探索onsemi EMX2DXV6T5双NPN通用放大晶体管
作为电子工程师,在设计电路时,选择合适的晶体管至关重要。今天,我们来深入了解onsemi的EMX2DXV6T5双NPN通用放大晶体管,看看它有哪些特性和优势。
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产品概述
EMX2DXV6T5是一款专为通用放大应用而设计的NPN晶体管。它采用SOT - 563封装,这种封装专为低功率表面贴装应用而设计,非常适合对电路板空间要求较高的场景。
产品特性
节省电路板空间
SOT - 563封装体积小巧,能够有效减少电路板的占用空间,对于那些对空间有严格要求的设计来说,这是一个非常重要的特性。
高hFE值
典型hFE值在210 - 460之间,高hFE值意味着晶体管具有较高的电流放大能力,能够在放大电路中提供更好的性能。
低VCE(sat)
VCE(sat)小于0.5V,低饱和电压可以降低晶体管在导通状态下的功耗,提高电路的效率。
无铅设计
符合环保要求,响应了当前电子行业对绿色环保的需求。
最大额定值
| 在使用晶体管时,我们必须关注其最大额定值,以确保器件的安全和可靠运行。以下是EMX2DXV6T5在环境温度TA = 25°C时的最大额定值: | 额定参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极电压 | V(BR)CBO | 60 | Vdc | |
| 集电极 - 发射极电压 | V(BR)CEO | 50 | Vdc | |
| 发射极 - 基极电压 | V(BR)EBO | 7.0 | Vdc | |
| 集电极连续电流 | IC | 100 | mAdc |
需要注意的是,超过最大额定值可能会损坏器件,影响其功能和可靠性。
热特性
热特性对于晶体管的性能和寿命也非常重要。EMX2DXV6T5的热特性如下:
单结加热情况
- 总器件功耗:在25°C以上,每升高1°C,功耗降额357mW(注1),降额系数为2.9mW/°C。
- 结到环境的热阻:350°C/W(注1)。
双结加热情况
- 总器件功耗(TA = 25°C):500mW,在25°C以上,每升高1°C,功耗降额4.0mW。
- 结到环境的热阻:250°C/W(注1)。
结和存储温度范围
结和存储温度范围为 - 55°C到 + 150°C,这表明该晶体管能够在较宽的温度范围内正常工作。
注1:这些数据是在FR - 4最小焊盘条件下测得的。
电气特性
| 在TA = 25°C时,EMX2DXV6T5的电气特性如下: | 特性 | 符号 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 集电极 - 基极击穿电压(Ic = 1.0mAdc,Ig = 0) | V(BR)CBO | - | - | - | |
| 集电极 - 发射极击穿电压(Ic = 1.0mAdc,Ig = 0) | V(BR)CEO | 50 | - | - | |
| 发射极 - 基极击穿电压(IE = 50μAdc,IE = 0) | - | 7.0 | - | - | |
| 集电极 - 基极截止电流(VCB = 60Vdc,IE = 0) | ICBO | - | 0.5 | - | |
| 发射极 - 基极截止电流(VEB = 7.0Vdc,Ig = 0) | IEBO | - | - | - | |
| 集电极 - 发射极饱和电压(注2) | VCE(sat) | - | - | - | |
| 直流电流增益(注3)(VCE = 6.0Vdc,IC = 1.0mAdc) | hFE | - | - | - | |
| (VCE = 12Vdc,IC = 2.0mAdc,f = 30MHz) | - | - | 180 | MHz | |
| (VCB = 12Vdc,IC = 0Adc,f = 1MHz) | COB | - | 2.0 | pF |
注2:器件安装在FR - 4玻璃环氧树脂印刷电路板上,使用最小推荐焊盘。脉冲测试:脉冲宽度 ≤ 300μs,直流 ≤ 2%。
注3:具体的直流电流增益值需要根据实际的测试条件和电路应用来确定。
订购信息
| 器件型号 | 封装 | 包装方式 |
|---|---|---|
| EMX2DXV6T5G | SOT - 563(无铅) | 8000/卷带 |
| EMX2DXV6T1G | SOT - 563(无铅) | 4000/卷带 |
如果需要了解卷带规格的详细信息,包括零件方向和卷带尺寸,请参考Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D。
机械尺寸和安装
SOT - 563 - 6封装的尺寸为1.60x1.20x0.55,引脚间距为0.50P。在进行电路板设计时,需要参考具体的机械尺寸图和推荐的安装焊盘,以确保晶体管的正确安装和良好的电气连接。同时,关于无铅焊接策略和焊接细节的更多信息,可以下载ON Semiconductor Solder and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D。
总结
onsemi的EMX2DXV6T5双NPN通用放大晶体管具有节省空间、高hFE值、低饱和电压和无铅设计等优点,适用于各种通用放大应用。在设计电路时,我们需要根据具体的应用需求,综合考虑其电气特性、热特性和机械尺寸等因素,以确保选择合适的晶体管,实现电路的最佳性能。
大家在使用这款晶体管的过程中,有没有遇到过什么问题或者有什么独特的应用经验呢?欢迎在评论区分享交流。
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