁带器件时暴露出诸多问题,如杂散电感过大、散热困难、热应力导致的可靠性下降等。这些问题相互耦合,形成复杂的技术挑战。因此,先进封装技术需围绕电性能、散热和可靠性三个核心问题展开。

【上篇 · 链接】功率芯片PCB内埋式封装:从概念到量产的全链路解析

ab1c2cfa-5af5-11f1-ab55-92fbcf53809c.png

图片来源:西安交大


在中篇中,针对这些挑战,提出了多种解决方案。

在电性能方面,通过高密度多层布线和低寄生电感设计来提升性能;在散热方面,选用高热导率基板和优化散热结构来强化热管理;在可靠性方面,通过减小热应力、优化材料匹配来提高器件寿命。

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图片来源:西安交大

PCB封装作为一种有潜力的解决方案,通过高密度互连、集成化设计和成熟工艺,实现了低成本、高性能的封装目标。然而,PCB封装也面临散热差、热应力大和绝缘可靠性等问题。针对这些问题,我们从空间维度、材料维度和可靠性维度出发,探讨了了结构创新、材料改进和可靠性评估等综合解决方案。

ab41edb4-5af5-11f1-ab55-92fbcf53809c.png图片来源:西安交大

电、热、力学维度出发,通过高密度布线降电感、高热导基板强化散热、匹配热膨胀系数减应力;还创新 PCB 封装,利用其高密度互连、集成化优势适配宽禁带特性,同时攻克其散热、应力、绝缘短板。

【中篇 · 链接】功率芯片PCB内埋式封装:从概念到量产的全链路解析(中篇)

ab5819ae-5af5-11f1-ab55-92fbcf53809c.png图片来源:网络


最后,在下篇中,我们学习、深度解读芯片内嵌PCB封装工艺的全流程,一共6大关键环节。我们了解了其核心是通过镀铜芯片、Cell单元集成、PCB嵌入等关键工艺步骤,实现了功率半导体芯片与PCB的高质量集成,在此基础上对上述三大工艺制程的细分步骤进行了详细说明。

以上功率芯片PCB内埋式封装从概念到量产的全链路解析。

感谢你的阅读,希望有所帮助!

ab6eacdc-5af5-11f1-ab55-92fbcf53809c.png图片来源:SysPro

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